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실험 07_이미터 팔로워 예비보고서2025.04.271. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 이미터 팔로워의 소신호 등가회로 이미터 팔로워의 전압 이득은 양의 값이며, 그 값이 1에 가깝다. 이미터 팔로워의 입력 임피던스와 출력 임피던스를 구하기 위한 회로와 계산식을 제시하였다. 3. 이미터 팔로워의 특성 이미터 팔로워는 작은 출력 임피던스의 특성이 있기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 ...2025.04.27
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Emitter Follower와 Class A Amplifier 실험 보고서2025.11.161. Emitter Follower (CC 증폭기) Emitter Follower는 CC 증폭기로 불리며 이득이 1에 가깝고 출력 저항이 매우 작은 회로다. 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 특징으로 하여 부하에 충분한 전압을 전달할 수 있다. 실험에서 입력 임피던스는 매우 높지만 출력 임피던스는 27.78Ω으로 매우 작음을 확인했다. 2N3904 트랜지스터를 사용하여 DC 및 AC 특성을 측정하고 부하 저항 연결 시 출력 임피던스 변화를 관찰했다. 2. Class A Amplifier (공통 이미터 회로) Class A ...2025.11.16
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전기전자공학실험-달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전압 이득 등을 계산하고 측정하였다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q2를 이용한 공통 베이스 증폭기에 직접 연결되어 있다. Q1단의 전압이득은 약 1이며, Q2단의 전압 이득은...2025.04.30
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BJT 다단 증폭기 설계 및 구현2025.11.141. 차동 증폭기(Differential Amplifier) BJT를 이용한 차동 증폭기는 두 개의 트랜지스터로 구성되며, 공통 이미터 저항을 통해 고정된 꼬리 전류를 생성한다. 비반전 입력과 반전 입력을 받아 단측 또는 차동 출력을 생성할 수 있다. 입력 임피던스는 2βr'e로 CE 증폭기보다 2배 높으며, 공통신호 제거비(CMRR)는 R_E/r'e로 표현된다. 차동 증폭기의 전압이득은 A_V = R_C/(2r'e)이고, 공통신호에 대한 이득은 A_V(CM) = R_C/(2R_E)이다. 2. VDB 증폭기(Voltage Divid...2025.11.14
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[전자회로실험] 베이스 접지 증폭기 및 이미터 폴로워 회로 결과보고서2025.04.261. 베이스 접지 증폭기 베이스 접지 증폭기 실험을 통해 입력 저항이 낮고 출력 저항이 큰 회로 특성을 확인했습니다. 실험 결과, 전압 이득과 입력 저항 값은 이론값, 시뮬레이션값, 실험값이 모두 근사한 값을 나타냈지만 출력 저항의 경우 차이가 발생했습니다. 하지만 입력 저항보다 훨씬 작은 값을 가진다는 점은 공통적이었습니다. 2. 이미터 폴로워 회로 이미터 폴로워 회로 실험을 통해 입력 저항이 높고 출력 저항이 낮은 회로 특성을 확인했습니다. 실험 결과, 전압 이득과 입력 저항 값은 이론값, 시뮬레이션값, 실험값이 모두 근사한 값...2025.04.26
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
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울산대학교 전기전자실험 6. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성2025.01.121. BJT 단자 검사 BJT의 단자를 구별하기 위해 다이오드의 저항과 임계전압을 이용한 검사를 수행했다. 양(+)단자와 음(-)단자를 연결하여 측정한 결과, 낮은 전압값을 가지는 단자가 컬렉터(C), 높은 전압값을 표시하는 단자가 이미터(E)임을 확인했다. 2. BJT 공통 Emitter(CE) 특성 공통 Emitter 회로에서 베이스 전류를 증가시키면 컬렉터 전류가 증가하는 것을 관찰했다. 이를 통해 베이스 전류를 통해 이미터에 흐르는 전류를 제어할 수 있음을 확인했다. 3. β 변화에 따른 BJT 특성 베이스 전류를 일정하게 ...2025.01.12
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쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성 실험2025.11.161. BJT의 구조 및 종류 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)는 전자와 정공 두 가지 캐리어가 전류 메커니즘에 관여하는 반도체 소자입니다. NPN 트랜지스터는 두 개의 N형 층이 가운데 P형 층으로 분리된 구조이고, PNP 트랜지스터는 두 개의 P형 층이 가운데 N형 층으로 분리된 구조입니다. 두 종류 모두 에미터, 베이스, 콜렉터 세 개의 단자를 가지며, 에미터의 화살표 방향으로 구분됩니다. 2. BJT의 동작원리 및 전류증폭 BJT는 에미터에서 출발한 정공이 콜렉터에 도달할 때 전류가 흐릅니다. 작은 베이스 전류가 인가되면 콜렉터...2025.11.16
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