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원자흡광광도계(AAS)의 기본적인 원리 및 이론2025.04.261. 원자흡광광도계(AAS)의 기본적인 원리 원자흡광광도계(AAS)는 중성원자의 복사선 흡수 현상을 이용하여 시료 내 미량 원소를 신속, 정확하게 측정할 수 있는 분석 기기입니다. 주요 구성 요소로는 광원, 시료 도입부, 분광기, 검출기 등이 있으며, 원자화 방식에 따라 불꽃형, 비불꽃형, 수소화물 생성법 등으로 분류됩니다. 흡광도와 농도의 관계는 Beer-Lambert 법칙에 따르며, 배경 보정 기법을 통해 정확한 측정이 가능합니다. 2. 원자흡광광도계의 광원 원자흡광광도계의 광원으로는 속빈 음극관(Hollow Cathode La...2025.04.26
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유기태양광전지 제작 및 분석 (예비)2025.05.121. 태양광전지의 구조와 작동원리 태양광전지는 태양 광에너지를 전기에너지로 변환할 수 있도록 설계된 장치입니다. 무기 태양광전지와 유기 태양광전지로 나뉩니다. 무기 태양광전지는 실리콘과 같은 무기물에 불순물을 doping한 것이고, 유기 태양광전지는 광활성층(photoactive layers)으로 공액 유기화합물을 사용한 것입니다. 2. 인공 태양 광원 및 양자 효율 측정기의 작동 원리 인공 태양 광원과 양자 효율 측정기를 사용하여 태양광전지의 광전 변환 효율 및 양자 효율을 측정할 수 있습니다. 이를 통해 외부 양자 효율과 내부 ...2025.05.12
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Hall effect 예비보고서2025.05.051. Hall effect Hall effect 실험을 통해 N-type과 P-type 반도체의 홀 전압을 측정하여 Hall mobility, Carrier concentration, Hall coefficient를 구하고 두 반도체의 차이점을 이해하고자 한다. Hall effect는 자기장에 놓인 고체에 자기장의 방향과 수직인 전류가 흐를 때 고체 내부에 전기장이 형성되는 현상이다. 이를 통해 전자 이동도, 자기장, 전하 운반자 밀도 등을 측정할 수 있다. 2. 로런츠 힘 전자기장 안에서 전하를 띤 입자가 받는 힘을 로런츠 힘이라...2025.05.05
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Photolithography 예비보고서2025.05.051. 반도체 기본 개념 반도체는 상온에서 전기 전도도가 도체와 부도체 사이인 물질을 말한다. 반도체를 통해 다이오드, 트랜지스터, DRAM, 플래시 메모리와 같은 소자를 만들 수 있게 되었으며 현대 산업의 핵심 물질로 각광받고 있다. 반도체의 종류로는 intrinsic semiconductor(진성반도체)와 extrinsic semiconductor(외인성반도체)가 있으며 extrinsic semiconductor에는 Negative Type과 Positive Type이 있다. 2. 전자 이동도 전기장이 외부에서 가해지면 자유 전자...2025.05.05
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유기태양전지(Organic Solar Cell) 고분자 합성 실험 보고서2025.01.221. 유기태양전지 유기태양전지는 친환경적이고 안전할 뿐만 아니라 무한한 에너지원으로 여겨지면서 각광받고 있다. 실리콘 등 무기반도체를 기반으로 하는 무기물 태양전지의 한계를 극복하기 위해 고분자 물질을 사용하는 박막형 태양전지 연구가 활발히 진행되고 있다. 핵심 물질인 공액 고분자(conjugated polymer)는 흡광 계수가 높아 얇은 두께로도 태양빛을 충분히 흡수할 수 있어 얇은 두께로도 제작이 가능하다. 이러한 점들이 태양전지의 생산단가를 낮추며 무게, 크기, 형태에 제약을 적게 해준다. 2. 유기합성 실험 유기 합성실험은...2025.01.22
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금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리2025.01.271. 반도체 재료 Ge / Si Ge은 최초로 반도체에 사용한 물질로 Si보다 캐리어의 mobility가 높아 성질이 우수하지만, 성능이 금방 저하된다. Ge의 산화는 Si보다 빨라 산화로 인해 물질과 성질의 변형으로 오랜 사용이 불가능하므로 외부 요인에 의한 영향이 큰 Ge보다 Si을 사용하기 시작한 것이다. Si은 Ge보다 안정성이 좋아 표면에서 산소와 결합하여 SiO2층을 형성하여 성능이 꾸준히 유지 된다는 점과 흔하다는 장점이 있다. 또한, 전하 운반자 제어가 쉬워 도핑하기가 쉬우며 산소와 질소에 안정적이므로 기판 물질로 잘...2025.01.27
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW012025.05.031. BCC 구조 결정의 원자 농도 BCC 구조 결정의 격자상수가 a라고 할 때, 원자 농도는 (8/a^3)개/단위 부피로 계산할 수 있다. 2. BCC 구조에서 FCC 구조로의 상전이 BCC 구조에서 FCC 구조로 상전이가 일어나면 원자 충진율과 격자상수는 거의 변화가 없지만, 최근접 이웃원자 간의 거리와 배위수는 동일하게 유지된다. 상전이 후 격자상수가 30% 증가하면 결정은 팽창된 것으로 볼 수 있다. 3. Vegard's Law를 이용한 삼원 화합물반도체 특성 분석 Vegard's Law에 따르면 삼원 화합물반도체의 격자상수...2025.05.03
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힘,변형,촉각 센서 개요(Force, Strain, and Tactile Sensors)2025.05.111. Force Sensors 힘 센서는 힘을 측정하고 전기 신호로 변환하는 장치입니다. 표준 질량의 중력과 미지의 힘 사이의 균형을 맞추거나, 질량을 알고 가속도를 측정하거나, 전자기적으로 생성된 힘에 대한 힘의 균형을 맞추거나, 힘을 유체에 대한 압력으로 변환하고 그 압력을 측정하거나, 미지의 힘으로 탄성체에서 생성된 변형률을 측정하는 등의 방법으로 힘을 측정할 수 있습니다. 대부분의 현대 센서에서는 힘이 전기 신호로 직접 변환되지 않으며, 힘-변위 변환기와 위치 센서 등의 센서 결합을 통해 제조됩니다. 2. Strain Gau...2025.05.11
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