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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비결과보고서2025.01.061. 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합하여 만든 2극 반도체 소자인 다이오드에 대해 설명합니다. 다이오드의 구조와 작동 원리를 설명하고 있습니다. 순방향 전압을 인가하면 N형 반도체의 전자가 P형 반도체로 이동하고, 정공이 N형 반도체로 이동하여 전류가 흐르게 됩니다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 회로 직렬 또는 병렬로 연결된 다이오드 회로를 해석하고, 회로 전압을 계산하고 측정하는 실험에 대해 설명하고 있습니다. 이를 통해 다양한 다이오드 회로의 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 다이오드 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반...2025.01.06
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트랜지스터 특성 실험2025.01.021. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 이루어진 3단자 소자로, 베이스-이미터 접합은 순방향, 베이스-컬렉터 접합은 역방향으로 바이어스 되어 있다. 트랜지스터는 전류 증폭기로 동작하며, 베이스 전류에 따라 컬렉터 전류가 변화한다. 트랜지스터는 스위칭 동작과 증폭 동작을 할 수 있다. 2. 트랜지스터의 3가지 동작 모드 트랜지스터는 차단 동작 모드, 선형 동작 모드, 포화 동작 모드의 3가지 동작 모드를 가진다. 차단 모드에서는 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않고, 선형 모드에서는 베이스 전류에 비례하여 컬렉...2025.01.02
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 52025.01.041. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 설계 계획으로는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고...2025.01.04
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_예비보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에는 BJT 기반 LED 구동 회로 설계, MOSFET 기반 LED 구동 회로 설계, 구동 회로 측정 방법 등이 자세히 설명되어 있습니다. 2. BJT 기반 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531...2025.01.22
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전기전자공학실험-BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스2025.04.301. 쌍극성 트랜지스터(BJT) 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 차단, 포화, 선형 세 가지 모드에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에 의해서 트랜지스터의 동작점이 유일하게 결정된다. 차단 모드에서 트랜지스터는 거의 개방 스위치로 동작하며 이미터에서 컬렉터로 작은 양의 역방향 전류만이 존재한다. 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터로 최대 전류가 흐르며, 단란 스위치와 유사하게 동작한다. 흐르는 전류량은 트랜지스터에 연결된 외부 회로에 의해서 제한된다. 이들 두 동작 모드가 디지털 회로에 사용된다. 최...2025.04.30
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[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 논리함수와 게이트2025.05.101. NAND 게이트 설계 및 특성 분석 NAND 게이트를 AND, NOT 게이트를 활용하여 설계하였다. 시뮬레이션 결과 입력이 둘 다 1인 경우 출력이 0이 되는 것을 확인할 수 있었다. NAND 게이트의 진리표를 제시하였다. 2. NOR 게이트 설계 및 특성 분석 NOR 게이트를 OR, NOT 게이트를 활용하여 설계하였다. 시뮬레이션 결과 입력이 둘 다 0인 경우 출력이 1이 되는 것을 확인할 수 있었다. NOR 게이트의 진리표를 제시하였다. 3. XOR 게이트 설계 및 특성 분석 XOR 게이트의 회로도와 시뮬레이션 결과를 제시...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험5_결과보고서_3배전압곱셉기,MC34063A승압강압회로2025.05.101. 3배 전압 곱셉기 세배 전압 곱셈기에서 첫 번째 정반파가 인가될 때(파랑), C3커패시터에 Vm 만큼 충전이 된다. 그 다음 부 반파가 인가될 때(보라)는 인가전압 Vm과 C3 커패시터에 충전되어있던 Vm이 합쳐져 2Vm의 전압이 C4를 거치며 2Vm만큼 전압을 충전하게 된다. 그리고 두 번째 주기의 정 반파가 인가될 때(빨강), C4 의 2Vm과 인가전압 Vm의 합 3Vm이 C3커패시터에서 –Vm만큼 전압강하가 되어 C5 커패시터에는 2Vm이 충전되게 된다. 따라서 A노드와 B노드의 전위 차를 비교하게 되면 3Vm이 나타남을...2025.05.10
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서22025.01.171. PWM 제어회로 PWM 제어회로를 구성하고 톱니파형과 출력 파형을 확인하였다. PWM 제어회로는 출력 전압과 기준 전압을 비교하여 생긴 오차를 오차 증폭기로 증폭하고, 이 증폭된 전압은 비교기에서 톱니파와 비교되어 오차에 상응한 구형파 펄스를 생성한다. 오실로스코프를 통해 톱니파형과 이에 대한 구형파를 관찰할 수 있었다. 2. Buck Converter Buck Converter 회로를 구성하고 입력 전압을 변경하며 출력 전압을 확인하였다. 하지만 이상적인 출력 전압이 나오지 않았는데, 그 이유로는 가변저항 값의 부정확성, 소...2025.01.17
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적외선 정수기 텀프로젝트 아날로그 실험 및 설계2025.04.251. 적외선 센서 (TCRT-5000) 적외선 센서 TCRT-5000을 사용하여 물체 감지 기능을 구현하였습니다. 센서 민감도 향상을 위해 4.7K옴 저항을 연결하였고, 정수기 거리 조절을 위해 가변저항을 사용하였습니다. 2. 비교기 (LM324) 비교기 LM324를 사용하여 타이머 기능을 구현하였습니다. 물체가 감지되면 릴레이 코일에 전류가 흘러 접점이 변하고, 이때 비반전 단자에 전압이 흐르게 됩니다. 연산증폭기에 병렬로 연결된 커패시터가 타이머로 작용하여 전하가 충전되고, 충전이 완료되면 비교기에 의해 모터가 멈추게 됩니다. ...2025.04.25
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