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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서22025.01.171. PWM 제어회로 PWM 제어회로를 구성하고 톱니파형과 출력 파형을 확인하였다. PWM 제어회로는 출력 전압과 기준 전압을 비교하여 생긴 오차를 오차 증폭기로 증폭하고, 이 증폭된 전압은 비교기에서 톱니파와 비교되어 오차에 상응한 구형파 펄스를 생성한다. 오실로스코프를 통해 톱니파형과 이에 대한 구형파를 관찰할 수 있었다. 2. Buck Converter Buck Converter 회로를 구성하고 입력 전압을 변경하며 출력 전압을 확인하였다. 하지만 이상적인 출력 전압이 나오지 않았는데, 그 이유로는 가변저항 값의 부정확성, 소...2025.01.17
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다이오드 브리지 정류 회로 실험 결과보고서2025.01.041. 다이오드 브리지 정류 회로 이번 실험의 목표는 다이오드의 역할과 브릿지 정류회로에서 출력값은 어떻게 나타나며, 커패시터를 추가했을 경우 출력전압은 어떻게 나타나는지 알아보는 것이었습니다. 실험 결과, 이론값과 측정값이 상당히 다르게 나타났습니다. 첫 번째 실험에서 다이오드의 전위장벽으로 인한 전압강하를 알아보는 실험이었는데, 이론값보다 높은 값이 측정되었습니다. 두 번째 실험은 다이오드 브릿지 회로를 실험하는 것이었는데, 이론값보다 높은 첨두값이 측정되었습니다. 세 번째 실험은 커패시터를 연결하여 전압값을 측정하는 것으로, 그...2025.01.04
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Voltage Regulator 설계 예비보고서2025.04.271. 직류전압공급기(DC Power Supply) 설계 이 보고서의 목적은 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것입니다. 이를 위해 정류회로와 필터 회로를 사용하여 직류 전압을 생성하고, 오프셋 전압과 슬루율 등의 특성을 분석합니다. 설계 과정에서 수식을 이용하여 부하 전압의 최대치와 리플 전압을 계산하고, PSPICE 시뮬레이션을 통해 결과를 검증합니다. 2. 정류 회로 설계 이 보고서에서는 1:1 변압기와 다이오드를 이용한 정류 회로를 설계합니다....2025.04.27
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저항, 전압, 전류의 측정방법 설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 저항 측정 DMM을 사용하여 10kΩ, 1/4W, 5% 저항 30개를 측정하는 방법을 설명했습니다. DMM 조작 방법, 오차 분포도 작성, 표준편차 계산 및 식스 시그마 개념에 대해 다루었습니다. 또한 두 개의 저항을 병렬로 연결하면 표준편차가 작아질 것이라는 이론적 근거를 제시했습니다. 2. 직류 전압 측정 6V 건전지와 전압 안정 직류 전원 장치의 출력 전압을 DMM으로 측정하는 방법을 설명했습니다. 측정 전압이 6V보다 낮을 것이라는 예측과 그 이유를 서술했습니다. 3. 병렬 및 직렬 저항 회로 분석 병렬 연결된 5kΩ,...2025.04.25
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실험 4. 반파 및 전파 정류 예비결과보고서2025.01.021. 정류기 회로 정류기 회로는 교류전류에서 DC전류를 얻어내기 위해 정류작용에 중점을 두고 만들어진 전기적인 회로소자 또는 장치입니다. 다이오드 정류기는 입력 사인파를 단극성 출력으로 변환시키며, 맥동하는 파형을 보일 것입니다. 2. 반파 정류기 반파 정류기에서는 AC 파형의 (+)나 (-)극 중 하나만 통과되고 나머지 반은 차단됩니다. 이상적인 반파 정류기는 스위치 역할을 할 수 있으며, 순방향 바이어스가 걸리면 스위치가 닫혀 전류를 통과시키고, 역방향 바이어스가 걸리면 스위치가 열려 전류를 통과시키지 않습니다. 3. 브릿지 정...2025.01.02
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인천대 현대물리학실험 3. Electron Charge to Mass Ratio 실험 예비보고서2025.05.131. 전자의 질량과 전하량의 비 전자의 질량과 전하량의 비(비전하)는 하전입자의 전하와 질량의 비율을 나타내는 물리량이다. 현재 알려진 정보로 전자의 비전하 값 중 전하량은 약 -1.602 x 10^-19 C이고, 질량은 약 9.109 x 10^-31 kg이다. 이를 통해 계산하면 전자의 비전하는 약 1.758 x 10^11 C/kg이다. 이는 수소 이온(H+)과 전자가 같은 전하량을 가지지만 전자의 질량이 수소의 원자핵에 비해 2,000배가량 낮다는 것을 의미한다. 2. 비전하 측정 방법 이 실험에서는 필라멘트를 가열시킨 뒤 음극...2025.05.13
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아주대학교 A+전자회로실험 실험7 결과보고서2025.05.091. Class-A 증폭기 Class-A 증폭기는 적당한 바이어스가 걸릴 때 신호의 최대 진폭에서 항상 모든 트랜지스터가 작동한다. 신호 파형의 distortion이 가장 작지만, 입력신호에 상관없이 항상 전류가 흐르기에 전력 효율이 낮다. 실험 결과를 토대로 이를 확인할 수 있다. DC bias의 측정값들이 실험 2, 3과 비교하면 큰 것을 알 수 있다. 이는 class-A 증폭기는 항상 bias 전류가 걸려 있기 때문이다. 따라서 전력 효율이 좋지 않다. 출력파형은 입력과 마찬가지로 삼각파인데, (+), (-) 신호의 반전이 생...2025.05.09
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전자회로설계실습 실습 11 결과보고서2025.01.041. Push-Pull 증폭기 본 설계 실습에서는 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover Distortion 현상을 파악하고 이를 amplifier을 이용하여 제거하는 실험을 하였다. 실험결과 4.1에서 구성한 Push-Pull amplifier에서는 dead zone이 BJT 구동 전압인 |Vbe|보다 작아 발생하지 않았음을 확인하였다. 2. 오실로스코프 활용 실습3.1에서 시뮬레이션으로 입·출력 transfer characteristic curve을 쉽게 확인할 수 있지만, 실제 실험에서...2025.01.04
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반도체 공정 term project2025.05.101. DC/RF sputtering 스퍼터링은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가...2025.05.10
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