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A+ 받을 수 있는 중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계 예비보고서2025.05.121. 저항 측정 DMM을 사용하여 저항(10 kΩ, 1/4, W, 5%, 30 개)을 측정하는 방법을 설명하였다. 평균값과 오차 분포도, 표준편차를 구하는 방법을 제시하였다. 또한 병렬 연결된 저항의 표준편차가 감소하는 이유를 설명하였다. 2. 가변저항 가변저항의 구조와 단자 사이의 저항 변화 특성을 설명하였다. 3. 4-wire 저항 측정 4-wire 저항 측정 방식의 원리와 장점을 설명하였다. 또한 전선 길이가 변하면 저항이 어떻게 변하는지 설명하였다. 4. 전압 측정 DMM을 사용하여 6 V 건전지와 DC 전원 공급기의 전압을...2025.05.12
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_18 정현파 측정(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 정현파 생성 정현파는 스프링을 이용하거나 등속도 원운동을 이용하여 생성할 수 있다. 스프링에 추를 매달아 아래로 당겼다가 놓으면 추가 규칙적으로 위아래로 움직이며 정현파를 생성한다. 또한 물체가 일정한 속도로 원운동을 하면 그 물체의 높이 변화가 정현파 형태가 된다. 2. 정현파의 특징 정현파의 특징은 주파수가 다른 정현파를 더하면 새로운 모양의 파형을 만들 수 있다는 것이다. 오실로스코프로 정현파의 주기와 주파수를 측정할 수 있으며, 함수발생기로 정현파의 진폭, 주파수, 직류성분 등을 조정할 수 있다. 3. 오실로스코프 사용...2025.05.13
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고려대학교_전기회로 실험2_ 저항측정 보고서2025.05.021. 저항 측정 이 실험의 목적은 디지털 멀티미터를 사용하여 저항기의 저항을 측정하는 방법을 익히고, 탄소 피막 4색 및 5색 저항의 규격을 판독하는 방법을 배우는 것입니다. 실험을 통해 간단한 전기회로의 요소와 개념을 이해할 수 있으며, 측정값과 표시값의 차이를 비교하여 오차 원인을 분석할 수 있습니다. 2. 4색 저항 실험 4색 저항 실험에서는 4가지 색띠를 이용하여 저항 규격을 나타내는 방법을 배웁니다. 실험 결과, 오차율이 모두 허용 오차범위 내에 있고 작게 나오면서 안정적인 결과가 나왔습니다. 이는 실험 전에 도선의 저항을...2025.05.02
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.04.291. Op Amp의 Offset Voltage 측정 Op Amp의 offset 전압을 측정하는 방법에 대해 설명하였습니다. 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier를 설계하고, 두 입력 단자를 접지하여 출력전압을 측정하면 Offset Voltage를 구할 수 있습니다. 또한 Op Amp의 Offset Voltage를 최소화하는 방법도 제시하였습니다. 2. Op Amp의 Slew Rate 측정 Op Amp의 Slew Rate를 최소화하는 방법에 대해 설명하였습니다. Slew Rate는 입력 전압의 주파수를 ...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET은 전자전기공학에서 중요한 소자로, 증폭 기능과 스위치 기능을 가지고 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 전기적 특성을 실험적으로 이해하고자 하였다. 실험 결과, source는 ground, Vds=5V로 고정하고 Vgs를 증가시키면서 drain current Id를 측정하였다. Vgs가 2.2V일 때 약 1mA의 전류가 측정되어 이를 threshold voltage Vth로 확인하였다. 측정값들을 Id-Vgs 특성곡선으로 나타내었고, Vgs가 증가함에 따라 Id도 증가하는 것을 확인하여...2025.04.30
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중앙대학교 전기회로설계실습 6. 계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법설계(예비) A+2025.01.271. DMM을 사용한 교류전원 접지 전압 측정 DMM의 측정단위를 Vac로 설정하고, 측정치를 220V 이상으로 설정한다. DMM의 한 도입선을 1번 교류전원 power outlet의 접지 단자에, 다른 도입선을 2번 교류 전원 power outlet의 접지 단자에 연결하여 두 접지 단자 사이의 전압을 측정한다. 2. 계측기의 입력 저항 함수발생기(Function Generator)의 출력측에서 본 내부저항은 대부분 50Ω이다. DMM의 입력저항은 약 10MΩ이고, 오실로스코프의 입력저항은 보통 1MΩ이 많이 사용되며, 고가의 고속...2025.01.27
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A+ 받을 수 있는 중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 6.계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법설계 예비보고서2025.05.121. DMM 사용을 통한 교류전원 접지 상태 측정 전기공학도에게 중요한 DMM, Function Generator, 오실로스코프를 이용하여 DMM과 오실로스코프의 주파수 응답 차이를 이해하고, Function Generator와 오실로스코프의 접지에 대해 이해한다. DMM을 사용하여 실험실 교류전원(220V) power outlet 두 개의 접지 사이 전압을 측정하는 방법을 설계한다. 2. Function Generator, DMM, 오실로스코프의 주파수 특성 비교 Function Generator의 출력저항과 DMM, 오실로스코프...2025.05.12
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[전기회로설계실습] 설계 실습 6. 계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법 설계2025.05.131. 계측장비 접지상태 측정 본 실험은 측정에 의해 DMM, Oscilloscope와 Function Generator의 접지상태, 즉 내부연결 상태와 입력저항을 유추하는 방법을 설계하고 이를 이용하여 계측장비의 정확한 사용법을 익히는데 의의가 있다. 220 V전원을 공급하는 벽면 소켓에서 각 단자 사이의 전압을 측정하여 실효값을 측정하였다. 오실로스코프의 값이 function generator에서 설정한 값의 약2.2배로 관찰되었다. 그리고 DMM의 측정 주파수의 따른 특성은 약 700 kHz에서 DC 전압의 50%가 측정되었다....2025.05.13
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 결과보고서 1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계 결과 보고서2025.05.031. 저항 값 분포 실험 결과, 대부분의 저항값이 9.8kΩ에 있으며 정확히 10kΩ이거나 10kΩ를 초과하는 저항은 없었다. 최대 오차율은 2.3%로 허용 오차범위인 5%내에 모두 측정되었다. 저항 값의 분포는 9.7kΩ에 26.6%인 8개, 9.8kΩ에 70%인 21개, 9.9kΩ에 3.33%인 1개로 나타났다. 2. 전압 및 전류 측정 이 부분에 대한 내용은 제공되지 않았습니다. 1. 주제2: 전압 및 전류 측정 전압과 전류 측정은 전자 회로 분석에 있어 필수적인 요소입니다. 정확한 전압 및 전류 측정을 통해 회로의 동작 상태...2025.05.03
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