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Capacitor의 전기적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. 기본 RC 회로 실험 기본 RC 회로 실험의 결과, 모두 Capacitor 양단 전압 파형이 충전과 방전이 반복되는 파형으로 관찰되었다. 실험 이론상 RC의 식으로 시정수 값을 찾아낼 수 있었는데, RC 값이 클 경우 시정수에 근접하게 관찰되어 성공적인 실험임을 알 수 있었다. RC 값이 작을 경우에는 시정수에 비해 주기가 매우 짧기 때문에 최대값의 63.2%에서 관찰하기 힘들었다. 평균 전압은 0에 가깝게 관찰되었다. 2. Diode를 이용한 RC 회로 실험 Diode를 이용한 RC 회로 실험의 결과, 기본 RC 회로와는 다...2025.01.12
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아주대학교 물리학실험2 실험 15 옴의 법칙(A+)2025.01.231. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전기 회로에서 전압, 전류, 저항 간의 관계를 설명하는 기본적인 법칙이다. 옴의 법칙을 만족하는 물질을 옴성 물질, 옴의 법칙을 만족하지 않는 물질을 비옴성 물질이라고 한다. 옴성 물질은 전압과 전류 사이의 관계가 선형적이며 저항이 일정하게 유지되지만, 비옴성 물질은 전압과 전류 사이의 관계가 선형적이지 않고 저항이 일정하지 않다. 대표적인 비옴성 물질로는 다이오드, 트랜지스터 등이 있다. 2. 탄소저항 실험 1에서는 회로에 탄소저항을 연결하여 표시저항과 실제 저항 측정값을 비교하였다. 33Ω과 100Ω...2025.01.23
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단순 교류 회로 실험2025.01.031. 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성 이 실험에서는 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성을 부하를 걸었을 때와 걸지 않았을 때 각각 검사하여 비교합니다. 또한 교류 신호에 대한 저항 회로에서 옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 유효성을 확인합니다. 2. 교류 신호와 커패시터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 커패시터 사이의 관계를 확인합니다. 커패시터 양단의 전압과 커패시터를 통해 흐르는 전류 사이의 관계도 함께 살펴봅니다. 3. 교류 신호와 인덕터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 인덕터 사이의 관계를 이해합니다. 인덕터 양단...2025.01.03
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[부산대 이학전자실험] OP-AMP (3)2025.05.041. Comparator Comparator는 이름에서 알 수 있듯이 전압을 비교할 수 있는 장치이다. Op Amp의 높은 전압 이득을 이용하여 입력신호를 무한대로 가깝게 증폭해준다. Comparator는 입력되는 두 전압의 크기를 비교하여 두 입력 값 중 가장 큰 것을 결정해준다. 실험 결과 입력전압이 기준전압보다 크면 출력전압이 (+)로, 작으면 (-)로 출력되는 것을 확인할 수 있었다. 다만 회로의 내부저항으로 인해 출력전압이 공급전압보다 약간 낮게 나왔다. 2. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 하는 소자이다...2025.05.04
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A+ / 회로망 정리 실험보고서2025.05.131. 중첩의 원리 중첩정리(Superposition Theorem)는 옴의 법칙을 전원이 여러 개인 회로에도 적용한다. 회로망에 중첩정리를 적용하기 위해서는, 특정한 조건들이 만족되어야 한다. 1. 모든 부품들은 선형(linear)이어야 하는데 이는 전류가 인가 전압에 비례한다는 것을 의미한다. 2. 모든 부품들은 양 방향성이어야 한다. 이는 전압원의 극성이 반대가 되어도 전류의 값이 동일하다는 것을 의미한다. 3. 수동소자(Passive component)들이 사용될 수 있다. 수동소자는 증폭이나 정류를 하지 못하는 저항, 커패시...2025.05.13
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A+받은 다이오드 클램퍼 결과레포트2025.05.101. 다이오드 클램퍼 실험을 통해 다이오드 및 커패시터를 이용한 클램퍼 회로를 구성하고, 출력 파형을 관찰하였다. 양의 클램퍼 회로에서 저항값을 변화시키며 출력 파형을 관찰하였고, 시정수가 작은 경우 커패시터가 일정한 직류 전압값에 수렴하지 않고 정현파의 형태를 나타내는 것을 확인하였다. 저항값이 증가하면서 시정수가 커짐에 따라 출력 파형이 입력 전압을 기준으로 양의 반주기에서 약 1V의 DC 성분이 더해진 형태로 나타나며, 음의 반주기에서 다이오드의 도통 전압에 수렴하는 것을 확인하였다. 음의 클램퍼 회로에서는 저항값이 큰 경우에...2025.05.10
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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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전류계 및 전압계 사용법 예비보고서2025.01.121. 가동 코일형 계기의 구조와 원리 영구자석이 만드는 자계 내에 가동 코일을 놓고 코일에 측정하고자 하는 전류를 흘리면 전자력이 발생하여 구동 토크를 발생시킨다. 이를 영구자석 가동 코일형 계기라고 한다. 가동 코일의 회전각은 피측정 전류에 비례하여 균등눈금으로 나타낼 수 있다. 2. 직류 전류계의 분류기 사용 가동 코일에 직접 흘릴 수 있는 전류가 작기 때문에 분류기 저항을 병렬로 연결하여 전류의 일부를 분류시켜 측정 범위를 확대한다. 분류기의 배율을 이용하여 피측정 전류를 계산할 수 있다. 3. 직류 전압계의 배율기 사용 가동...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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중앙대학교 다이오드 결과 보고서2025.01.291. Si 다이오드 DC 특성 Si 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. 순방향 바이어스 시 전압-전류 특성으로 Vd가 0.6V까지는 출력전류가 인가전압의 변화에도 거의 변화가 없다. 그러나 0.6V부터는 미세한 변화가 생기기 시작하다가 0.6~0.7V를 넘어서면 전압의 변화에 전류는 비례적으로 증가한다. 반대로 역방향 전압을 점점 크게 하면 누설전류는 조금씩 증가하다가 어느 값에 가까우면 급격히 증가하기 시작한다. 2. Ge 다이오드 DC 특성 Ge 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. Ge 다이오드는 Si ...2025.01.29
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