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(경북대) 전자회로설계 팀프로젝트2025.01.291. 전자회로 설계 이 프레젠테이션은 전자회로 설계 프로젝트에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 전압 분배 회로 설계, OP 앰프 특성 및 한계, 전류 부스터 회로 설계 등이 포함되어 있습니다. 회로 설계 시 소자 수 최소화, 전력 소모 최소화 등의 고려사항을 바탕으로 최적의 회로를 구현하고자 하는 것으로 보입니다. 1. 전자회로 설계 전자회로 설계는 전자 기기와 시스템을 구현하는 데 있어 매우 중요한 역할을 합니다. 회로 설계 과정에서는 회로의 기능, 성능, 효율성, 안전성 등을 고려해야 합니다. 이를 위해 회로 이론...2025.01.29
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[기초전자실험 with pspice] 19 RLC 공진회로 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. RLC 직렬회로 공진 RLC 직렬회로의 공진주파수는 5.3KHz였으며, 전압은 공진 시 최소값을 가졌다. 이는 리액턴스 성분이 상쇄되고 저항만 남기 때문이다. 공진주파수보다 낮은 주파수에서는 위상이 앞서고, 높은 주파수에서는 위상이 늦춰진다. 2. RLC 병렬회로 공진 RLC 병렬회로가 공진할 때 전류 I1과 I2의 값이 비슷하다. 이는 리액턴스 성분이 상쇄되고 저항만 남기 때문이다. 공진주파수보다 낮은 주파수에서는 I1이 크고, 높은 주파수에서는 I2가 크다. 3. 공진주파수 이론값과 실험값 차이 공진주파수 이론값과 실험값의...2025.04.28
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PLED 소자 제작 A+ 레포트 건국대학교 고분자재료과학2025.05.091. PLED 소자 제작 PLED 소자 제작 방법을 알아보고 PLED의 봉지공정을 통해 제작된 소자를 수분과 산소로부터 보호한다. 고분자 발광물질을 이용하여 PLED를 제작하는 실험을 수행하였다. 실험에서는 PEDOT:PSS, 발광층 고분자, 전자주입층 및 전극 증착, 봉지공정 등의 내용을 다루었다. 1. PLED 소자 제작 PLED(Polymer Light-Emitting Diode) 소자 제작은 유기 전자 소자 분야에서 매우 중요한 기술입니다. PLED 소자는 유기 반도체 물질을 이용하여 전기적 신호를 광학적 신호로 변환할 수 ...2025.05.09
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부경대학교 사유와 표현 추천서 과제 (화학공학과)2025.05.031. 반도체 산업 국내 기업인 삼성전자가 DRAM, SRAM과 같은 메모리 반도체 업계에서 세계 1위를 차지하고 있으며, 정보처리 목적을 가진 메모리 반도체의 경우 아직 세계 5위를 차지하고 있습니다. 반도체에 관한 연구는 세계적으로 국내 산업에 큰 발전을 이바지할 것입니다. 2. 웨어러블 기기 산업 스마트 워치 산업은 이전보다 크게 발달했으며, 2022년 1분기 스마트 워치 시장은 전년 동기 대비 13% 증가했습니다. 애플과 삼성이 시장점유율을 끌어올리고 있으며, 혈중 산소 포화도, 심전도 검사, 심박수, 수면 추적과 같은 건강 ...2025.05.03
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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전자및에너지재료공학 기말 보고서2025.05.101. High-K 절연체 High-K 물질은 유전율이 높은 물질로, 소자 미세화에 따른 누설 전류 문제를 해결하기 위해 사용됩니다. High-K 물질은 산화막의 물리적 두께를 충분히 확보하면서도 높은 유전율을 가져 누설 전류를 감소시킬 수 있습니다. 대표적인 High-K 물질로는 하프늄 다이옥사이드(HfO2)와 지르코늄 다이옥사이드(ZrO2)가 있으며, DRAM 커패시터 유전막으로 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) 구조가 사용되고 있습니다. 2. High-K 물질의 특성 High-K 물질은 유전율이 높고 열적으로 안정적이어야 하...2025.05.10
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MOSFET 에너지 밴드2025.05.081. MOSFET 동작 모드 MOSFET은 Gate 전압에 따라 Accumulation, Depletion, Inversion 모드로 동작한다. Accumulation 모드에서는 전류가 흐르지 않고, Depletion 모드에서는 약간의 전류만 흐르며, Inversion 모드에서는 Source에서 Drain으로 전자가 이동하여 전류가 잘 흐른다. MOSFET의 동작 모드는 Gate 전압을 조절하여 변경할 수 있다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET의 동작 영역은 Gate 전압과 Drain 전압의 조합에 따라 달라진다. Gate...2025.05.08
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET은 전자전기공학에서 중요한 소자로, 증폭 기능과 스위치 기능을 가지고 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 전기적 특성을 실험적으로 이해하고자 하였다. 실험 결과, source는 ground, Vds=5V로 고정하고 Vgs를 증가시키면서 drain current Id를 측정하였다. Vgs가 2.2V일 때 약 1mA의 전류가 측정되어 이를 threshold voltage Vth로 확인하였다. 측정값들을 Id-Vgs 특성곡선으로 나타내었고, Vgs가 증가함에 따라 Id도 증가하는 것을 확인하여...2025.04.30
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교류및전자회로실험 실험9-1 트랜지스터 기초실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 트랜지스터는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이며, 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말한다. 트랜지스터의 특성은 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하며, base 단의 전류를 변화시킴으로써 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제...2025.01.17
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