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전자회로실험_1주차 보고서2025.01.211. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 P형 반도체는 억셉터(3가 불순물)가 도핑된 반도체이고 N형 반도체(5가 불순물)는 도너가 도핑된 반도체이다. P형 영역에 연결된 전극을 애노드(anode), N형 영역에 연결된 전극을 캐소드(cathode)라고 한다. PN접합 다이오드의 전류(ID)와 전압(VD) 사이의 관계는 다음과 같다. VD>VΓ인 순방향 전압이 인가되면, 다이오드 전류는 지수함수적으로 급격히 증가한다. VD<VΓ인 역방향 전압이 인가되면, 다이오드에는 매우 작은 역방향 포화전류 ID≒-IS가 흐른다. VΓ는 다이오...2025.01.21
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[A+보고서] 전자회로 실험-다이오드 (다이오드의 특성 분석)2025.01.171. 다이오드 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하고, 그 역방향으로 흐르지 못하게 하는 성질을 가진 반도체 소자이다. 다이오드의 전류를 한 방향만으로 흐르게 하는 작용을 정류라 하며, 교류를 직류로 변환할 때 쓰인다. 다이오드에는 이 정류용 다이오드가 흔히 쓰이지만 그 밖에도 여러 가지 용도가 있다. 다이오드에는 많은 종류가 있으며 특성이 다르다. 예를 들어, 빛을 내는 발광 다이오드나 전압에 의하여 정전 용량이 바뀌는 가변 용량 다이오드 등이 있다. 2. 정류기 정류기는 순방향 저항은 작고 역방향 저항은 충분히 커서 한쪽 ...2025.01.17
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PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 실험 결과2025.01.021. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 반도체 소자의 기본 구조로, 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 다른 동작 특성을 보인다. 실험 결과에서는 순방향 바이어스 시 전압이 증가함에 따라 전류가 지수적으로 증가하는 특성을 확인할 수 있었다. 역방향 바이어스 시에는 전압이 증가함에 따라 전류가 미미하게 증가하다가 일정 전압에서 급격히 증가하는 항복 현상이 관찰되었다. 이러한 PN 접합 다이오드의 특성은 정류기, 스위칭 회로 등 다양한 전자 회로에 활용된다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향 바이어스 시 일정 전압...2025.01.02
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사이리스터 예비보고서2025.01.101. 사이리스터 동작 사이리스터는 p-n-p-n 4층 구조의 반도체 소자로, 특수한 반도체 정류 소자입니다. 게이트에서 일정한 전류를 흘리면 아노드와 캐소드 사이가 통전(턴 온)하여 그대로 통전 상태를 유지합니다. 통전 상태를 정지(턴 오프)시키려면 아노드와 캐소드 사이의 전류를 일정 값 이하로 낮출 필요가 있습니다. 이러한 특징을 이용하여 한번 통전 상태로 전환하면 통과 전류가 영(0)이 될 때까지 그 통전 상태를 유지할 필요가 있는 용도에 사용되고 있습니다. 2. 사이리스터의 장점 및 활용 사이리스터의 장점은 고전압 대전류의 제...2025.01.10
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실험3광전 소자의 특성 실험2025.05.111. LED의 특성 LED는 자신의 단자에 전류나 전압이 인가 될 때 빛을 발생 시키는 반도체 소자로, 광전자 소자로 구분되기도 한다. LED는 백열전구에 비해서 긴 수명과 낮은 소비 전력을 갖기 때문에 전자 장비에서 가장 널리 사용되는 광원이다. LED는 다른 반도체 다이오드와 유사하게 기본적으로는 PN 접합형 다이오드와 같이 순 방향으로 바이어스 되거나 역방향으로 바이어스 된다. 순방향으로 바이어스 되면 순방향 전류에 대한 응답으로 빛을 발광 한다. 2. 7 세그먼트 LED 디스플레이 LED가 가장 널리 사용되는 응용 분야 중 ...2025.05.11
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자기 브레이크 리포트2025.01.281. 자기 브레이크 자기 브레이크는 자기장을 이용해 고속으로 움직이는 금속에 와전류를 발생시킴으로 인해 발생하는 후속 자기장에 의한 백 토크를 사용하여 전자석에 주행방향에 대한 역방향의 힘을 가해 운동하는 대상을 정지시키는 장치입니다. 자기 브레이크는 마찰력에 의한 브레이크와 달리 소리가 덜 나고 소모되는 부품도 없습니다. 자기 브레이크에는 영구자석 자기 브레이크와 전자석 자기 브레이크가 있으며, 자이로드롭, 금속 탐지기, 기차 브레이크 등에 활용되고 있습니다. 2. 와전류 와전류는 자성체에서 자속이 변화하면 기전력이 발생하고, 이...2025.01.28
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전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기 (2)2025.04.301. pnp형 트랜지스터 pnp형 트랜지스터는 npn형 트랜지스터와 방향이 반대이므로 회로를 구성할 때 주의해야 한다. 2. B급 증폭기 설계 B급 증폭기를 설계할 때 피크전압이 앞의 것과 똑같이 나타나 회로의 효율이 완벽하게 실험이 가능했다. 3. 출력 전력 계산 책에 나온 출력 전력을 사용할 때는 rms값인지, peak값인지, p-p값인지 주의하여 값을 계산해야 한다. 4. A급 증폭기 효율 A급 증폭기의 최대 효율 25%는 초과할 수 없다는 것을 확인했다. 5. B급 증폭기 다이오드 B급 증폭기의 다이오드 2개는 파형이 0.7...2025.04.30
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험4_결과보고서_클리핑,클램핑회로,제너다이오드,제너정전압조정기2025.05.101. 클리핑 회로 클리핑 회로는 입력 신호의 일부를 제거하여 출력 신호의 진폭을 제한하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 클리핑 회로를 구현하고, 입력 신호의 크기에 따라 출력 신호가 어떻게 변화하는지 확인하였습니다. 모의실험과 실험 결과를 비교하여 클리핑 회로의 동작을 이해할 수 있었습니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 신호의 중앙값을 이동시켜 출력 신호의 레벨을 조정하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 정 클램핑 회로와 부 클램핑 회로를 구현하고, 입력 신호와 출력 신호의 평균값을 측정하여 클램...2025.05.10
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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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아주대학교 물리학실험2 정류회로(A+)2025.01.231. 정류회로 정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 회로입니다. 이 실험에서는 반파정류회로, 전파정류회로, 필터회로 등 다양한 정류회로를 구성하고 그 특성을 분석했습니다. 실험 결과를 통해 다이오드의 역할, 권선비에 따른 전압 변환, 주파수 변화에 따른 출력 전압 변화 등을 이해할 수 있었습니다. 2. 변압기 변압기의 입력 전압과 출력 전압을 측정하여 권선비를 계산했습니다. 실험 결과 두 2차 코일의 권선비가 모두 0.496으로 같았습니다. 이를 통해 변압기의 설계와 성능을 예측할 수 있음을 알게 되었습니다. 3. 다이오드...2025.01.23
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