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Zener Diode 예비 보고서2025.04.271. 다이오드 I-V 특성 다이오드는 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 다른 동작 영역을 가집니다. 순방향 바이어스에서는 약 0.7V의 전압 강하가 발생하며, 역방향 바이어스에서는 과도한 전압이 인가되면 소자가 파괴되는 breakdown 현상이 발생합니다. 2. Zener 다이오드 Zener 다이오드는 역방향 바이어스에서 넓은 전류 범위에 대해 안정된 전압 특성을 가지는 정전압 다이오드입니다. Zener 전압 이상의 전압이 인가되면 일정한 전압이 출력되며, 최소 동작 전류(Iz)와 최대 동작 전류(Izm)의 범위 내에서 동작...2025.04.27
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A+받은 제너다이오드 예비레포트2025.05.101. 제너 다이오드 제너 다이오드는 순방향 바이어스에서는 일반적인 다이오드와 동일한 동작 특성을 갖지만, 역방향 항복전압을 제조 공정에서 조절하여 일정한 값으로 만든 다이오드입니다. 제너 다이오드는 제너 항복과 눈사태 항복에 의해 역방향 항복전압이 형성되며, 이를 이용하여 전압 레귤레이터 또는 표준전압 발생기로 사용됩니다. 실험을 통해 제너 다이오드의 순방향 및 역방향 특성, 전원전압 변화에 따른 특성, 부하저항 변화에 따른 특성 등을 확인하였습니다. 1. 제너 다이오드 제너 다이오드는 전자 회로에서 중요한 역할을 하는 반도체 소자...2025.05.10
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다이오드의 특성 및 기초 응용회로 실험2025.11.121. 다이오드의 전기적 특성 다이오드는 반도체 소자로서 순방향과 역방향 바이어스에 따른 전류-전압 특성을 가집니다. 순방향 바이어스 시 전류가 흐르고 역방향 바이어스 시 차단되는 정류 특성을 보입니다. 다이오드의 특성곡선은 임계전압(turn-on voltage)을 기준으로 지수함수적 거동을 나타내며, 이는 쇼클리 방정식으로 설명됩니다. 2. 다이오드 응용회로 다이오드는 정류회로, 클리핑회로, 클램핑회로 등 다양한 기초 응용회로에 사용됩니다. 정류회로는 교류를 직류로 변환하며, 클리핑회로는 신호의 특정 부분을 제거하고, 클램핑회로는 ...2025.11.12
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다이오드 직렬 및 병렬연결 예비리포트2025.11.161. 다이오드 동작 원리 DC 전압이 공급될 경우 다이오드 회로 해석은 다이오드의 켜짐/꺼짐 상태 판정이 중요하다. 다이오드 양단 전압이 임계 전압 이상일 경우 이상적 스위치 소자로 간주하며, 이하일 경우 꺼진 상태로 판정한다. 켜진 상태에서는 임계전압으로 대체하여 해석하고, 역방향 바이어스 인가 시 개방회로로 해석한다. 실제 회로에서는 비선형으로 동작하며 임계전압이 정확히 0.7V가 아니다. 2. 직렬 다이오드 연결 특성이 다른 다이오드를 직렬로 연결한 경우의 동작을 분석한다. 순방향 바이어스 시 측정 데이터에서 VD는 약 4.9...2025.11.16
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Diode의 회로적 특성 실험_예비레포트2025.01.121. Diode의 회로적 특성 다이오드는 p-type과 n-type 반도체를 접합시켜 접합부에 diffusion 작용을 통해 Built-in potential이 형성되는 PN 접합 현상을 이용한 소자입니다. 다이오드는 정방향 전압 이상이 인가되면 급격한 전류 증가를 일으키는 특성이 있으며, 이를 통해 정류, 검파, 온도 센서 등 다양한 용도로 사용됩니다. 또한 Zener 다이오드는 역방향으로 전압을 걸면 일반 다이오드보다 낮은 특정 전압에서 역방향 전류가 흐르는 특성을 가지고 있습니다. 2. Diode의 회로적 모델링 다이오드는 다...2025.01.12
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다이오드 특성 실험 및 I-V 특성 측정2025.11.161. 다이오드의 기본 동작 원리 다이오드는 p-type과 n-type 반도체의 접합으로 만들어지며, 접합면 근처에서 barrier voltage가 형성된다. Forward bias에서는 p-type에 양의 전압, n-type에 음의 전압을 인가하여 forward current가 흐르고, reverse bias에서는 반대로 인가하여 매우 작은 leakage current만 흐른다. Si 다이오드의 barrier voltage는 약 0.6V이며, 다이오드는 0.7V drop model 또는 piecewise linear model로 등...2025.11.16
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다이오드 정류회로 실험2025.11.131. 반파 정류회로 반파 정류회로는 입력되는 정현파의 한 반주기만을 통과시키는 회로이다. 시뮬레이션 결과에서 입력전압 첨두값 10V에 대해 출력전압 첨두값은 4.35V이며, 다이오드의 커트-인 전압은 0.65V이다. 양의 반주기는 정류되고 음의 반주기는 차단되어 맥동하는 직류 출력을 생성한다. 진폭이 작은 신호의 경우 다이오드의 순방향 전압강으로 인해 출력이 제한될 수 있다. 2. 전파 정류회로 전파 정류회로는 중앙 탭 변압기와 다이오드를 이용하여 입력 신호의 양쪽 반주기를 모두 정류하는 회로이다. 변압기 2차측 전압 VA, VB가...2025.11.13
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중앙대학교 다이오드 결과 보고서2025.01.291. Si 다이오드 DC 특성 Si 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. 순방향 바이어스 시 전압-전류 특성으로 Vd가 0.6V까지는 출력전류가 인가전압의 변화에도 거의 변화가 없다. 그러나 0.6V부터는 미세한 변화가 생기기 시작하다가 0.6~0.7V를 넘어서면 전압의 변화에 전류는 비례적으로 증가한다. 반대로 역방향 전압을 점점 크게 하면 누설전류는 조금씩 증가하다가 어느 값에 가까우면 급격히 증가하기 시작한다. 2. Ge 다이오드 DC 특성 Ge 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. Ge 다이오드는 Si ...2025.01.29
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BJT의 특성 및 바이어스 실험 결과보고서2025.11.181. BJT(쌍극성 트랜지스터) 특성 측정 본 실험에서는 2SC3198GR, 2SC3198Y, 2N2222 등 3개의 BJT 트랜지스터를 대상으로 단자 번호, 형태, 반도체 재료를 파악하고 DMM을 이용하여 다이오드 스케일과 저항 스케일로 측정했습니다. 각 트랜지스터의 베이스, 이미터, 컬렉터 단자를 식별하고 실리콘 재료의 npn형 트랜지스터임을 확인했습니다. 측정 결과 트랜지스터마다 내부 저항이 다르게 나타났으며, 이는 실험에서 요구하는 측정값 획득에 영향을 미쳤습니다. 2. BJT 바이어스 특성 분석 실험 결과 VBE가 증가할수...2025.11.18
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클램퍼 회로 실험 예비결과보고서2025.11.181. 클램퍼 회로(Clamped Circuit) 클램퍼 회로는 입력 파형을 DC 레벨로 고정시키는 회로입니다. 커패시터를 회로에 직렬로 연결하고 다이오드를 출력과 병렬로 연결하여 구성됩니다. 커패시터가 충전되면서 직류전원의 역할을 하여 전체 DC 전압이 더해져 회로 전체가 기존보다 높거나 낮은 전압에서 파형을 이루게 됩니다. 2. 커패시터의 충전과 시상수 커패시터는 클램퍼 회로의 중요한 요소입니다. 커패시터에 충전이 되면서 직류 전원과 같은 역할을 하게 되어 입력 신호 파형의 상승을 이끕니다. 이를 통해 회로의 DC 레벨 시프트가 ...2025.11.18
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