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트랜지스터 실습22025.01.041. 트랜지스터의 동작 영역 이번 실습에서는 양극성 접합 트랜지스터의 세 가지 동작 영역(컷오프 영역, 활성 영역, 포화 영역)에 대해 실습하였습니다. 컷오프 영역에서는 베이스-에미터 전압이 낮아 콜렉터 전류가 흐르지 않으며, 활성 영역에서는 베이스 전류에 비례하여 콜렉터 전류가 흐르는 것을 확인하였습니다. 포화 영역에서는 베이스-에미터 전압이 높아져 콜렉터 전류가 더 이상 증가하지 않는 것을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터의 정전류원 회로 활성 영역에서 트랜지스터의 콜렉터 전류는 베이스 전류에만 비례하므로, 베이스-에미터 전압을 ...2025.01.04
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<일반물리학 실험2> 옴의법칙 결과보고서2025.01.221. 옴의 법칙 실험 결과에 따르면 V=I x R 의 관계가 성립하여 전압, 전류, 저항 간의 비례 관계가 확인되었습니다. 51Ω과 100Ω 저항을 사용한 실험에서 선형 분석을 통해 구한 저항값과 디지털 멀티미터로 측정한 저항값을 비교했을 때, 디지털 멀티미터로 측정한 값이 더 정확한 것으로 나타났습니다. 이는 직류 전원 공급장치의 출력 변동이 저항 측정에 영향을 미쳤기 때문으로 보입니다. 또한 디지털 멀티미터가 작은 변화를 더 정확하게 감지할 수 있다는 점도 확인되었습니다. 2. 회로 구성 이번 실험에서는 회로도를 보고 직접 회로...2025.01.22
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET은 전자전기공학에서 중요한 소자로, 증폭 기능과 스위치 기능을 가지고 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 전기적 특성을 실험적으로 이해하고자 하였다. 실험 결과, source는 ground, Vds=5V로 고정하고 Vgs를 증가시키면서 drain current Id를 측정하였다. Vgs가 2.2V일 때 약 1mA의 전류가 측정되어 이를 threshold voltage Vth로 확인하였다. 측정값들을 Id-Vgs 특성곡선으로 나타내었고, Vgs가 증가함에 따라 Id도 증가하는 것을 확인하여...2025.04.30
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_15 회로해석(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 망로전류법 회로 내의 각 망로전류를 KVL을 이용하여 구하는 방법. 각 저항에 걸리는 전압을 단자 전류가 아닌 망로전류로 표시해야 한다. 2. 마디 전압법 회로 내의 각 마디 전압을 KCL을 이용하여 구하는 방법. 각 저항에 흐르는 전류를 단자전압이 아니라 마디 전압으로 표시해야 한다. 3. 브리지 회로 실험에서 사용된 브리지 회로에 대해 망 전류법과 마디 전압법을 적용하여 루프 방정식과 절점 방정식을 세우고 해를 구하는 과정을 설명하고 있다. 4. LTspice 시뮬레이션 실험 회로를 LTspice로 시뮬레이션하여 망 전류법...2025.05.13
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화학공학실험 반도체 및 도체의 전류-전압 특성 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전류-전압 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 순방향 전압을 가해주었을 때 각각 1.1V, 1.3V에서 전류가 급격하게 증가하는 것을 확인하여 다이오드의 문턱전압을 알아낼 수 있었다. 또한 제너 다이오드의 역방향 바이어스에서 항복전압이 -0.8V로 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 2. 옴의 법칙과 저항의 전류-전압 특성 두 번째 실험은 저항...2025.05.10
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OP-AMP를 이용한 복합 증폭 실험 결과 보고서2025.01.051. 가산 증폭 회로 가산 증폭 회로는 반전 증폭 회로의 한 종류로, 입력단자를 하나 더 추가한 회로입니다. 이 회로에서 출력전압 Vo는 입력전압 V1, V2, V3의 합에 비례하여 증가합니다. 실험을 통해 가산 증폭 회로의 동작을 확인하고, 이론값과 측정값의 오차율을 계산하였습니다. 2. OP-AMP 특성 및 활용 이번 실험에서는 OP-AMP의 다양한 증폭 기능을 확인하였습니다. 741 모델과 158 모델의 차이점을 비교하였고, 반전 증폭과 비반전 증폭 파형을 측정하였습니다. 실험 결과 OP-AMP의 특성을 잘 이해할 수 있었고,...2025.01.05
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건국대학교 전기전자기초실험2 서미스터 결과레포트2025.01.291. 서미스터 LED 회로 실험 1에서는 서미스터와 LED로 구성된 회로를 구성하고, 출력 전압 Vout을 측정하였습니다. 측정된 전압 값을 바탕으로 서미스터의 온도를 추정하였습니다. 오차가 큰 이유는 전압 분배 회로의 분모 값이 소수점으로 차이가 나기 때문입니다. 2. 서미스터 온도 검출 회로 실험 2에서는 연산증폭기 LM358, 서미스터, LED 2개로 구성된 온도 검출 회로를 구성하였습니다. 서미스터의 온도에 따라 RED LED와 BLUE LED가 켜지는 것을 확인하였고, 오실로스코프로 Vout의 파형을 관찰하였습니다. 측정된...2025.01.29
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회로이론및실험1 7장 중첩의 원리 A+ 예비보고서2025.01.131. 중첩의 원리 선형 시스템은 중첩의 원리를 따른다. 중첩의 원리는 선형 시스템이 하나 이상의 독립 전원에 의해 여기되거나 구동될 때마다 전체 응답은 개별 응답의 합이라는 것을 말한다. 개별 응답은 하나만 활동하는 독립 전원의 응답이다. 선형 회로 소자를 상호 연결하여 만든 회로를 다루기 때문에 그들이 하나 이상의 독립 에너지원에 의해 구동될 때 그런 회로의 해석에 대해 직접적으로 중첩의 원리를 적용할 수 있다. 2. 노드 전압 방법 노드 전압 방법을 사용하여 회로를 분석하였다. 왼쪽 essential node부터 각각 Va, V...2025.01.13
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옴의 법칙 보고서2025.01.231. 옴의 법칙 이번 실험에서는 옴의 법칙을 실험적으로 확인하였다. 33Ω과 100Ω의 저항을 사용하여 전압과 전류를 측정하고, 옴의 법칙을 이용하여 저항값을 계산한 결과, 실제 저항값과 매우 근접한 값이 측정되었다. 이를 통해 저항이 전압에 관계없이 일정한 저항값을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 한편, 다이오드의 경우 전압-전류 특성이 옴의 법칙을 만족하지 않는 비선형 특성을 보였다. 다이오드에 음의 전압이 가해지면 전류가 흐르지 않는 정류 작용을 관찰할 수 있었다. 또한 발광 다이오드의 경우 문턱 전압 이상에서 전류가 흐르며 ...2025.01.23
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전기전자공학실험-BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스2025.04.301. 쌍극성 트랜지스터(BJT) 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 차단, 포화, 선형 세 가지 모드에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에 의해서 트랜지스터의 동작점이 유일하게 결정된다. 차단 모드에서 트랜지스터는 거의 개방 스위치로 동작하며 이미터에서 컬렉터로 작은 양의 역방향 전류만이 존재한다. 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터로 최대 전류가 흐르며, 단란 스위치와 유사하게 동작한다. 흐르는 전류량은 트랜지스터에 연결된 외부 회로에 의해서 제한된다. 이들 두 동작 모드가 디지털 회로에 사용된다. 최...2025.04.30
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