총 325개
-
회로이론및실험1 8장 Thevenin/Norton 등가회로 A+ 예비보고서2025.01.131. Thevenin 등가 회로 Thevenin 등가 회로는 전원들과 저항들의 상호 연결을 대체하는 독립 전압원과 직렬 연결된 저항이다. 이 등가는 부하 저항의 모든 가능한 값에 대해 유지된다. 2. Norton 등가 회로 Norton 등가 회로는 Thevenin 등가 회로와 유사하게 회로를 단순화하는 기법이다. 이를 통해 회로 해석에 도움을 줄 수 있다. 3. 회로 분석 실험 1에서는 단자 전압 Vac를 구하고, 단락 전류 isc를 계산하여 Thevenin 등가 회로의 파라미터인 VTh와 RTh를 도출하였다. 실험 2에서는 부하 ...2025.01.13
-
전기및디지털회로실험 실험10 결과보고서2025.01.131. 브릿지 회로 브릿지 회로를 이용하여 미지의 저항값을 측정하는 실험을 수행했다. 가변저항을 조절하여 평형상태에 도달하도록 하고, 이때의 가변저항값을 이용해 미지의 저항값을 계산했다. 예상값과 실제 측정값 간에 오차가 크지 않았다. 2. Y-Δ 회로변환 Y-Δ 회로변환을 이용하여 회로의 합성저항을 구하는 실험을 수행했다. 그러나 실제 측정한 합성저항 값이 예상값과 크게 차이가 났는데, 이는 잘못된 결선이나 측정 지점 선택의 문제로 추정된다. 3. 중첩의 원리 중첩의 원리를 이용하여 두 독립전원이 각각 단독으로 있을 때의 각 저항의...2025.01.13
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
-
[A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,회로이론응용및실험,Thevenin의 정리2025.01.151. Thevenin의 정리 Thevenin의 정리는 DC 전원들과 저항들로 구성된 임의의 회로를 직렬 연결한 한 개의 저항과 한 개의 전원으로 대체할 수 있다. 이를 통해 혼잡한 선형 회로도를 단순화시킨 등가 회로로 대신 가능하게 만들어 회로 해석을 사용자가 편리하게 다가갈 수 있도록 해주는 유용한 정리이다. Thevenin 등가 회로를 이용하기 위해서는 등가 저항과 등가 전압을 알아야 하며, 등가 저항은 전원으로부터 공급받고 있는 전류의 저항을 제거한 회로 상태에서 내부에 있는 독립 전원들의 값을 0으로 하고 부하에 걸리는 저항...2025.01.15
-
전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 2 정류회로)2025.01.291. 반파 정류 회로 반파 정류 회로는 입력 교류 신호의 양의 반주기만을 이용하여 직류 성분을 출력으로 변환한다. 입력 전압 V_s의 양의 반주기 동안 다이오드 D_1이 forward biased되어 전류가 흐르고, 출력 전압 V_o가 생성된다. 반면 V_s가 음의 반주기일 때 다이오드는 reverse biased 상태가 되어 전류가 흐르지 않고 출력은 0이 된다. 2. 피크 정류 회로 피크 정류 회로는 입력 신호의 피크 값을 저장해 출력한다. 입력 전압 V_s의 양의 반주기 동안 다이오드 D_1이 forward biased되어 커...2025.01.29
-
교류및전자회로실험 실험10-1_트랜지스터 증폭회로1 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 증폭회로 실험을 통해 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높였다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해할 수 있었다. 2. 동작점 분석 실험 결과를 통해 트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정할 수 있었다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차가 크지 않아 동작점 설정이 잘 이루어졌음을 ...2025.01.20
-
공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
-
기초전자실험_9장_BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스_결과레포트2025.04.301. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로는 하나의 전원을 사용하여 바이어스 전압을 얻고 전류를 공급하는 회로입니다. 동작점의 전류와 전압 값들이 전원 전압과 부하 저항에 직접적인 영향을 받아 안정도가 좋지 않습니다. 안정성을 높이기 위해 부하 저항 값을 줄이게 되는데, 이 경우 전압 이득이 감소하게 되어 주로 스위치 회로에 사용됩니다. 2. 전압분배기 바이어스 회로 전압분배기 바이어스 회로는 두 개의 저항으로 전원 전압을 분배하는 바이어스 회로입니다. 비교적 구조가 복잡하지만 전압 이득 때문에 증폭기에 가장 폭넓게 사용되는 회로...2025.04.30
-
전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하기 위해 각 단자들의 전압을 측정하고 분석하였다. VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDS<VGS-Vth인 경우에는 트라이오드, VGS<Vth이여서 전류가 흐르지 않을 때는 차단 영...2025.01.15
-
예비보고서6 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서에서는 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고 분석하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 회로 파라미터 계산, 증폭기 이득 분석, 바이어스 전압 및 전류 설계, 비선형 왜곡 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭기 회로 중 하나입니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합니다. 설계 시 고려...2025.05.14
4 / 33
