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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 3 정전압 회로와 리미터)2025.01.291. PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로 PN 접합 다이오드를 직렬로 연결하여 일정한 전압을 출력하는 전압 레귤레이터 회로. 다이오드의 내부 저항과 저항 R의 비율에 따라 라인 레귤레이션 특성이 결정되며, 부하 레귤레이션 성능도 다이오드의 내부 저항에 따라 달라진다. 2. 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로로, 제너 다이오드가 역방향으로 동작하여 일정한 제너 전압에서 전압을 유지한다. 제너 다이오드는 높은 전압에서도 안정적인 전압 레귤레이션이 가능하며, 부품의 수를...2025.01.29
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[전자회로실험] Diode 실험 보고서2025.01.221. 다이오드 다이오드는 이상적인 정류기(ideal rectifier)로써 인가전압의 극성에 따라 0의 저항 혹은 무한대의 저항을 갖는 반도체 소자이다. 즉, 한 방향으로만 전류가 흐르게 제어하여 전자회로를 구성하는 핵심 소자 중 하나이다. 다이오드가 이러한 특성을 갖게 되는 반도체 수준의 원리를 알아보고, 이 특성을 이용하여 여러 방법으로 회로를 구성하여 다이오드가 전류를 정류하는 매커니즘을 익힌다. 더 나아가 회로 구성에서 다이오드의 필요성과 중요성, 다양한 응용 방법을 다룬다. 2. 반도체 이론 실리콘 원자는 전자구조를 가지고...2025.01.22
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정전압 회로와 리미터 실험 결과 보고서2025.01.021. 전압 레귤레이터 회로 PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로는 출력 전압이 높을 때 다이오드의 여러 단을 직렬로 연결해야 하므로, 소자의 개수가 많아지는 문제가 생깁니다. 반면 제너다이오드를 이용한 전압 레귤레이터의 경우 제너다이오드가 켜졌을 때 양단 사이의 전압 강하가 상대적으로 PN접합에 비해 크기 때문에 소자의 개수를 줄일 수 있습니다. 2. 전압 레귤레이터의 특성 전압 레귤레이터의 라인 레귤레이션 특성을 개선하려면 저항값을 높이거나 다이오드의 개수를 줄여야 합니다. 부하 레귤레이션 특성을 개선하려면 내부 저항...2025.01.02
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다이오드 특성 실험 예비보고서2025.11.171. PN 접합 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합시킨 다이오드의 구조와 동작 원리를 설명합니다. 접합면에서 자유전자와 정공의 확산으로 인해 공핍층이 형성되며, 이는 양이온과 음이온으로 이루어진 전하 공백 영역입니다. 순방향 바이어스 시 N형에 음극, P형에 양극을 연결하여 전류가 흐르게 하고, 역방향 바이어스 시 극성을 반대로 연결하여 공핍층을 확대시킵니다. 역방향에서도 소수캐리어에 의한 미소 전류가 흐르게 됩니다. 2. 다이오드 특성곡선 및 문턱전압 실리콘(Si) 다이오드의 문턱전압은 약 0.65V이고 게르마늄(Ge) 다이오드는...2025.11.17
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접합 다이오드의 특성 실험 결과보고서2025.11.181. 접합 다이오드(Junction Diode) PN 접합에 존재하는 전위 장벽에 의해 문턱 전압이 발생합니다. Si 다이오드는 0.7V, Ge 다이오드는 0.3V부터 전류값이 급격히 올라갑니다. 다이오드는 순방향 바이어스 시 전류가 흐르고 역방향 바이어스 시 전류가 흐르지 않는 특성을 가집니다. 벌크 저항은 P와 N 영역의 저항의 합이며 이론적 범위는 1~25Ω입니다. 2. I-V 특성 곡선(Current-Voltage Characteristic Curve) 다이오드의 I-V 특성 곡선은 순방향과 역방향 바이어스에서 전류와 전압의...2025.11.18
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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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정전압 회로와 리미터2025.01.021. 전압 레귤레이터 전압 레귤레이터는 교류 전압을 직류 전압으로 전환하기 위해 사용했던 정류회로의 리플이 매우 크며 입력 전압이나 부하 저항에 따라 출력되는 전압이 크게 요동친다는 단점을 보완하기 위해 필요한 장치입니다. 또한 다양한 전압을 필요로 하는 전자기기 내에서, 정해진 전압을 일정하게 출력하기 위해 필요한 장치이기도 합니다. 전압 레귤레이터는 라인 레귤레이션 특성과 부하 레귤레이션 특성을 만족해야 합니다. PN 접합 다이오드와 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터의 동작 원리와 입력 전압 및 부하 전류 변화에 따른 출력...2025.01.02
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중앙대 교양 반도체 이해하기 pbl 보고서2025.01.121. 반도체 산업과 건설 분야의 연관성 건설환경플랜트공학과 전공자로서 반도체 기술이 건설 분야에 어떻게 활용되는지 살펴보았습니다. 건설 중장비에 반도체가 사용되어 배터리 방전 방지 시스템을 구현하고, 건물 관리를 위한 스마트 시스템에도 반도체가 활용되는 등 반도체 기술이 건설 분야 전반에 걸쳐 중요한 역할을 하고 있습니다. 2. 페어차일드사에서 파생된 주요 반도체 기업들 인텔은 1968년 미국 캘리포니아에서 설립되어 초기에는 메모리 칩을 생산했으며, 1971년 4004 마이크로프로세서를 출시하며 개인용 컴퓨터 업계로 성장했습니다. ...2025.01.12
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] [김ㅇㅇ 교수님] 2022 HW042025.05.031. Si pn 접합 다이오드 상온에서 동작하는 실제의 Si pn 접합 다이오드에서는 접합 면에서의 도핑 분포가 완전한 계단형이 아니다. 따라서 금속학적 접합 근처에서는 전자와 정공 사이에 보상효과가 일어날 수 있다. 이러한 보상효과에 의하여 평형 상태의 공핍층 내에서의 이온화된 도펀트들의 분포가 근사적으로 선형 함수로 주어진다고 가정한다. 2. 체적 전하밀도 체적 전하밀도 Qv를 구하고 그래프로 나타낸다. 3. 전계 전계 E와 최대 전계 Emax를 구하고 그래프로 나타낸다. 4. 전위 전위 V와 내부 전위 Vi를 구하고 그래프로 ...2025.05.03
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PN다이오드 에너지밴드2025.05.081. PN 접합 PN 접합이란 반도체 내부에서의 불순물의 종류와 비율에 따라 P형과 N형으로 나뉘게 되는데, 이들을 접합시킨 것이 PN 접합이다. PN 접합은 PN 다이오드로써 쓰이게 되는데, 그 이유는 PN 접합 상태에서 외부 전압 V를 인가하게 되면 한쪽에서는 전류가 잘 흐르지만 다른 쪽에서는 전류가 잘 흐르지 못하는 정류작용이 나타나게 된다. 2. 에너지 밴드 다이어그램 PN 접합 시 에너지 밴드는 P형과 N형의 도핑 농도에 따라 페르미 레벨 EF의 위치가 달라지게 되며, 이에 따라 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하게 된다. 이 ...2025.05.08
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