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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비결과보고서2025.01.061. 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합하여 만든 2극 반도체 소자인 다이오드에 대해 설명합니다. 다이오드의 구조와 작동 원리를 설명하고 있습니다. 순방향 전압을 인가하면 N형 반도체의 전자가 P형 반도체로 이동하고, 정공이 N형 반도체로 이동하여 전류가 흐르게 됩니다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 회로 직렬 또는 병렬로 연결된 다이오드 회로를 해석하고, 회로 전압을 계산하고 측정하는 실험에 대해 설명하고 있습니다. 이를 통해 다양한 다이오드 회로의 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 다이오드 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반...2025.01.06
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BJT 1-Large Signal Analysis 1_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 구조 및 동작 원리 BJT 소자는 3개의 불순물 영역으로 구성되어 있으며, Emitter, Base, Collector로 명명된다. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터로 구분된다. Emitter-Base 접합은 순방향으로, Base-Collector 접합은 역방향으로 바이어스된다. BJT의 동작 영역은 Cut-Off, Active, Saturation 영역으로 나뉘며, 이에 따라 다른 특성을 보인다. 2. BJT의 특성 실험 실험을 통해 BJT의 IC-VCE 특성과 Beta 특성을 확인하였다. 실험 회로 1-a...2025.01.12
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다이오드의 특성 및 정류회로2025.05.161. 다이오드 다이오드는 반도체 소자의 일종으로, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드에는 게르마늄 다이오드와 실리콘 다이오드가 있으며, 이들은 P-N 접합 구조로 이루어져 있습니다. 다이오드의 양극(양극성)과 음극(음극성)은 각각 P 영역과 N 영역으로 구분됩니다. 다이오드가 순방향 바이어스 상태일 때 전류가 흐르며, 역방향 바이어스 상태일 때는 전류가 흐르지 않습니다. 2. LED LED(Light Emitting Diode)는 다이오드의 일종으로, P-N 접합 구조를 가지고 있습니다. 전류가 흐르...2025.05.16
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Semiconductor Device and Design - 32025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 게르마늄보다 밴드갭이 크고(1.12eV vs 0.66eV), 최대 동작 온도가 높아(~150°C vs ~100°C) 집적회로(IC) 제작에 더 적합합니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 산화막 형성이 쉽고 화학적으로 안정적이며, 실리콘이 더 풍부하고 가격도 10배 정도 저렴하기 때문에 실리콘이 IC 재료로 선호되게 되었습니다. 2. N Type and P Type 반도체 물질에 불순물을 첨가하면 n형과 p형 반도체가...2025.05.10
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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전기전자공학실험-발광 및 제너 다이오드2025.04.301. 발광 다이오드 발광 다이오드는 이름이 함축하는 바와 같이 충분한 에너지를 받았을 때 가시광선을 내는 다이오드이다. 순방향으로 바이어스된 p-n 접합에 있어서, 접합부에서는 정공과 전자의 재결합이 일어난다. 재결합은 구속되지 않은 자유전자가 가지고 있는 에너지가 다른 상태로 전달되는 것을 필요로 한다. GaAsP나 GaP와 같은 LED 재료에서 빛 에너지의 광자가 눈에 보이는 가시광원을 생성하기에 충분한 수로 방출된다. 이것이 소위 전계발광(electroluminescence)과정이다. 모든 LED에 대하여 밝고, 선명하고, 또...2025.04.30
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PN다이오드 에너지밴드2025.05.081. PN 접합 PN 접합이란 반도체 내부에서의 불순물의 종류와 비율에 따라 P형과 N형으로 나뉘게 되는데, 이들을 접합시킨 것이 PN 접합이다. PN 접합은 PN 다이오드로써 쓰이게 되는데, 그 이유는 PN 접합 상태에서 외부 전압 V를 인가하게 되면 한쪽에서는 전류가 잘 흐르지만 다른 쪽에서는 전류가 잘 흐르지 못하는 정류작용이 나타나게 된다. 2. 에너지 밴드 다이어그램 PN 접합 시 에너지 밴드는 P형과 N형의 도핑 농도에 따라 페르미 레벨 EF의 위치가 달라지게 되며, 이에 따라 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하게 된다. 이 ...2025.05.08
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PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 실험 예비보고서2025.01.071. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 전자 소자의 기본 구성 요소 중 하나입니다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과를 통해 PN 접합 다이오드의 동작 영역, 등가 회로 파라미터 등을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 PN 접합 다이오드의 기본적인 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향 바이어스 상태에서 일정 전압 이상이 가해지면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가진 전자 소자입니다. 이 실험에서는 제너 다이오드의 전류-전압 ...2025.01.07
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[부산대 이학전자실험] OP-AMP (3)2025.05.041. Comparator Comparator는 이름에서 알 수 있듯이 전압을 비교할 수 있는 장치이다. Op Amp의 높은 전압 이득을 이용하여 입력신호를 무한대로 가깝게 증폭해준다. Comparator는 입력되는 두 전압의 크기를 비교하여 두 입력 값 중 가장 큰 것을 결정해준다. 실험 결과 입력전압이 기준전압보다 크면 출력전압이 (+)로, 작으면 (-)로 출력되는 것을 확인할 수 있었다. 다만 회로의 내부저항으로 인해 출력전압이 공급전압보다 약간 낮게 나왔다. 2. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 하는 소자이다...2025.05.04
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