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BJT 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스 회로 실험2025.11.161. BJT 에미터 바이어스 회로 에미터 바이어스는 전기적으로 안정적이며 소자 사용이 적어 설계가 용이한 장점이 있다. 그러나 온도 변화에 따라 전류와 전압 값이 변한다는 단점이 있다. 실험에서 2N3904와 2N4401 트랜지스터를 사용하여 동작점을 측정하였으며, 에미터 전압이 증가하면 베이스 전류가 감소하여 안정성을 유지하는 특성을 확인했다. 2. BJT 콜렉터 궤환 바이어스 회로 콜렉터 궤환 바이어스는 높은 안정성으로 많은 신호를 처리할 수 있는 장점이 있다. 다만 소자가 많이 사용되어 회로가 복잡하고 비용이 높다는 단점이 있...2025.11.16
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BJT와 MOSFET을 사용한 LED 구동 스위치 회로 설계2025.11.121. BJT 스위치 회로 설계 2N3904 BJT를 사용하여 TTL 레벨(5V)의 구동신호로 LED를 제어하는 회로를 설계한다. BJT가 포화영역에서 동작하도록 VCE(sat)=0.2V, VBE(sat)=0.85V, βforced=10으로 설정하여 20mA의 LED 구동전류를 확보한다. 부하가 emitter에 연결된 경우와 inverter 출력에 연결된 경우 두 가지 구성을 비교 분석하며, 각 경우의 저항값 계산 및 소비전력을 측정한다. 2. MOSFET 스위치 회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 입력저항 100kΩ에서 ...2025.11.12
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Push-Pull Amplifier 설계 예비보고서2025.04.271. Push-Pull 증폭기 동작 이해 이 실험의 목적은 Ω Ω인 경우, Push-pull 증폭기의 동작을 이해하고 Deadzone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험하는 것입니다. 실험에 사용되는 장비와 부품은 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, DMM, NPN Transistor 2N3904, PNP Transistor 2N3906, 1kΩ 저항, 100Ω 저항, UA741cp op-amp 등입니다. 2. Classic...2025.04.27
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BJT 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스 회로2025.11.161. 에미터 바이어스 회로 에미터 바이어스 회로는 전압분배기 바이어스 회로의 변형으로, 동작점 설정과 안정도 향상을 목적으로 한다. 에미터 저항값에 β를 곱한 값이 베이스 저항값보다 크면 베이스 전압이 거의 일정하게 유지되어 에미터 전류가 트랜지스터의 영향을 적게 받는다. 에미터 전압이 상승하면 베이스 전류가 감소하여 에미터 전압이 자동으로 감소하는 음의 피드백 특성을 가진다. 고정 바이어스 회로보다 향상된 안정도를 제공하며, 베이스에서 누설되는 전류가 없다. 2. 콜렉터 궤환 바이어스 회로 콜렉터 궤환 바이어스 회로는 베이스 저항...2025.11.16
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공통 베이스 및 콜렉터 트랜지스터 증폭기2025.11.161. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력신호를 이미터 단자에 인가하고 컬렉터로 출력을 얻는 회로이다. 입력과 출력 간의 위상반전이 없으며, 입력 임피던스는 낮고 출력 임피던스는 높다. 교류 전압 이득은 RE>>re일 때 1에 가까우며, 이미터와 컬렉터 간의 전압이득은 Ic·Rc/(Ie·(re'+RE))로 계산된다. 공통베이스 회로에서 출력의 전압 부호가 바뀌며 입력 전류의 방향도 반대이므로 위상차이가 없다. 2. 공통 콜렉터 증폭기 공통 콜렉터 증폭기는 두 가지 형태로 나뉜다. 콜렉터에 저항이 있는 경우 전압이득은 Rc/...2025.11.16
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공통 에미터 트랜지스터 증폭기 실험2025.11.161. 공통 에미터 증폭기 회로 공통 에미터 증폭기는 높은 전압 이득을 제공하는 회로로, 입력 임피던스는 공통 베이스보다 크고 공통 콜렉터보다 작으며, 출력 임피던스는 공통 콜렉터보다 크고 공통 베이스보다 작다. 따라서 다른 증폭기들에 비해 중간 특성을 가지고 있으며, 일반적으로 10~100의 전압 이득을 제공한다. 2. 전압 이득 및 임피던스 계산 직류 바이어스에서 임피던스는 re = 26(mV)/IEQ(mA)로 구하고, 교류 전압 이득은 Av = -RC/(RE+re)로 계산된다. 주파수가 높을 경우 리액턴스가 0이 되어 RE=0이...2025.11.16
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전자회로설계실습 5차 예비보고서2025.05.101. BJT와 MOSFET을 이용한 구동(switch) 회로 설계 이 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에서는 BJT와 MOSFET 회로의 설계 과정과 계산, 그리고 회로 측정 방법 등을 자세히 설명하고 있습니다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531(VF = 2 V, IF = 20 m...2025.05.10
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Common Emitter Amplifier 설계 및 구현2025.11.181. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig=50Ω, RL=5kΩ, VCC=12V, β=100인 NPN BJT 2N3904를 사용하여 입력저항이 kΩ단위이고 증폭이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계한다. Early effect를 무시하고 부하저항에 최대전력이 전달되도록 RC를 결정하며, emitter 저항을 삽입하여 회로의 안정성을 향상시킨다. 설계 과정에서 gm, IC, IB, IE, VC, VE, RE, R1, R2 등의 값을 계산하고 입력저항 Rin을 구한다. 2. PS...2025.11.18
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전자회로실험 A+ 5주차 결과보고서(Bipolar Junction Transistor Characterization)2025.05.101. Bipolar Junction Transistor (BJT) BJT는 1948년 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었으며, 최초로 대량 생산된 트랜지스터입니다. BJT의 물리적 특성을 이해하는 것은 그 동작과 응용을 이해하는 데 핵심적입니다. 이 실험에서는 BJT의 4가지 동작 영역을 탐구하고 DC 전류 이득, Early 전압과 같은 특성값을 결정합니다. 실험에 사용된 트랜지스터는 NPN 소자인 2N3904입니다. 2. BJT 동작 영역 분석 실험에서는 VB와 VC를 변화시키면서 IC, β 등을 측정하여 BJT의 동작 영역을 확인했습...2025.05.10
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Emitter Follower와 Class A Amplifier 실험 보고서2025.11.161. Emitter Follower (CC 증폭기) Emitter Follower는 CC 증폭기로 불리며 이득이 1에 가깝고 출력 저항이 매우 작은 회로다. 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 특징으로 하여 부하에 충분한 전압을 전달할 수 있다. 실험에서 입력 임피던스는 매우 높지만 출력 임피던스는 27.78Ω으로 매우 작음을 확인했다. 2N3904 트랜지스터를 사용하여 DC 및 AC 특성을 측정하고 부하 저항 연결 시 출력 임피던스 변화를 관찰했다. 2. Class A Amplifier (공통 이미터 회로) Class A ...2025.11.16
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