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RC회로의 시간 응답2025.04.271. RC 회로의 충전 특성 실험을 통해 RC 회로의 충전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 충전 시간이 길어지는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 시상수 τ = RC의 관계에 따른 것으로, 저항이 증가하면 시상수가 커져 충전 시간이 길어지게 된다. 또한 실험 결과와 이론값을 비교하여 약 ±10% 내의 오차를 확인하였다. 이러한 오차는 측정 시 시간 동기화의 어려움과 커패시터의 내부 저항(ESR) 등에 의한 것으로 추정된다. 2. RC 회로의 방전 특성 실험을 통해 RC 회로의 방전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 방전...2025.04.27
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기초회로실험 1주차 예비보고서 - R, L, C 소자의 이해2025.01.041. 저항 저항은 물질의 이동을 억제하는 소자로, 값이 클수록 전자의 이동이 어렵다. 저항의 단위는 옴(Ω)이며, 저항 R은 물질의 고유저항률 ρ, 길이 L, 단면적 S에 따라 R = ρL/S로 계산할 수 있다. 2. 커패시터 커패시터는 두 개의 도체 평판 사이에 절연물(유전체)를 채우고 평판 사이에 전압을 인가하면 평판에 전하가 모이는 회로소자이다. 커패시턴스 C는 단위 전압당 모을 수 있는 전하의 양으로, C = ε0εrS/d 로 계산할 수 있다. 커패시터는 직류용과 교류용으로 구분되며, 용량과 극성 등이 다르다. 3. 인덕터 ...2025.01.04
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_20 커패시터(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에 전하가 모이게 된다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 직렬 연결된 커패시터들은 서로 전하를 채워주는(충전) 전류가 같고, 전체 커패시턴스는 줄어든다. 병...2025.05.13
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수동소자의 고주파 특성 측정 방법의 설계2025.05.021. 저항 MHz 대의 주파수 대역에서 저항값이 점점 떨어지는데 이때 기생 커패시터를 통해 흐르는 전류가 더 커지기 때문임. 2. 커패시터 커패시터가 저항과 인덕터 성분을 모두 갖고 있다는 사실에 주목하여 4MHz 이상의 주파수에서 커패시터가 아닌 인덕터로 동작하는 것을 확인. FG의 파형과 저항의 파형을 측정하며 주파수의 증가에 따라 저항의 전압이 증가하다가 4MHz 이상의 주파수에서 커패시터가 인덕터로 작동함에 따라 저항의 전압이 감소하는 것을 확인. 3. 인덕터 mH 급의 인덕터가 1MHz 부근에서 커패시터처럼 작동함을 확인....2025.05.02
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수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.151. 저항의 고주파 특성 측정 저항은 기생(parasitic)소자 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있고, 특히 저항을 통과하여야 하는 전류가 고주파에선 parasitic 커패시터에 더 잘 흐르기 때문에 주파수를 올릴 때, 저항 값은 점차 줄어들 것으로 예상된다. 즉, 주파수가 높아질 수록 저항은 커패시터의 특성을 더 많이 나타낸다는 고주파 특성을 확인할 수 있을 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터는 기생 인덕터의 영향을 가지고 있어 고주파 영역에서는 임피던스가 증가한다. 따라서 저항 전압은 주파수 증가에 따라 전압이...2025.05.15
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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서52025.01.201. 슈미트 회로의 특성 슈미트 트리거 (=5 V)의 문턱 전압을 2.5 V로 설계하는 방법을 설명합니다. 문턱 전압 계산 공식을 이용하여 저항비를 1:1로 조정하면 원하는 문턱 전압을 얻을 수 있습니다. 실제 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 통해 2.42 V 부근에서 문턱 전압이 나타나는 것을 확인할 수 있습니다. 2. 슈미트 회로의 출력 주파수 계산 슈미트 회로의 출력 주파수 계산 공식을 도출합니다. 실습 이론에 나오는 식(8-3)과 식(8-5)를 연립하여 주파수 공식 f=1/2πRC를 도출할 수 있습니다. 3. 전압제어 발진기...2025.01.20
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.04.291. 저항의 고주파 특성 측정 저항의 고주파 특성을 측정하기 위한 회로는 Digital MultiMeter를 저항의 양단에 연결하여 저항의 값을 측정하고, Function Generator에서 정현파를 입력한 후 주파수를 증가시키며 저항의 값의 변화를 측정한다. 주파수를 증가시키다 보면 저항의 값이 감소하는 주파수를 측정할 수 있다. 이는 실제 저항이 구조상 원치 않는 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있기 때문에 기생 커패시터에 흐르는 전류가 증가하여 저항의 값이 감소하는 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터의 고주파...2025.04.29
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전기회로설계실습 12장 예비보고서2025.01.201. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실험의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하고 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것입니다. 실험에 필요한 기본 장비와 부품들이 제시되어 있으며, 실험 계획서에는 다음과 같은 내용이 포함되어 있습니다: 1. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로 설계 2. R=10 kΩ, C=0.1 μF가 직렬로 연결된 회로의 주파수 응답 분석 3. R=10 kΩ, C=0.1 μF 직렬 회로에서 커패시터가 인덕터로 작동하는...2025.01.20
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A+받은 에미터 공통 증폭기회로(common emiter) 예비레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기회로의 동작을 이해하였습니다. 베이스 전류에 따른 콜렉터 전류의 변화를 측정하여 전류이득을 결정하였고, 소신호 증폭기로 사용하여 전압이득을 측정하였습니다. 또한 에미터 바이패스 커패시터가 증폭기 이득에 미치는 영향을 분석하였으며, 입력/출력 임피던스, 전력이득, 위상 변화 등을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터 증폭기 회로 트랜지스터의 세 가지 연결 방식(에미터 공통, 베이스 공통, 콜렉터 공통)에 대해 살펴보았습니다. 에미터 공통 증폭기는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류...2025.05.10
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전기전자공학개론 ) 회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자.2025.01.141. 저항 저항은 전기 회로의 기본적인 구성 요소 중 하나로, 그 기능과 중요성은 전기와 전자 분야에서 광범위하게 쓰이고 있다. 이 소자의 주된 역할은 회로 내에서 전류의 흐름을 제한하고, 이 과정에서 전력을 소비하는 것이다. 전기 저항의 작동 원리는 옴의 법칙에 의해 설명될 수 있으며, 이 법칙은 전류(I), 전압(V), 저항(R) 사이의 관계를 정의한다. 저항은 또한 회로 내에서 필요 이상의 전류가 흐르는 것을 방지함으로써, 과도한 전류로 인해 발생할 수 있는 손상으로부터 회로를 보호하는 데 중요한 역할을 한다. 2. 인덕터 인...2025.01.14
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