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아주대학교 기초전기실험 A+ 결과보고서 Ch. 12 (DC)2025.05.031. 전자공학도의 윤리 강령 (IEEE Code of Ethics) 전자공학도로서 전자공학이 전 세계 인류의 삶에 끼치는 심대한 영향을 인식하여 우리의 직업, 동료와 사회에 대한 의무를 다하고 최고의 윤리적, 전문적 행위를 수행할 것을 다짐하는 내용입니다. 공중의 안전, 건강, 복리에 대한 책임, 이해 상충 배제, 정직성, 뇌물 수수 금지, 기술의 영향력 이해, 자기계발 및 책무성, 솔직한 비평, 차별 금지, 도덕성, 동료애 등 10가지 항목으로 구성되어 있습니다. 2. 테브난의 정리 테브난의 정리에 따르면 복잡한 회로를 테브난의 ...2025.05.03
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경북대학교 기초전기전자실험 OP-AMP 실험보고서 [기계공학부]2025.05.091. OP-AMP (연산 증폭기) 연산 증폭기(OP-AMP, Operational Amplifier)는 두 개의 차동 입력과, 대개 한 개의 단일 출력을 가지는 직류 연결형(DC-coupled) 고이득 전압 증폭기이다. 하나의 연산 증폭기는 그 입력단자 간의 전위차보다 대개 백배에서 수천배 큰 출력 전압을 생성한다. 연산증폭기는 다양한 종류의 전자 회로에서 중요한 구성 요소(building block)이다. 2. 반전 증폭기 반전 증폭기는 입력된 신호에 대해 정해진 증폭도로 신호가 반전되어 출력되는 증폭기이다. 음전압은 양전압으로,...2025.05.09
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건국대학교 전기전자기초실험2 연산증폭기3 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 영전위 검출 회로 그림 1-1의 영전위 검출 회로에서 (-) 반주기 전압이 출력되려면 회로를 수정하여 +5V에 연결된 50k옴 저항을 -5V에 연결하거나, +와 -단자를 반대로 연결하면 된다. 2. 윈도우 비교기 회로 그림 2의 윈도우 비교기 회로에서 입력 전압이 -0.1~0.1V일 때 출력 전압이 High가 되도록 하려면 위쪽 비교기와 아래쪽 비교기에 모두 전압분배로 0.1V가 걸리도록 저항을 바꿔주면 된다. 또는 저항을 49k, 1k옴으로 설정하여 비교기에 걸리는 전압을 조절할 수 있다. 3. 슈미트 트리거 회로 그림 3의...2025.01.29
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건국대학교 전기전자기초실험2 연산증폭기1 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 능동 저역 통과 필터 모의실험 1에서는 그림 1-1의 능동 저역 통과 필터 회로를 LTspice로 구현하고, 입력 전압과 출력 전압의 관계를 주파수에 따라 분석하였습니다. 실험 1에서는 실제 회로를 구성하여 동일한 분석을 수행하였습니다. 모의실험과 실험 결과를 비교하면 차단 주파수 근처에서는 유사한 결과를 보이지만, 차단 주파수에서 멀어질수록 오차가 증가하는 것을 확인할 수 있습니다. 이는 측정 시 발생하는 노이즈와 소자 연결의 오차, 유효숫자 등의 영향으로 판단됩니다. 2. 능동 고역 통과 필터 모의실험 2에서는 그림 2-1...2025.01.29
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험4_결과보고서_클리핑,클램핑회로,제너다이오드,제너정전압조정기2025.05.101. 클리핑 회로 클리핑 회로는 입력 신호의 일부를 제거하여 출력 신호의 진폭을 제한하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 클리핑 회로를 구현하고, 입력 신호의 크기에 따라 출력 신호가 어떻게 변화하는지 확인하였습니다. 모의실험과 실험 결과를 비교하여 클리핑 회로의 동작을 이해할 수 있었습니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 신호의 중앙값을 이동시켜 출력 신호의 레벨을 조정하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 정 클램핑 회로와 부 클램핑 회로를 구현하고, 입력 신호와 출력 신호의 평균값을 측정하여 클램...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험5_결과보고서_3배전압곱셉기,MC34063A승압강압회로2025.05.101. 3배 전압 곱셉기 세배 전압 곱셈기에서 첫 번째 정반파가 인가될 때(파랑), C3커패시터에 Vm 만큼 충전이 된다. 그 다음 부 반파가 인가될 때(보라)는 인가전압 Vm과 C3 커패시터에 충전되어있던 Vm이 합쳐져 2Vm의 전압이 C4를 거치며 2Vm만큼 전압을 충전하게 된다. 그리고 두 번째 주기의 정 반파가 인가될 때(빨강), C4 의 2Vm과 인가전압 Vm의 합 3Vm이 C3커패시터에서 –Vm만큼 전압강하가 되어 C5 커패시터에는 2Vm이 충전되게 된다. 따라서 A노드와 B노드의 전위 차를 비교하게 되면 3Vm이 나타남을...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)2025.05.101. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 V-I 특성곡선을 통해 장벽전위와 항복전압을 확인하였다. 측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 0.8V로 넘어갈 때부터 전류증가량이 선형으로 증가함을 확인했다. 0.01V단위로 측정해본결과 약 0.66V가 좀 더 정확한 장벽전위임을 확인했다. 오차의 원인으로는 전류계의 내부저항, 온도 차이 등이 있었다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류를 측정하였다. PSpice를 이용한 모의실험 결...2025.05.10
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기초전기실험_테브난정리2025.05.041. 키르히호프의 법칙 실험을 통해 키르히호프의 전류법칙(KCL)과 키르히호프의 전압법칙(KVL)을 배웠습니다. KCL은 하나의 노드로 들어가는 전류와 나가는 전류의 합은 0이라는 것이고, KVL은 폐회로에서 한 방향으로 회전하면서 취한 전압강하의 대수적 합은 0이라는 것입니다. 이론계산과 실험결과를 비교하여 두 결과가 일치하는 것을 확인하였습니다. 1. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 전기 회로 이해의 기본이 되는 중요한 개념입니다. 이 법칙은 전류와 전압의 관계를 설명하여 전기 회로 분석에 필수적인 도구가 됩니다. 첫째, ...2025.05.04
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6주차 예비 보고서 4장 테브냉 및 노튼의 정리 (2)2025.05.011. 테브냉의 정리 테브냉의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에서 회로 내의 임의의 두 단자 A, B를 선택하고 이 단자에 대하여 외부에서 보았을 때 등가적으로 하나의 전압원 V_TH와 직렬로 연결된 하나의 저항 R_TH로 대치할 수 있다는 것이다. 여기서 등가전압 V_TH는 주어진 회로망의 단자 A, B를 개방했을 때의 단자 A, B에 나타나는 전압과 같고, 등가저항 R_TH는 주어진 회로망의 모든 전원을 제거하고 단자 A, B에서 회로망 쪽으로 본 저항과 같다. 2. 노튼의 정리 노튼의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에...2025.05.01
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기초 전기전자 실험 결과보고서2025.01.121. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지를 통해 브리지의 원리를 이해하고 저항 측정법을 익혔습니다. 회로가 평형 상태일 때 a-b 단자 사이의 전류가 흐르지 않으며, 불평형 상태일 때 전류가 흐르는 것을 확인했습니다. 테브낭 등가회로를 이용해 a-b 사이의 전류를 계산하여 실험 결과와 일치함을 확인했습니다. 2. 오실로스코프 사용법 오실로스코프의 기본 구조와 동작 원리를 이해하고, 정현파와 구형파의 주기, 주파수, 진폭 등을 측정하는 방법을 익혔습니다. 또한 리사주 파형을 이용해 두 신호 간의 위상차를 계산하는 방법을 배웠습니다. 오실...2025.01.12
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