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전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하 회로 구현2025.01.291. 전류원 전류원은 회로에 일정한 전류를 공급하는 역할을 한다. MOSFET 기반 전류원은 일반적으로 포화 영역에서 작동하며, 입력 전압의 변화와 관계없이 일정한 전류를 유지할 수 있다. 전류원 회로에서는 기준 저항 R_REF를 통해 기준 전류를 설정하고, 이 값이 MOSFET을 통해 고정된 전류로 공급된다. 2. 전류 거울 전류 거울은 하나의 기준 전류를 복사하여 다른 부분에 동일한 전류를 전달하는 역할을 한다. 전류 거울은 주로 두 개의 MOSFET으로 구성되며, 첫 번째 MOSFET에 흐르는 기준 전류 I_REF를 두 번째 ...2025.01.29
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[A+] 다이오드1 보고서2025.05.151. 다이오드 이번 실험을 통해 다이오드는 5가 원소를 넣어 만든 N형 반도체와 3가 원소를 넣어 만든 P형 반도체를 붙여 한 쪽으로만 전기가 흐르게 하는 회로 소자라는 것을 알았습니다. 다이오드는 역방향일 때 전류가 흐르지 않고 순방향일 때 전류가 흐르지 않다가 전압이 한 지점을 넘어서면 전류가 흐르는 것을 알았으며 이것은 다이오드의 종류에 따라 문턱전압이 다르기 때문이라는 것도 알 수 있게 되었습니다. 2. 반도체의 전기적 특성 반도체는 절연체와 도체 사이 중간 정도의 전기저항을 갖습니다. 순수한 반도체의 전기전도도는 매우 낮지...2025.05.15
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AMOLED Bottom Emission OLED report (A0)2025.05.121. AMOLED 소자 및 공정실험 AMOLED 소자 제작을 위한 실험으로, Spin coater를 이용한 고분자 기반 OLED 제작 및 특성 관찰을 목표로 하였다. 실험에서는 ITO 표면 처리, 저분자 물질과 고분자 물질의 비교, Spin coater를 이용한 박막 형성 등의 내용을 다루었다. 2. Surface Treatment Work Function ITO의 Work Function을 낮추기 위해 UV 처리를 하였다. UV 처리를 하지 않으면 화학결합이 많아져 전자를 떼어내기 어려워지지만, UV 처리를 하면 약한 화학결합이 ...2025.05.12
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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Four-point probe resistivity measurement 예비보고서2025.05.051. 저항 전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 물리량을 저항이라고 하며 전압과 전류의 비로 표현할 수 있다. 또한 전도도의 역수를 비저항이라고 하고 얇은 막의 저항을 나타내는 물리량을 표면저항이라고 한다. 2. 비저항 비저항은 물질의 고유한 값으로, 전자와 양공이 모두 전기전도에 참여하는 물질의 경우 전자 밀도, 양공 밀도, 전자 이동도, 양공 이동도 등으로 표현할 수 있다. 도체와 반도체의 온도에 따른 비저항 변화를 확인할 수 있다. 3. 표면저항 얇은 막의 저항을 나타내는 물리량으로 단위는 ohm/sq이며, 4-point p...2025.05.05
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건국대 물및실2 RLC 병렬회로 A+ 예비 레포트2025.01.211. RLC 병렬회로 RLC 병렬 회로의 개념을 이해하고, 주파수를 가변하여 회로의 특성에 따른 공진주파수를 확인하는 실험의 목적을 설명합니다. 임피던스의 직렬 연결과 병렬 연결에 대한 원리를 설명하고, RLC 병렬 회로에서 각 소자에 흐르는 전류와 임피던스에 대해 설명합니다. 1. RLC 병렬회로 RLC 병렬회로는 저항(R), 인덕터(L), 캐패시터(C)가 병렬로 연결된 전기 회로입니다. 이 회로는 다양한 응용 분야에서 사용되며, 특히 전자 필터, 전원 공급 장치, 무선 통신 시스템 등에서 중요한 역할을 합니다. RLC 병렬회로의...2025.01.21
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비저항 & 휘트스톤브릿지 - 일반물리실험II A+레포트2025.01.291. 비저항 측정 실험 실험 1에서는 다양한 종류의 철사를 이용해 전압과 전류를 측정하여 저항값을 구하고, 비저항을 구하기 위해 그래프를 그렸다. 실험 결과 분석에 따르면 철사의 길이가 길어질수록 저항값이 커지는 것을 확인할 수 있었지만, 측정 장치의 문제로 인해 오차율이 크게 나타났다. 이를 해결하기 위해서는 새로운 측정 장치를 사용하여 추가 실험을 진행해야 할 것으로 보인다. 2. 휘트스톤 브리지 실험 실험 2에서는 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지의 저항값을 측정하였다. 실험 결과 분석에 따르면 R2/R1의 비율을 높게 잡을수록...2025.01.29
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MOSFET, MOSCAP 측정 실험 Report2025.01.121. MOSFET MOSFET은 전압 제어용 소자로 Gate, Source, Drain의 3 단자로 구성되어 있습니다. Gate에 인가되는 전압으로 Source와 Drain의 전류 흐름을 제어할 수 있으며, 제작 방식에 따라 증가형 MOSFET과 공핍형 MOSFET으로 구분할 수 있습니다. 본 실험에서는 Keithley 4200-SCS를 이용하여 MOSFET의 I-V 특성을 분석하였고, On-off ratio, Threshold Voltage, Subthreshold swing, Mobility, DIBL 현상 등을 확인하였습니다....2025.01.12
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[A+] 중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 결과보고서 7. 논리함수와 게이트2025.04.291. 논리함수와 논리게이트 논리함수란 논리 변수와 논리 출력값이 대응하는 사상 관계의 하나이며, 논리게이트란 불리안(Boolean) 함수를 구현하는 장치를 말한다. 논리게이트는 하나 또는 그 이상의 이진입력에 대해 논리 연산을 수행하고 결과를 단일 이진 출력으로 나타내게 한다. 이처럼 논리함수와 논리게이트는 회로 설계에 사용되는 중요한 개념이다. 2. AND, OR, NOT 게이트를 이용한 NAND, NOR, XOR 게이트 설계 첫 번째로, AND, OR, NOT 게이트를 사용하여 NAND, NOR, XOR 게이트를 설계해보았다. ...2025.04.29
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전자기적특성평가_히스테리시스 결과보고서2025.01.091. 히스테리시스 히스테리시스는 어떤 물리량이 현재의 물리 조건에만 의존하지 않고 과거의 이력에 따라 상태가 변하는 현상이다. 이 현상은 강자성체의 자기이력현상과 탄성체의 탄성이력현상에서 잘 나타난다. 자기이력곡선은 가해 준 자기장에 대한 자화도를 그린 것으로 자기이력 현상이 강할수록 폐곡선 내부의 면적이 커지고 자기이력 현상이 없는 물체에 대해서는 하나의 곡선으로 나타난다. 2. 자화 물체가 자성을 지니는 현상이다. 자기장 안의 물체가 자화되는 양상에 따라 강자성체, 상자성체, 반자성체, 페리자성체로 나뉜다. 자화의 세기는 일반적...2025.01.09
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