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전자공학실험 14장 MOSFET 다단 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였습니다. 실험회로 1에서는 공통 소스 증폭기로 구성된 2단 증폭기 회로를 구현하였고, 실험회로 2에서는 공통 소스 증폭기 2단과 소스 팔로워로 구성된 3단 증폭기 회로를 구현하였습니다. 각 회로에서 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하고, 소신호 파라미터를 구하여 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 또한 실험을 통해 측정한 전압 이득을 분석하여 최소 전압 이득 요구사항을 만족하는지 확인하였습니다. 1. MOSFET...2025.01.15
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공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
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교류및전자회로실험 실험10-1_트랜지스터 증폭회로1 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 증폭회로 실험을 통해 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높였다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해할 수 있었다. 2. 동작점 분석 실험 결과를 통해 트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정할 수 있었다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차가 크지 않아 동작점 설정이 잘 이루어졌음을 ...2025.01.20
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교류및전자회로실험 실험10-1 트랜지스터 증폭회로1 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 증폭회로 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높인다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해하도록 한다. 2. 트랜지스터 바이어스 트랜지스터의 Q-point를 load line의 중앙에 위치시키기 위해 사용되는 bias는 여러 종류가 있으며, 가장 보편적인 방법은 voltage divider bias이다. 이를 통해 트랜지스터를...2025.01.17
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A+ 정보통신실험 3주차 예비보고서 - 푸스풀 전력 증폭 회로2025.01.061. 전력 증폭기 전력 증폭기는 스피커를 통해 소리로 변환시키기 위한 전기에너지를 증폭하는 회로입니다. 전력 증폭기의 주요 특징은 부하에 요구되는 전력을 공급하고, 진폭이 큰 신호를 증폭하며, 선형성이 중요하다는 것입니다. 전력 증폭기는 소신호 증폭기와 다른 바이어스 방법을 적용합니다. 2. 증폭기 분류 증폭기는 트랜지스터의 동작점(바이어스 전압전류)에 따라 A급, B급, AB급, C급으로 분류됩니다. A급 증폭기는 선형성이 높지만 효율이 낮고, B급 증폭기는 효율이 높지만 왜곡이 심합니다. AB급 증폭기는 A급과 B급의 중간 특성...2025.01.06
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전자공학응용실험 ch20 차동증폭기 기초실험 예비레포트2025.05.051. 차동 증폭기 기초 실험 차동 증폭 회로는 출력이 단일한 단일 증폭 회로에 비하여 노이즈와 간섭에 의한 영향이 적고, 바이패스 및 커플링 커패시터를 사용하지 않고도 증폭 회로를 바이어싱 하거나 다단 증폭기의 각 단을 용이하게 커플링 할 수 있으므로, 집적회로의 제작 공정이 좀 더 용이하여 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. ...2025.05.05
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 6 공통 이미터 증폭기)2025.01.291. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 소신호 등가회로 NPN형 BJT의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 동작을 소신호 영역에서 분석하기 위해 사용되는 회로다. 이 회로에서는 BJT의 작동을 저항과 전류원으로 나타내어,...2025.01.29
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실험 12_소오스 팔로워 예비 보고서2025.04.271. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 입력 신호가 게이트에 인가되고 출력 신호가 소오스에서 감지되는 공통 드레인 증폭기이다. 출력 신호가 입력 신호를 따라가기 때문에 '소오스 팔로워'라고 불린다. 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작아 작은 부하를 구동하는데 유리하고 전압 버퍼로 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워 회로의 동작 원리와 특성을 확인하였다. 2. 소오스 팔로워의 전압 이득 소오스 팔로워의 전압 이득은 1에 가까운 값을 가진다. 저항 부하와 전류원 부하가 있는 경우 각각 식 (12.1)과 (12.2)와 같이...2025.04.27
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[전자공학응용실험]3주차_1차실험_실험11 공통 소오스 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기의 동작 원리와 특성을 설명하고 있습니다. 입력 전압에 따른 MOSFET의 동작 영역(차단, 포화, 트라이오드)과 각 영역에서의 드레인 전류 및 출력 전압 특성을 수식으로 표현하고 있습니다. 또한 MOSFET의 소신호 등가회로를 이용하여 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하는 방법을 설명하고 있습니다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET을 선형적인 증폭기로 동작시키기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호 전압을 동시에 인가하는 방법을 설명하고 있습니다. 이를 통해 MOSFET의 소신호 ...2025.01.29
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실험 06_공통 이미터 증폭기 예비 보고서2025.04.271. BJT 소신호 등가회로 BJT의 소신호 등가회로에 대해 설명하고, 트랜스컨덕턴스 g_m과 등가 이미터 저항 r_e가 컬렉터 전류와 어떤 관계가 있는지 유도하였습니다. 소신호 등가회로를 사용하면 선형적 소자가 되어 회로 분석과 설계가 쉬워집니다. 2. 공통 이미터 증폭기 특성 분석 공통 이미터 증폭기의 동작 원리와 입력-출력 전달 특성 곡선을 설명하였습니다. 차단, 능동, 포화 영역에서의 동작을 분석하고, 소신호 등가회로를 이용하여 입력 저항, 전압 이득 등을 구하는 방법을 제시하였습니다. 3. 공통 이미터 증폭기 실험 회로 및...2025.04.27
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