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[A+, 에리카] 회로이론응용및실험레포트 12. Active Filter2025.05.151. Active High-Pass Filter Active high-pass 필터의 전달함수는 수식 1과 같이 나타낸다. 이 회로는 주파수가 작아지면 전달함수의 크기가 작아지고 주파수의 크기가 커지면 전달함수의 크기는 1로 접근한다. 따라서 이 회로는 낮은 주파수의 신호는 통과시키지 않고 높은 주파수의 신호만 통과시킨다. 2. Active Band-Pass Filter Active band-pass 필터는 low-pass 필터와 high-pass 필터를 직렬로 연결하여 만들 수 있다. 이 회로의 전달함수는 수식 3과 같이 나타내며...2025.05.15
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RTA 온도변화에 따른 CZTSSe 태양전지의 성능 평가2025.01.031. CZTSSe 태양전지 CZTSSe 태양전지는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S), 셀레늄(Se)으로 구성된 직접 천이형 밴드갭 에너지를 가지며 높은 광 흡수계수를 가지고 있다. CZTSSe 태양전지는 두 가지 결정 구조인 Kesterite와 Stannite 구조를 가지며, Kesterite 구조가 열역학적으로 더 안정하다. CZTSSe 태양전지의 성능은 효율, 충진율, 단락전류, 개방전압, 직렬저항, 병렬저항 등으로 평가할 수 있다. 2. Sputtering Sputtering은 물리기상증착(PVD) 방법 중 ...2025.01.03
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Color-Tunable Light-Emitting Polymers via the Controlled Oxidation of MEH-PPV2025.05.101. MEH-PPV 산화 이번 실험에서는 MEH-PPV를 m-CPBA를 이용해 산화시키면서 변화하는 광학적 특성을 관찰했다. m-CPBA는 MEH-PPV main chain의 conjugated c-c bond를 끊고 엑폭사이드로 대체시켜 MEH-PPV의 conjugation length가 짧아지고 band gap이 커지며 blue shift하게만든다. 때문에 이번 실험에서는 산화 시간, 산화제의 종류, 산화제의 농도를 달리하면서 나타나는 차이를 관찰하였다. 잘못된 결과를 제외하고 산화시간이 길어질수록, 효율적인 용매를 사용할 때 ...2025.05.10
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LED와 LD의 비교 분석2025.05.111. LED 방출 빛의 파장 LED에서 방출되는 빛의 파장은 bandgap energy와 연관된다. 630nm LED와 같이 전류가 증가함에 따라 peak 파장이 증가하는 경우는 LED 구동 시 발생하는 열(self-heating)에 의해 발생한다. self-heating이 생기면 입자의 진동이 증가하여 conduction band와 valence band의 에너지 차인 E가 줄어든다. 이에 의해 conduction band의 전자와 valence band의 정공의 재결합에 의한 광자의 에너지가 줄어들고 파장이 증가한다. 2. 55...2025.05.11
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CH3NH3PbI3 Perovskite Nano Quantum Dots 실험보고서2025.05.061. Perovskite 구조 Perovskite 구조는 A: 무기 양이온, B: 금속 양이온, C: 할로겐 음이온으로 이루어진 화학식 ABX3를 따르는 결정 구조를 가진 물질이다. 이상적인 구조는 음이온 팔면체에 둘러싸인 6중배위의 B양이온과, 12중 육팔면체 배위의 A 양이온을 갖는다. 여기서 전이금속 양이온은 전자 전도성을 가지게 한다. 다양한 양이온이 이 구조에 들어갈 수 있어서 다양한 재료 공학 물질로의 개발이 가능하다. 2. Quantum Dots Quantum Dots은 10nm 미만 크기의 반도체 결정체 입자를 말한다...2025.05.06
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체]2022 HW022025.05.031. 반도체 도핑 이 문제에서는 GaAs와 Si 반도체에 도핑된 불순물 농도와 도너, 억셉터 농도, 캐리어 농도 등을 계산하는 문제들이 다루어졌습니다. 도핑된 불순물 농도와 캐리어 농도 간의 관계, 그리고 이를 통해 반도체의 전기적 특성을 분석하는 방법이 설명되어 있습니다. 2. 반도체 페르미 준위 문제 3에서는 반도체 물질(Si, Ge, GaAs)의 페르미 준위가 정확히 밴드갭 중심에 있을 때, 특정 에너지 준위에서 전자가 점유될 확률과 빈 상태가 될 확률을 계산하는 문제가 다루어졌습니다. 이를 통해 반도체 물질의 전자 분포 특성...2025.05.03
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[실험설계] UV VIS 흡수도, 투과도, Haze 측정2025.01.241. Analysis of Eg, Transmittance and Haze for Carbazole and mCP by UV-Vis 이 프레젠테이션에서는 UV-VIS 흡수도, 투과도, Haze 측정을 통해 Carbazole과 mCP의 특성을 분석하였습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다. 1) Carbazole과 mCP의 흡수 스펙트럼을 측정하여 최대 흡수 파장 영역이 260nm~350nm 범위의 자외선 영역임을 확인하였습니다. 2) 시료 농도 증가에 따른 흡광도 증가를 관찰하였으며, mCP의 몰흡광계수가 Carbazole보다 더 큰...2025.01.24
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LED(PN Diode) 측정 및 분석 실습 Report2025.01.121. PN junction diode (LED) LED는 전자가 많아 음의 성격을 띤 n형 반도체와 전자의 반대 개념인 정공이 많아 양의 성격을 띤 p형 반도체의 이종접합 구조를 가진다. Forward bias를 가하면 전류가 흘러 발광을 하며, 에너지 준위차인 Band gap에 따라 빛의 색상이 정해진다. LED의 I-V 특성에서는 Forward bias 시 Threshold Voltage 이하에서 전류가 거의 흐르지 않다가 Vth 이상이 되면 전류가 급격히 증가하며, Reverse bias 시 Breakdown voltage까지...2025.01.12
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화학실험기법2_Exp. 3. Color-Tunable Light-Emitting Polymers via the Controlled Oxidation of MEH-PPV2025.01.221. MEH-PPV MEH-PPV는 π-conjugated polymer로 OLED, 태양광전지 등 다양한 분야에 사용되는 대표적인 물질입니다. MEH-PPV는 이중결합과 단일결합이 반복되는 backbone 사슬을 가지며, 파이 결합에 존재하는 비편재화된 전자로 인해 다른 고분자에 비해 band gap energy가 낮고 반도체와 유사한 전기 전도성을 가집니다. 또한 가시광 영역대의 빛을 흡수, 발광하는 특징을 보입니다. 2. m-CPBA m-CPBA는 peroxycarboxylic acid로 유기 합성에서 산화제로 널리 사용됩니다...2025.01.22
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CdSe 양자점 합성2025.01.131. 양자점 양자점은 양자 현상을 입증하는 훌륭한 자원이다. 양자점을 합성하는 두 가지 새로운 방법이 제시되어 있다. 비교적 낮은 반응 온도에서 진행되는 이러한 반응은 안전하고 학부생 실험실에서 쉽게 수행할 수 있다. 양자점은 밝은 발광, 넓은 들뜸 프로파일, QD의 좁은 방출 스펙트럼 등 눈에 띄는 광학적 특성을 보이는 반도체 나노결정체이다. 이 나노구조들은 영상촬영용 광학 프로브와 같은 응용 프로그램, 대상 태양 전지를 위한 라벨링, 온도 갑지, 감작기와 같이 매우 다양한 방법으로 조사되어 왔다. 2. CdSe 양자점 합성 이 ...2025.01.13
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