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photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
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홀효과 실험보고서2025.01.131. 홀 효과 홀 효과는 전류와 자기장에 의해 전도체 물질에 나타나는 현상이다. 전류가 흐르는 전기 전도체에 수직하게 자기장이 걸릴 때, 전류와 자기장의 방향에 수직하게 걸리는 전압을 홀전압이라 한다. 홀 효과는 전하 운반자 밀도나 자기장을 측정하는데 유용하다. 양자 홀 효과는 2차원 표면에서 매우 낮은 온도와 강한 자기장 하에서 홀 전도도가 양자화되는 현상을 말한다. 2. UV-Vis 분광법 자외선과 가시광선을 이용하는 흡수 분광법은 화학종의 정량 및 정성분석에 널리 이용된다. 원자나 분자가 빛에너지를 받으면 전자들이 전이를 일으...2025.01.13
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전기전자공학의 활용 사례2025.01.171. 무선통신 기술 전자기파 주파수 영역 중에서 3kHz에서 300GHz 사이에 존재하는 전파는 맥스웰에 의해 그 성질이 처음으로 알려졌다. 시간에 따라 변화하는 전자기장에 의해 에너지가 공간으로 퍼져나가게 되는 특성으로 인해 만들어지는 두 가지 장점으로 인해 무선통신 기술에서 전파가 적극적으로 활용되게 되었다. 첫 번째 장점은 전파가 특별한 매질이 필요하지 않기에 편리하게 전달이 가능하다는 점이고, 두 번째 장점은 전파의 속도는 빛의 속도이기 때문에 무언가를 전달하는 데에 있어서 가장 빠르게 활용할 수 있는 요소라는 점이다. 무선...2025.01.17
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전자공학 ) 1. 광도전 효과, 황화 카드뮴, 광기전 효과, 루미네선스에 대한 설명2025.01.281. 광도전 효과(Photo-Conductivity Effect) 광도전 효과(Photo-Conductivity Effect)는 특정 물질, 특히 반도체에서 빛을 흡수했을 때 전기 전도도가 증가하는 현상이다. 빛을 받으면 물질 내부의 전자들이 에너지를 흡수하여 원래 속박된 상태에서 자유 전자로 전이하게 된다. 이 자유 전자들이 전기장을 통해 이동함으로써 전기 전도성이 증가한다. 이는 빛의 강도에 따라 물질의 전기적 성질이 변하는 것을 의미하며, 주로 광센서나 광전 소자에서 사용된다. 2. 황화 카드뮴(CdS) 황화 카드뮴(CdS)은...2025.01.28
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Photolithography 결과보고서2025.05.051. Photolithography 이번 실험은 Photolithography을 통해 baking, Alignment, Exposure와 같은 개념을 알아보고 반도체 8대 공정을 이해하는 실험이었습니다. 실험을 하는 과정에서 기판을 세척하여 이물질을 제거해주는 것이 실험 결과에 지대한 영향을 미친다는 것을 확인할 수 있었으며, 스핀코터의 Rpm조건에 따라 기판에 새겨지는 마크의 차이점을 이해할 수 있었습니다. 이번 실험을 통해 PR에 빛을 비추어 패턴을 형성하는 과정인 Exposure(노광)에도 여러 가지 종류가 있다는 것을 학습할...2025.05.05
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양자점 합성 및 분광 특성 분석2025.01.281. 양자점 양자점은 지름이 2-10nm에 불과한 반도체 입자로 특이한 전기적*광학적 성질을 지닌 입자이다. 양자점의 크기와 모양은 반응 시간과 조건에 따라 제어 가능하다. 양자구속 효과로 인해 양자점(공간)의 크기가 작아질수록 전자의 에너지 상태가 높아지고 넓은 띠 에너지를 갖게 된다. 따라서 양자점의 크기가 커질수록 긴 파장을 갖는 가시광선을 방출하는 적색 편이(red shift)가 된다. 2. 엑시톤 엑시톤이란 반도체 또는 절연체 속에서 electron과 electron hole이 정전기적 쿨롱힘에 의해 서로 결합된 중성입자이...2025.01.28
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서2025.05.051. P형 반도체 P형 반도체는 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 정공 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이다. P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. 2. N형 반도체 N형 반도체는 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 자유전자 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이...2025.05.05
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전자및에너지재료공학 기말 보고서2025.05.101. High-K 절연체 High-K 물질은 유전율이 높은 물질로, 소자 미세화에 따른 누설 전류 문제를 해결하기 위해 사용됩니다. High-K 물질은 산화막의 물리적 두께를 충분히 확보하면서도 높은 유전율을 가져 누설 전류를 감소시킬 수 있습니다. 대표적인 High-K 물질로는 하프늄 다이옥사이드(HfO2)와 지르코늄 다이옥사이드(ZrO2)가 있으며, DRAM 커패시터 유전막으로 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) 구조가 사용되고 있습니다. 2. High-K 물질의 특성 High-K 물질은 유전율이 높고 열적으로 안정적이어야 하...2025.05.10
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P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서2025.05.021. 금속 산화물 반도체 실험에서는 금속 산화물 반도체 중 하나인 SnO2 나노선을 VLS 방법으로 성장시켰다. SnO2는 가스 센서용 금속 산화물 중 상업적으로 가장 많이 사용되는데, 다른 물질에 비해 소결이 잘되지 않아 고온에서도 입계 성장이 거의 일어나지 않아 수명이 길고 신뢰성이 높다. 2. SnO2 나노선의 가스 센서 특성 실험에서는 n-type SnO2 나노선의 산화성 가스 NO2에 대한 가스 센서 특성을 측정하였다. 이후 센서 특성 향상을 위해 p-type TeO2 나노선을 추가로 공정하여 실험을 진행하였다. 3. P-...2025.05.02
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반도체물성_건국대_chp5_문제풀이2025.05.101. 반도체 물성 이 자료는 반도체 물성에 대한 문제 풀이를 다루고 있습니다. 반도체 물질의 전자 구조, 에너지 밴드, 도핑, 캐리어 농도 등 반도체의 기본적인 물리적 특성에 대해 설명하고 있습니다. 이를 통해 반도체 소자의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 반도체 물성 반도체 물성은 반도체 소자의 작동 원리와 성능을 결정하는 핵심적인 요소입니다. 반도체 물성은 전자와 정공의 거동, 에너지 밴드 구조, 불순물 도핑, 결정 구조 등 다양한 물리적 특성을 포함합니다. 이러한 물성은 반도체 소자의 전기적, 광학적, 열적 특성...2025.05.10
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