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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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건국대 물및실2 옴의 법칙 A+ 예비 레포트2025.01.211. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙입니다. 전압(V)과 전류(I)는 비례하고, 저항(R)에 반비례합니다. 이 실험에서는 직렬 및 병렬 회로에서 옴의 법칙을 확인하고 등가저항을 측정하여 이론적 결과와 비교합니다. 2. 전류와 전압 전류는 전하의 흐름으로, 단면을 통해 단위 시간당 흐르는 전하의 양을 나타냅니다. 전압은 일정한 전기장에서 단위 전하를 한 지점에서 다른 지점으로 이동하는데 필요한 일을 의미합니다. 3. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 전류 법칙은 회로의 한 분기점을 지나는 전류의 총...2025.01.21
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중첩의 원리 & 테브낭 노튼 정리 예비보고서2025.01.121. 중첩의 원리 중첩의 원리는 선형미분방정식으로 표현되는 모든 물리계에 대하여 성립하며, 특히 전기회로망에 대해서는 '다수의 전원을 포함하는 선형회로망에 있어서 임의의 점에 전류 및 전압은 개개의 전원이 독단적으로 작용할 때에 그 점의 전류 및 전압을 합한 것과 같다'라고 할 수 있다. 이를 실험적으로 증명하고, 전압원과 전류원을 이해하며 중첩의 원리에 대한 응용력을 키운다. 2. 테브낭 정리 테브낭의 정리는 어떠한 구조를 갖는 회로망도 그 임의의 두 단자 A-B 외측에 대해서 하나의 전원전압과 하나의 임피던스가 직렬연결된 것으로...2025.01.12
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전기회로실험 A+ 9주차 결과보고서(중첩정리)2025.05.071. 중첩의 정리 중첩의 정리는 2개 이상의 전압원을 갖는 선형회로에 적용할 때 가장 유용하다. 선형회로에서 소자에 걸리는 전압, 전류를 구하기 위해서는 하나의 전압원을 제외한 나머지 모든 전압원은 내부 저항으로 대체한 후 (이상적인 전압원의 경우에는 단락회로로 대체한다), 회로에 남아있는 하나의 전압원에 의한 영향을 결정한다. 회로 내의 각각의 전원에 대해 이 과정을 반복한다. 모든 전원에 의한 실제 전류와 전압은 각 전원에 대해 구해진 전류와 전압의 대수적 합이 된다. 2. 테브닌 정리 테브닌 정리는 임의의 선형 2단자 회로망은...2025.05.07
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 11장 연습문제 풀이2025.01.021. 연산증폭기의 응용회로 1. 그림 11-22에서 연산증폭기의 반전(-) 입력전압은 ±Vd 차동전압을 무시할 수 있으므로 연산증폭기의 비반전(+) 입력전압 또한 ±Vd이다. 따라서 출력전압 Vo는 ±Vd ± Vref이다. 2. 이 비교기는 히스테리시스와 제너제한을 가지며, 양단 전압은 항상 ±Vref이다. 3. 연산증폭기의 반전(-) 입력전압은 ±Vd 차동전압을 무시할 수 있으므로 연산증폭기의 비반전(+) 입력전압 또한 ±Vd이다. 4. 시정수 RC에 따른 출력 파형의 변화율을 설명하고 있다. 5. 그림 11-25에서 R1, R2...2025.01.02
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_12 테브낭 정리(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 테브낭 정리 테브낭 정리는 임의의 선형회로를 내부 전압원과 내부 저항으로 구성된 등가회로로 변환할 수 있는 방법을 제공합니다. 이를 통해 회로의 특성을 간단하게 분석할 수 있습니다. 이 실험에서는 테브낭 등가회로를 구하고 부하저항의 효과를 비교하여 테브낭 정리의 유용성을 확인합니다. 2. 등가회로 변환 임의의 선형회로를 테브낭 등가회로로 변환하는 과정은 다음과 같습니다. 첫째, 구하려는 단자에서 부하저항을 제거하고 개방 단자 전압을 측정합니다. 둘째, 전원 등을 내부저항으로 대체하고 개방 단자에서 바라본 저항값을 계산합니다. ...2025.05.13
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델타와이 변환 및 회로해석 결과보고서2025.01.121. 델타-와이 변환 이번 실험은 복잡한 회로, 델타 형 회로를 와이 형 회로로 변환해보고 두 값의 오차를 살펴보는 실험입니다. 실험에서는 주어진 저항값보다 10배 높은 값들을 이용하였고, 가변저항기 대신 델타 형 회로에 해당하는 값들을 직접 계산해 고정저항기를 사용하였습니다. 실험 결과, 델타 형 회로를 와이 형 회로로 변환해도 오차가 6% 정도로 크지 않아 두 회로를 등가회로라 볼 수 있습니다. 신호 회로망에 대한 델타-와이 변환은 효과적인 방법 중 하나이며, 복잡한 델타 형 회로가 제시된다면 와이 형 회로로 변환해 합성저항과 ...2025.01.12
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A+ 받을 수 있는 중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 4. Thevenin 등가회로 설계2025.05.151. 테브난 등가이론 테브난 등가이론은 복잡한 회로를 한 개의 전압원과 저항으로 나타내어 바깥에 어떤 새로운 저항을 가져와도 쉽게 흐르는 전류와 걸리는 전압을 바로 측정할 수 있도록 한다. 따라서 테브난 등가회로가 실험적으로 맞는지에 대한 이해를 위하여 이번 실험은 중요하다. 2. 원본 회로 측정 그림 1과 같이 회로를 구성하고 RL에 걸리는 전압을 측정하였다. 이를 통해 RL을 통해 흐르는 전류를 계산하였다. 전압, 전류를 기록하였고, 3.1에서 계산한 값과의 오차를 확인하였다. 오차의 이유는 브레드보드의 자체저항, DMM의 저항...2025.05.15
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6주차 예비 보고서 4장 테브냉 및 노튼의 정리 (2)2025.05.011. 테브냉의 정리 테브냉의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에서 회로 내의 임의의 두 단자 A, B를 선택하고 이 단자에 대하여 외부에서 보았을 때 등가적으로 하나의 전압원 V_TH와 직렬로 연결된 하나의 저항 R_TH로 대치할 수 있다는 것이다. 여기서 등가전압 V_TH는 주어진 회로망의 단자 A, B를 개방했을 때의 단자 A, B에 나타나는 전압과 같고, 등가저항 R_TH는 주어진 회로망의 모든 전원을 제거하고 단자 A, B에서 회로망 쪽으로 본 저항과 같다. 2. 노튼의 정리 노튼의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에...2025.05.01
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테브난의 등가회로 실험2024.12.311. 테브난의 정리 테브난의 정리는 복잡한 회로를 단순화하여 나타낼 수 있는 방법입니다. 회로의 임의의 두 지점을 지정하여 분석하면 전체 회로를 하나의 등가전원과 직렬로 연결된 임피던스로 표현할 수 있습니다. 이를 통해 회로의 물리적 특성을 이해하는 데 도움이 됩니다. 2. 테브난 등가회로 테브난 등가회로는 테브난의 정리를 적용하여 회로를 단순화한 형태입니다. 회로의 구조를 알고 있는 경우 계산을 통해 등가회로를 구할 수 있으며, 회로 구조를 모르는 경우 실험적 측정을 통해 등가회로를 구할 수 있습니다. 등가회로를 통해 회로의 특성...2024.12.31
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