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공통 이미터 증폭기 및 주파수 특성 실험 결과보고서2025.11.181. 공통 이미터 증폭기 (Common Emitter Amplifier) 공통 이미터 증폭기는 BJT 트랜지스터를 이용한 기본 증폭 회로로, 입력 신호는 베이스-에미터 접합으로 주입되고 출력은 콜렉터-에미터 접합에서 취합니다. 이 회로는 입력과 출력 신호 사이에 180도의 위상 차이를 가지며, 직류 바이어스 회로를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정합니다. 실험에서는 전압 분배 바이어스 방식을 사용하여 각 단자의 전압과 전류를 측정하고, 베타값과 임피던스를 계산하여 회로의 특성을 분석했습니다. 2. 전압이득 및 임피던스 특성 전압이득은...2025.11.18
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RC 및 RL 직렬회로 특성 실험2025.11.111. RC 직렬회로 RC 직렬회로는 저항 R1과 커패시터 C1이 직렬연결되고 교류전원이 인가된 회로입니다. 커패시터에서는 전류의 위상이 전압보다 90도 앞서고, 저항에서는 전류와 전압의 위상이 같습니다. 직렬회로이므로 같은 전류가 흐르며, 위상차는 전압으로 나타납니다. 저항에 걸리는 전압이 커패시터에 걸리는 전압보다 90도 앞섭니다. 임피던스 Z는 저항과 리액턴스를 포함한 회로 전체 저항을 나타내며, Z = √(R² + Xc²) 형태로 표현됩니다. 2. RL 직렬회로 RL 직렬회로는 저항 R1과 인덕터 L1이 직렬연결되고 교류전원이...2025.11.11
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 트랜지스터 증폭 회로 종류 양극성 트랜지스터 증폭 회로는 고전압 신호와 전류를 증폭할 때 사용되며, 공통 증폭 회로는 이미터, 베이스, 컬렉터 중 하나가 공통으로 연결된다. 스위치 증폭 회로는 트랜지스터를 스위치로 사용하여 디지털 신호를 증폭한다. 2. 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로의 바이어스 방법 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로에서는 베이스-이미터 접합에 양의 전압(VBE)을 가하고, 바이어스 전압을 조절하여 베이스 전류를 원하는 값으로 설정한다. 그 후 컬렉터 전압을 VBE보다 크게 설정하고, 저항을 이용하여 트랜...2025.01.29
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전원의 출력저항과 DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.11.141. 건전지의 내부저항 측정 6V 건전지의 내부저항을 측정하는 실험으로, 부하저항과 내부저항의 관계식 V=VO×RL/(Rin+RL)을 이용하여 측정했다. 실제 측정 결과 건전지의 정격전압은 6V이지만 10Ω 저항에 걸린 전압은 4.369V로 측정되었고, 이를 통해 계산한 내부저항은 약 4.739Ω이다. 이는 실제 회로에서 작은 저항을 사용할 때 내부저항을 고려해야 함을 보여준다. 2. DC Power Supply의 정전압/정전류 특성 DC Power Supply의 출력특성을 실험으로 확인했다. 출력을 1V, 최대전류 10mA로 설정...2025.11.14
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실험 17_능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 결과보고서2025.04.281. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 실험 16에서 수행한 '정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)가 있는 공통 수오스 증폭기(common source amplifier) 회로'를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 하였다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 전압 이득 측정 실험 절차 3번에서는 전압 이득이 최소 10V/V 이상 나오는지 보기 위해 입력에 ...2025.04.28
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기초전자실험 결과레포트 - 공통 베이스 및 이미터 폴로어 (공통 컬렉터) 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 베이스 트랜지스터 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 응용에 사용되며, 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가지고 전압 이득을 크게 할 수 있다. 전압 이득은 RC/re로 주어진다. 입력 임피던스는 re, 출력 임피던스는 RC이다. 이 증폭기는 입력과 출력의 위상이 같다. 2. 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기는 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스가 낮다. 전압 이득은 1보다 낮지만 전류 이득과 전력 이득은 높다. 입력 신호와 출력 신호의 위상이 같아 위상 반전...2025.04.30
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전자공학응용실험 7주차 5차 실험 공통 소오스 증폭기 결과 레포트2025.01.291. 다단 증폭기의 입력단과 출력단 조건 다단 증폭기의 입력단에서는 입력 임피던스가 커야 입력 전압이 많이 걸려 신호가 다음 단으로 잘 넘어간다. 출력단에서는 출력 임피던스가 부하 저항보다 매우 작아야 부하에 전압이 많이 걸리면서 출력 전압이 커지게 된다. 2. 다단 증폭기의 전압 이득 감소 이유 각 단의 출력 전압은 다음 증폭기에 연결될 때 다음 단의 저항에 의해 전압 분배가 일어나게 되어 최종 단의 전압 이득이 각 단마다 전압 분배가 된만큼 감소하여 나타나게 된다. 3. 실험 회로 변경 이유 처음 50kΩ 저항으로 진행하였을 때...2025.01.29
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MOSFET 소신호증폭기 특성 실험 결과 분석2025.11.181. MOSFET 공통소스 증폭기 N MOSFET의 공통소스 증폭기 동작을 확인하는 실험으로, 드레인 단에서 소신호 전압 이득을 측정했다. MOSFET은 포화 영역에서 동작할 때 증폭기로 사용되며, 입력 소신호에 의한 미소한 게이트-소스 전압 변화가 포화 영역의 가파른 기울기로 인해 출력 소신호에 더 큰 진폭을 생성한다. 실험 결과 입력 소신호 대비 약 3배의 진폭을 갖는 반대 위상의 정현파 출력을 확인했으며, 전압 이득은 2.55~3.25 V/V로 측정되었다. 2. MOSFET 포화 영역 동작 특성 MOSFET이 증폭기로 동작하기...2025.11.18
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다이오드 직렬 및 병렬연결 실험결과2025.11.161. 다이오드 순방향 특성 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 순방향 특성을 비교 분석한 결과, Si 다이오드는 약 0.7V의 순방향 전압강하를 가지며 Ge 다이오드는 약 0.3V의 순방향 전압강하를 갖는다. 직렬 연결 시 다이오드의 위치가 반대로 바뀌면 VD(V)과 VO(V)의 값도 반대로 나타나며, VD의 변화에 따라 ID값도 달라진다. 0.7V 이상의 전압이 인가될 때 전류가 높은 곳이 Si 다이오드이고 낮은 곳이 Ge 다이오드이다. 2. 다이오드 직렬 및 병렬 연결 회로 다이오드를 직렬로 연결하면 각 다이오드의 순방향 전압강하가...2025.11.16
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아주대학교 기초전기실험 A+ 결과보고서 Ch. 15 (AC)2025.05.031. 고역통과 R-C 필터 이 실험은 커패시터와 저항을 직렬로 연결하여 고역통과 필터를 구성하고, 고주파 전압이 들어올 때만 높은 전압이 출력되도록 하는 실험입니다. 커패시터의 특성상 DC 전압이 들어오면 충전 후 개방 상태가 되고, 전압이 낮을 때는 커패시터가 유사하게 높은 전압을 가지므로 저항에 낮은 전압만 인가됩니다. 따라서 전압이 높을 때만 커패시터에 낮은 전압이 인가되고 저항에 높은 전압이 인가됩니다. 2. 차단주파수 계산 실험에서 계산된 차단주파수 f_c는 1607.63Hz이며, 그래프에서 확인한 값은 1.7kHz, 위상...2025.05.03
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