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Semiconductor Device and Design - 22025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 밴드갭이 1.12eV로 게르마늄의 0.66eV보다 크고 최대 작동 온도가 150°C로 게르마늄의 100°C보다 높습니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 제조가 용이하고 가격이 10배 정도 저렴하여 집적회로(IC)의 주요 재료로 선택되었습니다. 2. Etching process principle and characteristic 습식 식각은 화학 용액을 사용하는 방식이고, 건식 식각은 플라즈마 가스를 사용하는 방식입니...2025.05.10
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성인간호학 사례보고서 CASESTUDY (응급실 실습) 2도 열탕화상 (채액부족의 위험, 감염의 위험, 피부통합성장애, 비효과적 체온조절의 위험, 비효과적 말초조직관류의 위험)2025.01.191. 화상의 깊이 화상의 깊이는 표재성, 부분층, 전층, 심부 전층 화상으로 분류한다. 부분층 화상(partial-thickness burn)은 표피 전체와 다양한 범위의 진피 손상이 포함된다. 진피의 손상정도에 따라 표재성 부분층 화상(superficial partial-thickness burn)과 심부 부분층 화상(deep partial-thickness burn)으로 나눈다. 부분층 화상은 신경말단의 손상과 노출로 통증이 있지만 상피세포가 파괴되지 않아 치유가 가능하다. 2. 화상의 종류 열탕화상 scalding burn은 ...2025.01.19
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치매 노인 복지 문제와 해결 방안2025.04.251. 치매의 정의 치매는 뇌의 신경세포가 대부분 손상되어 기억, 판단 및 사회생활 전반에 걸쳐 장애가 생기는 대표적인 신경 정신계 질환으로, 일단 정상적으로 성숙한 뇌가 후천적인 외상이나 질병 등 외인에 의해서 기질적으로 손상되어 지능, 학습, 언어 등의 인지기능과 고등정신기능이 감퇴하는 복합적인 임상증후군을 일괄하여 지칭하는 것이다. 2. 치매 발병의 원인 치매는 특정한 진단이 아니고 기억장애와 인지기능장애를 동반하는 임상 증후군이며, 수십 종의 다양한 원인에 의해서 발생한다. 원인 미상이 48%, 알코올성 치매가 10%, 혈관성...2025.04.25
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