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전기회로설계실습 12장 결과보고서2025.01.201. 수동소자의 고주파 특성 측정 이번 실험은 RC 직렬, RL 직렬 회로를 설계하여, 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하고 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것이 목적이다. 실험 결과, 약 4MHz 부근에서 커패시터가 인덕터로 작동하는 것을 확인했으며, 약 50kHz 부터 인덕터가 커패시터로 작동하는 것을 알 수 있었다. 전체적으로 수동소자들의 고주파 특성을 잘 확인할 수 있었다. 1. 수동소자의 고주파 특성 측정 수동소자의 고주파 특성 측정은 전자 회로 설계 및 분석에 매우 중...2025.01.20
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전자회로설계실습 4번 예비보고서2025.01.201. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET의 문턱전압(VT), 전류계수(kn), 전압이득(gm) 등의 파라미터를 데이터시트와 시뮬레이션을 통해 구하고 비교하는 것입니다. 또한 MOSFET 회로를 구성하고 시뮬레이션을 수행하여 입출력 특성을 분석하는 내용도 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Se...2025.01.20
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수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RC 회로의 주파수 응답 측정 RC 회로에서 입력 신호의 크기를 일정하게 유지하고 주파수를 점차 증가시키면서 출력 신호의 크기를 측정하였다. 그 결과 약 4MHz 부근에서 커패시터가 인덕터의 특성을 보이기 시작하는 것을 확인하였다. 실험 결과와 이론값을 비교하여 고주파 영역에서 실제 소자의 기생 성분으로 인해 이론값과 다른 특성을 보임을 알 수 있었다. 2. RL 회로의 주파수 응답 측정 RL 회로에서도 입력 신호의 크기를 일정하게 유지하고 주파수를 점차 증가시키면서 출력 신호의 크기를 측정하였다. 그 결과 약 25kHz~10...2025.04.25
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수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 예비보고서2025.04.251. 수동소자의 고주파 특성 측정 이 보고서는 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 직렬 RC, RL 회로에서 주파수를 증가시키면서 입력 전압 대비 저항 전압과 위상차를 측정하여 고주파 특성을 분석하는 방법을 설명하고 있습니다. 또한 기생 인덕터의 영향으로 커패시터가 인덕터 특성을 보이는 주파수를 계산하고, 이를 확인하기 위한 측정 방법을 제시하고 있습니다. 마지막으로 RC, RL 직렬 회로의 주파수 응답 특성과 위상차 변화를 그래프로 나타내고 있습니다. 1. 수동소자의 고주파...2025.04.25
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MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서2025.04.271. MOSFET 소자 특성 측정 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 금속 트랜지스터인 MOSFET을 사용하여 소자 특성을 측정할 수 있게 설계하고 제작하였다. 그 특성값을 이론값과 비교한 결과 4%이하의 오차로 잘 일치하는 것을 확인하였다. 2. MOSFET 회로 제작 및 측정 그림 1의 회로를 제작하여 Vgs를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 Vds를 인가하는 Port의 전류를 측정하였다. 측정한 전류가 130mA 이상이 되면 측정을 중지하였다. 3. MOSFET의 Id-Vds 특성곡...2025.04.27
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다이오드 정류기 예비 보고서2025.04.271. 전력 변환 회로 전력 변환 회로의 종류에는 정류기(AC → DC), 컨버터(DC→DC), 인버터(DC→AC), 사이클로 인버터(AC→AC) 등이 있다. 전력 변화의 핵심은 스위치의 활용으로, 스위치를 언제(when) 및 어떻게(how) on/off 하는지에 따라 다양한 전력 변환이 가능하다. 2. 스위치 소자 전력전자공학에서 사용되는 스위치 소자는 전류가 흐를 수 있는 경로를 연결/차단(on/off)하는 역할을 한다. 이상적인 스위치는 on 시 무한한 크기의 양방향 전류 도통을 허용하고 전류가 흐를 때 손실이 없으며, off ...2025.04.27
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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전기회로설계실습 결과보고서122025.05.151. RC 회로 RC 회로의 주파수 응답을 측정하고 이론값과 비교하였다. 6MHz 이상의 고주파 영역에서 커패시터가 인덕터처럼 동작하는 것을 확인하였다. 전달함수의 크기와 위상차 그래프에서 이론값과 실험값의 차이가 크게 나타났다. 2. RL 회로 RL 회로의 주파수 응답을 측정하고 이론값과 비교하였다. 140kHz 이상의 고주파 영역에서 인덕터가 커패시터처럼 동작하는 것을 확인하였다. 전달함수의 크기와 위상차 그래프에서 이론값과 실험값의 차이가 크게 나타났다. 3. 고주파 영역 수동소자 동작 고주파 영역에서 수동소자인 저항, 커패시...2025.05.15
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기초회로실험 1주차 예비보고서 - R, L, C 소자의 이해2025.01.041. 저항 저항은 물질의 이동을 억제하는 소자로, 값이 클수록 전자의 이동이 어렵다. 저항의 단위는 옴(Ω)이며, 저항 R은 물질의 고유저항률 ρ, 길이 L, 단면적 S에 따라 R = ρL/S로 계산할 수 있다. 2. 커패시터 커패시터는 두 개의 도체 평판 사이에 절연물(유전체)를 채우고 평판 사이에 전압을 인가하면 평판에 전하가 모이는 회로소자이다. 커패시턴스 C는 단위 전압당 모을 수 있는 전하의 양으로, C = ε0εrS/d 로 계산할 수 있다. 커패시터는 직류용과 교류용으로 구분되며, 용량과 극성 등이 다르다. 3. 인덕터 ...2025.01.04
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중앙대학교 전자회로설계실습 결과보고서 3 - Voltage Regulator 설계2025.01.241. 전자회로 설계 이 보고서는 중앙대학교에서 진행된 전자회로 설계 실습 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 브리지 방식 정류회로 설계, 정류 현상 관찰, 다이오드와 커패시터 특성 이해, Voltage Regulator를 통한 AC-DC 변환 및 정전압 유지 등입니다. 실험 과정에서 발생한 오차 요인 분석과 개선 방안도 제시되어 있습니다. 2. 브리지 정류회로 보고서에서는 4개의 다이오드를 사용하는 브리지 방식 정류회로를 설계하고 제작하였습니다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하여 실제 사용된 변압기의 비율이 1:1.27임을 확인하...2025.01.24
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