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논리회로 시간 지연 측정 실험 보고서2025.01.281. 논리회로 시간 지연 측정 이 실험은 논리회로의 기본 구성 요소인 인버터 IC를 이용하여 NOT 게이트 2개를 구성하고, 함수발생기와 오실로스코프를 활용하여 신호 전송 시간차를 측정함으로써 논리회로의 시간 지연 측정을 분석하는 것을 목표로 하였습니다. 실험을 통해 논리회로의 시간 지연 측정 및 오차 분석의 중요성을 인식하게 되었습니다. 2. 디지털 회로 설계 이 실험을 통해 디지털 회로 설계 시 지연 시간의 영향을 최소화하기 위한 방법이 필요함을 인식하게 되었습니다. 회로의 설계 및 동작 원리와 관련된 지연 시간 문제를 고려해야...2025.01.28
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일반물리학실험 반도체정류회로 결과레포트2025.05.151. 다이오드 다이오드는 반도체의 PN 접합에 바탕을 두고 있다. PN 다이오드에서 전류는 P형 반도체(anode) 면에서 N형 반도체(cathode) 면으로만 흐를 수 있다. 접합 후 공핍층이 형성되며, 다이오드의 전류-전압 특성은 순방향 바이어스와 역방향 바이어스 두 동작영역으로 나눠 설명할 수 있다. 다이오드의 가장 중요한 기능은 한쪽 방향으로만 전류를 흐르게 하는 정류작용이다. 2. 전파 정류 회로 전파 정류 회로는 중간 탭이 있는 변압기와 정류 소자를 조합하여 정류하는 회로 방식이다. 2개의 반도체를 사용하는 방식과 4개의...2025.05.15
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중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 9차 결과보고서2025.01.041. 전가산기 회로 설계 이번 실험실습에서는 입력 조합에 따라 출력이 결정되는 조합 논리 회로를 설계하는 방법을 익히고, 조합 논리 회로의 가산기 회로 중 전가산기 회로를 설계하였습니다. Inverter와 AND/OR gate를 활용하여 전가산기를 설계하였고, 전가산기의 진리표와 일치하게 동작하였습니다. 또한 XOR gate를 통해 S, AND/OR gate를 통해 Cout을 출력하는 전가산기를 설계하였고, 이 방식이 AND/OR gate를 이용한 전가산기보다 더 적은 수의 gate를 통해 단순하고 효율적으로 설계할 수 있다는 것을...2025.01.04
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인텍전기전자 업체 조사2025.05.151. 인텍전기전자 개요 인텍전기전자는 1996년 12월 10일에 설립된 회사로, 개폐기, 차단기, 인버터 등을 제조하는 전기회로 개폐 및 보호장치 제조업체입니다. 대표는 고인석 회장이며, 직원 수는 246명입니다. 본사는 경기도 화성시에 위치하고 있습니다. 2. 주요 사업 및 제품 인텍전기전자의 주요 사업은 중전기(전력기자재 설비) 분야이며, 핵심 제품은 개폐기, 차단기, 수배전 설비 등입니다. 특히 친환경 개폐기인 고체절연개폐기 기술을 개발하여 공급하고 있습니다. 3. 재무 현황 2022년 말 기준 인텍전기전자의 자산은 1,443...2025.05.15
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.301. Inverting Amplifier 설계 Inverting Amplifier의 설계에서 5의 gain을 얻는 것을 목표로 회로를 설계하였다. Inverting Amplifier의 R2은 경험적 최댓값인 1MΩ으로 설계하였고 R1에 200kΩ을 사용했다. 출력전압은 1Vpp로 gain 5를 만족하였다. Inverting Amplifier의 3dB bandwidth는 149.5kHz, unit gain frequency는 706.83kHz로 측정하였다. 2. Non-Inverting Amplifier 설계 Non-Inverting...2025.04.30
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전자회로설계 및 실습1_설계 실습1. OP Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호가 주파수 2kHz의 정현파이고 peak to peak 전압이 200mV인 것을 확인했다. 센서의 부하로 10KΩ 저항을 연결했을 때 peak to peak 전압이 100mV로 감소했다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Function generator와 저항으로 이를 구현할 수 있다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계했다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결...2025.01.22
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.301. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호를 측정하고 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 설명하였습니다. 센서의 출력전압이 200mV이고 부하에 걸리는 전압이 100mV일 때, 센서의 Thevenin 등가회로를 구하였습니다. 또한 Function generator의 출력을 100mV로 설정하여 센서의 등가회로를 구현하는 방법을 제시하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결과를...2025.04.30
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전자회로설계 및 실습1_설계 실습1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계_결과보고서2025.01.221. 센서 출력 신호 증폭 본 실험에서는 출력저항이 큰 센서의 출력신호를 증폭하기 위해 Inverting, Non-inverting, Summing Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하였다. 센서 출력 신호를 10 kΩ 저항과 Function Generator를 이용하여 구현하고, 오실로스코프로 측정한 결과 예상과 다른 출력 전압이 나왔다. 이는 실제 저항값과 이론값의 차이로 인한 것으로 분석되었다. Inverting Amplifier와 Non-inverting Amplifier를 설계하고 측정한 결과, 저항값 차이로 인...2025.01.22
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.101. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200 mV였고, 10K 저항을 연결한 후 측정한 전압이 100 mV였다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Function generator와 저항으로 이를 구현할 때 Function generator의 출력을 100 mV로 설정해야 한다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 2 KHz의 센서 출력을 증폭하여 출력이 1 V인 Inverting Amplifier를 설계하였다....2025.05.10
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 1_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.111. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200㎷이었고, 센서의 부하로 10㏀ 저항을 연결한 후 10㏀ 저항에 걸리는 전압을 측정하여 peak to peak 전압이 100㎷이었다. 이를 바탕으로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였다. 또한 Function generator와 저항으로 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 제시하였다. 2. Inverting ...2025.01.11
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