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[한양대 기계공학부] 동역학제어실험 실험9 비반전 증폭기의 주파수 응답특성 A+ 자료2025.04.261. 비반전 증폭기 비반전 증폭기는 출력전압의 일부를 반전 입력에 되돌려주는 형태를 가지고 있다. 이때, 입력단자 (+)와 (-)에 흘러들어가는 전류는 0이고 V+와 V-의 전압은 같다. 이를 통해 옴의 법칙을 이용하여 Vs와 VIN을 나타낼 수 있으며, 증폭이득 G는 1 + RF/R1로 계산된다. 2. Op-amp의 특성 Op-amp의 동작에서 고려해야할 가장 중요한 두 가지 특성은 GBW(Gain-BandWidth, 이득-대역폭 곱)와 SR(Slew Rate, 슬루 레이트)이다. GBW는 타당한 이득을 어느 주파수까지 보장하는지...2025.04.26
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실험 21_차동 증폭기 심화 실험 결과보고서2025.04.281. 차동 증폭기 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정하였다. 차동 증폭기의 공통 모드 및 차동 모드 전압 이득을 이론적으로 구하고, 이를 바탕으로 CMRR을 구한 후에 실험을 통하여 이 값들을 직접 구해보고, 이론치와 차이가 발생하는 이유를 분석하였다. 또한 차동 모드 입력 주파수를 바꾸면서 출력 전압의 크기를 측정하여 보드 선도를 그린 뒤, 차동 모드 증폭기의 주파수 특성을 파악하였다. 2. 능동 부하 트랜지스터를 이용한 능동 부하의 경...2025.04.28
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 15 다단 증폭기)2025.01.291. 다단 증폭기의 이론적 해석 다단 증폭기는 여러 증폭 단을 직렬로 연결하여 신호를 순차적으로 증폭하는 방식으로, 각 증폭 단이 가진 장점을 결합해 더 높은 전압 이득과 신호 증폭을 달성할 수 있다. 다단 증폭기의 주요 이론적 해석으로는 전압 이득, 입출력 임피던스, 주파수 응답, 바이어스 설정, 잡음 및 왜곡 등이 있다. 2. 2단 증폭기 실험 결과 2단 증폭기 실험에서는 각 MOSFET의 전압과 전류를 측정하고, 포화 영역에서 동작하는지 확인했다. 또한 소신호 등가회로를 이용해 이론적인 전압 이득을 계산하고, 실험 결과와 비교...2025.01.29
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다단 증폭기 실험 결과 보고서2025.01.021. 다단 증폭기 실험을 통해 2단 증폭기와 3단 증폭기의 동작 특성을 확인하였습니다. 각 단의 전압 이득, 입력/출력 임피던스 등을 측정하고 분석하였습니다. 10kΩ 저항 조건에서는 예상 값과 큰 차이가 없었지만, 10Ω 저항 조건에서는 오차가 상당히 크게 나타났습니다. 이는 매우 낮은 저항 값으로 인해 커패시터로 전류가 빠져나가면서 발생한 것으로 추정됩니다. 다단 증폭기 설계 시 입력 임피던스와 출력 임피던스의 적절한 조건이 중요하며, 각 단의 전압 이득 곱보다 전체 전압 이득이 작은 이유는 소스팔로워 효과와 단 간 신호 전달 ...2025.01.02
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 24 연산 증폭기 응용 회로 2)2025.01.291. 적분기 회로 적분기 회로는 입력 저항 R과 피드백 커패시터 C로 이루어진 간단한 구성으로, 입력 신호에 의해 전류가 흐르고 이 전류가 커패시터에 전하를 축적하면서 출력 전압이 변화하는 원리로 동작합니다. 입력 신호가 일정하면 출력은 선형적으로 증가하거나 감소하며, 저주파 신호에 민감하고 고주파 신호는 감쇠됩니다. 적분기 회로는 속도에서 위치를 계산하는 신호 처리, 삼각파/사인파 생성기, 저주파 필터 및 데이터 누적 계산 등에 응용됩니다. 2. 미분기 회로 미분기 회로는 입력 단자에 커패시터 C와 피드백 경로에 저항 R을 사용하...2025.01.29
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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. CE 회로의 특성 실험을 통해 CE 회로의 IB와 Ic 사이의 관계를 이해하고, 측정된 데이터를 이용해 β(dc)를 계산할 수 있었다. 또한 BJT의 특성 곡선을 구하고 β(dc)와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있었다. 2. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된다. 이 회로 구조에서 베이스가 입력 단자 역할을 하고 컬렉터가 출력 단자 역할을 수행한다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해 흐르는 베이스 전류 IB를 결정하고, IB는...2025.05.11
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실험 15_다단 증폭기 결과보고서2025.04.281. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였다. 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에는 일반적으로 다단 증폭기를 사용한다. 실험을 통해 다단 증폭기의 입력단과 출력단의 임피던스 조건, 전압 이득 특성 등을 확인하였다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 2단 증폭기와 3단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하였다. MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하고, 이를 이...2025.04.28
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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아날로그및디지털회로설계실습 (예비)설계실습 5. 전압제어발진기 A+2025.01.291. 슈미츠 회로의 특성 실험에 사용될 IC(UA741)의 데이터시트를 참조하여 중요한 전기적 특성을 확인하였습니다. 주요 특성으로는 공급전압 범위, 입력전압 범위, 입력 오프셋 전압, 이득대역폭 곱, 출력전압 스윙 범위, 입력 저항 등이 있습니다. 이러한 특성을 고려하여 실험 설계를 해야 합니다. 2. 슈미츠 트리거 회로 설계 PSPICE 시뮬레이션을 통해 Vdd=+5V, Vth=2.5V인 슈미츠 트리거 회로를 설계하였습니다. 저항 R1과 R2의 값을 계산하여 회로를 구현하였고, DC sweep 시뮬레이션 결과 Vth가 2.5V인...2025.01.29
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