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제너 다이오드 응용회로 예비레포트2024.12.311. 제너 다이오드의 전류-전압 특성 제너 다이오드의 전류-전압 특성 결과를 보면 6V 근처에서 제너 항복이 발생하여 전압이 5.6V로 유지되는 것을 볼 수 있다. 인가 전압에 따른 전류를 나타낸 그래프와 달리 3V 이상의 전압이 인가되었을 때부터 인가 전압이 증가함에 따라 전류가 증가하는 모습을 보이고 있다. 제너 다이오드의 특성에 따라 제너 항복이 발생하면 전압은 거의 일정한 값으로 유지되고 전류만 급격하게 증가한다. 2. 제너 다이오드를 이용한 정전압 회로의 특성 제너 다이오드를 통해 정전압 회로를 구성하고 인가 전압을 10V...2024.12.31
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실험 06_공통 이미터 증폭기 예비 보고서2025.04.271. BJT 소신호 등가회로 BJT의 소신호 등가회로에 대해 설명하고, 트랜스컨덕턴스 g_m과 등가 이미터 저항 r_e가 컬렉터 전류와 어떤 관계가 있는지 유도하였습니다. 소신호 등가회로를 사용하면 선형적 소자가 되어 회로 분석과 설계가 쉬워집니다. 2. 공통 이미터 증폭기 특성 분석 공통 이미터 증폭기의 동작 원리와 입력-출력 전달 특성 곡선을 설명하였습니다. 차단, 능동, 포화 영역에서의 동작을 분석하고, 소신호 등가회로를 이용하여 입력 저항, 전압 이득 등을 구하는 방법을 제시하였습니다. 3. 공통 이미터 증폭기 실험 회로 및...2025.04.27
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[전자공학응용실험] 능동부하가 있는 공통 소스증폭기-예비레포트2025.04.261. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 이 실험에서는 정전류원 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선 입력에 따라서 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선을 구할 수 있다. 3. 공통 소...2025.04.26
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디지털통신시스템설계 12주차 실습2025.05.091. WIFI 신호 파라미터 실습 강의노트에 있는 WIFI 규격 파라미터를 이용했다. iter는 시뮬레이션 반복을 의미하며 100회부터 1000000회까지 수를 늘리며 실험을 반복했다. EbN0는 0dB~10dB까지 1 간격으로 나타냈다. 2. 변조 방식 Modulation Type은 index로 표현했고 첫 번째는 BPSK를 나타내는 메시지의 수를 2로, 두 번째는 QPSK 메시지의 수를 4로 나타내어 index의 수만큼 반복문을 진행하고, 각각의 메시지 수에 따라 변조 방법을 달리 했다. BPSK는 실습에서 구현했던 코드를 진행...2025.05.09
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.011. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터 시트를 사용하여 문턱 전압 VT와 전도도 계수 kn을 구했습니다. kn을 구하기 위해 필요한 수식과 수치를 자세히 설명했습니다. 또한 구한 kn 값을 이용하여 과전압 VOV=0.6V일 때의 전도 transconductance gm 값을 계산했습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계했습니다. PSPICE를 이용해 드레인 전류-게이트 전압(iD-vGS) 특성 곡선을 시뮬레이션했습니다. 이를 통해 문턱 전압 VT를 구하고 데...2025.05.01
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서1(분반1등)2025.01.111. 센서 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 200mV(peak to peak)가 측정되었다. V_th(=Vampl)의 크기는 100mV으로, peak to peak 값은 100mV*2= 200mV가 된다. 10kΩ의 부하 저항에 흐르는 전압을 측정해보니 100mV(peak to peak)가 측정되었다. 오실로스코프의 입력 임피던스 값은 부하 저항에 비해 매우 큰 값이고, 전류는 모두 부하 저항 쪽으로 흐르게 될 것이다. 우리는 전압 분배 법칙에 의해 계산을 해보면 100mV = 의 수...2025.01.11
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT 공통이미터 증폭기2025.05.161. NPN형 BJT 공통이미터 증폭기 NPN형 BJT 공통이미터 증폭기의 동작 특성을 시뮬레이션과 실험을 통해 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 비교하여 전압이득을 계산하고 그래프로 나타내었습니다. 부하저항 RL이 증가하면 얻을 수 있는 전압이득이 많아지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT 공통이미터 증폭기 PNP형 BJT 공통이미터 증폭기의 동작 특성을 시뮬레이션과 실험을 통해 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 비교하여 전압이득을 계산하고 그래프로 나타내었습니다. 부하저항 RL이 증가하면 얻을 ...2025.05.16
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A+ 전자회로설계실습_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.211. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호가 주파수 2 KHz의 정현파이고, 오실로스코프로 직접 측정한 결과 peak to peak 전압이 200 ㎷이었다. 센서의 부하로 10 KΩ 저항을 연결한 후 10 KΩ 저항에 걸리는 전압을 측정하였더니 peak to peak 전압이 100 mV이었다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Thevenin 전압은 200mV, 내부저항은 10kΩ임을 알 수 있다. 따라서 센서의 Thevenin 등가회로를 Function generator와 저항으로 구현하려면 Func...2025.01.21
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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