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자율 이동 로봇 제작2025.01.131. 마이크로프로세서(80C196KC) 자율 이동 로봇의 핵심 구성 요소인 마이크로프로세서(80C196KC)에 대해 설명합니다. 80C196KC 프로세서의 주요 구성 요소와 특성을 자세히 다루고 있습니다. 2. 센서부 자율 이동 로봇의 센서부에 대해 설명합니다. 바닥 인식을 위한 리밋 스위치와 물체 감지를 위한 초음파 센서의 사양 및 특성을 자세히 다루고 있습니다. 3. 구동부 자율 이동 로봇의 구동부에 대해 설명합니다. 모터, 모터 드라이버, 다이오드 등 구동부 구성 요소의 사양과 특성을 자세히 다루고 있습니다. 4. 운동 모드 ...2025.01.13
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홍익대학교 MCU/IoT실험 최종 프로젝트 보고서2025.04.261. MCU/IoT 실험 MCU/IoT 실험에서 배운 LED, Switch, Interrupt, 7 Segment 등의 기능을 이용하여 홀짝 게임기를 구현하였다. 게임 방법은 7 Segment의 세번째와 네번째 숫자의 곱이 홀수이면 다음 STAGE로 진행하고, 짝수이면 처음 STAGE로 돌아가는 방식이다. STAGE가 올라갈수록 숫자의 증가 속도가 빨라져 난이도가 상승한다. 게임 성공 시 초록 LED, 실패 시 노랑 LED가 켜진다. 모든 STAGE를 성공하면 '7777'이 출력된다. 2. ATmega128 ATmega128 마이크...2025.04.26
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전자회로실험_A+레포트_증가형 MOSFET의 바이어스 회로2025.01.131. MOSFET MOSFET는 게이트(Gate), 소오스(Source), 드레인(Drain)의 3개 단자를 갖는다. 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소오스와 드레인 사이의 전류흐름이 제어된다. 소오스는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, 드레인은 소오스에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다. 2. MOSFET 전압분배 바이어스 회로 저항 R1, R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VGQ=VGSQ를 생성한다. MOSFET가 포화영역에서 동작하도록 바이어스된다면, 드...2025.01.13
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET은 전자전기공학에서 중요한 소자로, 증폭 기능과 스위치 기능을 가지고 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 전기적 특성을 실험적으로 이해하고자 하였다. 실험 결과, source는 ground, Vds=5V로 고정하고 Vgs를 증가시키면서 drain current Id를 측정하였다. Vgs가 2.2V일 때 약 1mA의 전류가 측정되어 이를 threshold voltage Vth로 확인하였다. 측정값들을 Id-Vgs 특성곡선으로 나타내었고, Vgs가 증가함에 따라 Id도 증가하는 것을 확인하여...2025.04.30
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중앙대학교 전기회로설계실습 결과보고서 - 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.05.151. 6 V 건전지의 출력저항 측정 6 V 건전지의 출력저항을 측정하기 위해 6 V 건전지와 10 Ω 저항을 이용하여 회로를 구성하고 측정한 결과, 건전지의 내부저항은 1.41 Ω으로 나타났다. 작은 저항값을 가진 회로에서는 건전지의 내부저항을 고려해야 한다는 것을 알 수 있었다. 2. Pushbutton switch 사용 이유 Pushbutton switch를 사용하는 이유는 작은 저항값을 가진 회로에서 많은 전류가 흘러 열이 발생하여 소자가 탈 수 있기 때문이다. Pushbutton switch를 사용하면 회로를 간헐적으로 연결...2025.05.15
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마이크로프로세서응용 ATmega128 Polling 방식과 Interrupt 방식 보고서2025.01.241. Floating 현상과 Pull-Up, Pull-Down Floating 현상은 주로 데이터 라인이나 제어 라인에서 불안정한 전압이나 전류가 발생하여 예상치 못한 동작을 유발하는 현상입니다. 이는 전원 문제, 입출력 라인 상태 불안정, 접촉 불량, 노이즈와 간섭 등의 원인으로 발생할 수 있습니다. Pull-Up은 입력 핀을 논리적으로 '1' 상태로 유지하기 위해 사용되는 전기적인 장치이며, Pull-Down은 입력 핀을 논리적으로 '0' 상태로 유지하기 위해 사용됩니다. 2. Chattering 현상과 방지 방법 Chatter...2025.01.24
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홍익대 디지털논리실험및설계 7주차 예비보고서 A+2025.05.161. S-R Latch와 S'-R' Latch Latch는 1비트의 문자를 보관하고 유지할 수 있는 회로이다. S-R Latch는 NOR 게이트를 이용해 결선되고 S'-R' Latch는 NAND 게이트를 이용해 결선되므로 SR NOR Latch, SR NAND Latch 라고도 불린다. Set이 활성화되면 Q가 1, Q'가 0이 되고 Reset이 활성화되면 Q'가 1, Q가 0이 된다. 2. Pulse detector와 CLK Pulse detector는 Pulse의 변화를 감지하는 회로이다. 두 개의 동일한 입력 중 하나에만 인버...2025.05.16
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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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한방 침 종류2025.04.251. 전침 요법 전침 요법은 전기와 침을 결합하여 직류전기 또는 저주파 전기를 통전시켜 혈위를 강하게 자극하는 치료 방법입니다. 사용 방법으로는 전원 스위치 ON, 출력 도자 연결, 자극 시간/주파수/모드 설정, 출력 조절 등이 있습니다. 주의사항으로는 전침 요법을 기피하는 환자, 심박동 조절기 사용 환자, 심장 근처 및 임산부 자궁 부위 자침 시 사용을 금기합니다. 2. IR (적외선) 치료 IR(적외선) 치료는 광선치료의 한 종류로, 열치료 중 조사열의 대표적인 방법입니다. 가시광선 중 파장이 가장 긴 적색의 외측에 있는 적외선...2025.04.25
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