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[A+] 다이오드1 보고서2025.05.151. 다이오드 이번 실험을 통해 다이오드는 5가 원소를 넣어 만든 N형 반도체와 3가 원소를 넣어 만든 P형 반도체를 붙여 한 쪽으로만 전기가 흐르게 하는 회로 소자라는 것을 알았습니다. 다이오드는 역방향일 때 전류가 흐르지 않고 순방향일 때 전류가 흐르지 않다가 전압이 한 지점을 넘어서면 전류가 흐르는 것을 알았으며 이것은 다이오드의 종류에 따라 문턱전압이 다르기 때문이라는 것도 알 수 있게 되었습니다. 2. 반도체의 전기적 특성 반도체는 절연체와 도체 사이 중간 정도의 전기저항을 갖습니다. 순수한 반도체의 전기전도도는 매우 낮지...2025.05.15
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다이오드 기본특성 실험 결과보고서2025.11.161. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 P형과 N형 반도체를 접합한 PN 다이오드에서 순방향 바이어스는 Anode에 양극, Cathode에 음극을 연결하는 상태입니다. 실리콘 다이오드의 장벽전위는 0.7V에서 형성되며, 이 전압을 넘으면 Anode에서 Cathode 방향으로 전류가 흐릅니다. 실험 결과 0.6V~0.7V 부근에서 전류가 선형적으로 증가하기 시작하였으며, 이는 이론적 내용 및 모의실험과 일치합니다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스와 누설전류 역방향 바이어스는 Anode에 음극, Cathode에 양극을 연결...2025.11.16
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[경희대 A+] 물리학및실험 기초회로실험 레포트2025.05.101. 전기저항 (옴의 법칙, 다이오드의 특성) 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙으로 V=IR로 표현된다. 일반적인 저항체의 경우 양단에 걸리는 전압 V와 저항에 흐르는 전류 I가 비례한다. 반면에 반도체를 이용한 트랜지스터나 다이오드의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고, 전기저항은 걸린 전압의 크기나 방향에 따라 달라진다. 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흘리므로 교류를 직류로 변환하는데 쓰인다. 정류 특성 외에도 다이오드는 비선형 전류-전압 특성으로 인해 훨씬 더 복잡한 특징을 보인다. 2. 키르히호프(K...2025.05.10
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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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교류및전자회로실험 실험 5-1 다이오드 특성실험 예비보고서2025.01.171. 다이오드의 기본특성 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체의 접합으로 이루어진 소자로서 한 방향으로만 전류를 흘릴 수 있는 특성을 가지고 있다. 순방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지만 역방향 전압이 걸리면 거의 전류가 흐르지 않는다. 다이오드에 흐르는 전류와 전압의 관계는 비선형적이다. 2. 다이오드의 검사 디지털 멀티미터를 사용하여 다이오드의 순방향 전압과 역방향 전압을 측정할 수 있다. 순방향 전압은 0.5~0.9V 정도이고, 역방향 전압에서는 전류가 거의 흐르지 않아 0.L로 표시된다. 다이오드가 단락되면 순방향과 역방향 전...2025.01.17
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P-N 접합의 접촉전위와 전류 특성2025.11.181. 접촉전위(Contact Potential) P-N 접합에서 P측의 정공과 N측의 전자가 확산되면서 접합부에 전기장이 형성된다. 이로 인해 발생하는 평형 상태의 전위차를 접촉전위 V0라 하며, 이는 이동 전하의 확산을 방해하는 내재적 전위 장벽 역할을 한다. 접촉전위는 V0 = (kT/q)ln(NaNd/ni²) 식으로 표현되며, 여기서 Na는 P측 수용체, Nd는 N측 공여체, ni는 본질 반도체의 캐리어 농도이다. 2. 공간전하 영역(Space Charge Region) 접합부에서 캐리어가 고갈되는 영역을 천이영역(transi...2025.11.18
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH2. 반파정류와 전파정류 실험보고서2025.05.051. 반파정류 반파정류는 교류전압을 인가하였을 경우 양(+)의 주기는 도통되고 음(-)의 주기는 차단시킴으로써 양(+)의 파형을 가지는 정류 방식이다. 이상적인 다이오드를 사용하면 출력전압의 평균값이 Vm/π이 되지만, 실제 다이오드는 문턱전압 이상의 전압이 인가되어야 전류가 도통되므로 전압강하가 발생하여 이론값과 차이가 난다. 2. 전파정류 전파정류는 교류의 전원이 음(-)의 주기일때도 양(+)의 주기일 때와 같은 방향의 전류가 부하에 흐르게 함으로써, 모든 주기에서 양(+)의 파형을 가지는 정류 방식이다. 이상적인 다이오드를 사...2025.05.05
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반파 및 전파 정류회로 실험 결과 분석2025.11.161. 반파 정류회로 반파 정류회로는 교류 신호의 한 방향(양 또는 음)만을 통과시켜 직류로 변환하는 회로입니다. 실험에서 AC결합과 DC결합의 출력파형이 측정되었으며, 다이오드의 방향에 따라 양파형 또는 음파형만 얻어집니다. 다이오드의 문턱전압(약 0.59V)으로 인한 전압강하가 발생하며, 주파수 변화에 따라 출력 특성이 달라집니다. 커패시터 용량 변경(1uF에서 100uF)에 따라 출력 전압이 변화하는 특성을 확인할 수 있습니다. 2. 전파 정류회로 전파 정류회로는 교류 신호의 양쪽 방향을 모두 직류로 변환하는 회로입니다. 브리지...2025.11.16
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서2025.05.051. P형 반도체 P형 반도체는 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 정공 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이다. P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. 2. N형 반도체 N형 반도체는 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 자유전자 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이...2025.05.05
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