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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.151. 저항의 고주파 특성 측정 저항은 기생(parasitic)소자 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있고, 특히 저항을 통과하여야 하는 전류가 고주파에선 parasitic 커패시터에 더 잘 흐르기 때문에 주파수를 올릴 때, 저항 값은 점차 줄어들 것으로 예상된다. 즉, 주파수가 높아질 수록 저항은 커패시터의 특성을 더 많이 나타낸다는 고주파 특성을 확인할 수 있을 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터는 기생 인덕터의 영향을 가지고 있어 고주파 영역에서는 임피던스가 증가한다. 따라서 저항 전압은 주파수 증가에 따라 전압이...2025.05.15
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수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RC 회로의 주파수 응답 측정 RC 회로에서 입력 신호의 크기를 일정하게 유지하고 주파수를 점차 증가시키면서 출력 신호의 크기를 측정하였다. 그 결과 약 4MHz 부근에서 커패시터가 인덕터의 특성을 보이기 시작하는 것을 확인하였다. 실험 결과와 이론값을 비교하여 고주파 영역에서 실제 소자의 기생 성분으로 인해 이론값과 다른 특성을 보임을 알 수 있었다. 2. RL 회로의 주파수 응답 측정 RL 회로에서도 입력 신호의 크기를 일정하게 유지하고 주파수를 점차 증가시키면서 출력 신호의 크기를 측정하였다. 그 결과 약 25kHz~10...2025.04.25
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 결과보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.031. 수동소자의 고주파 특성 측정 이 실험은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통하여 등가회로를 이해하며 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것을 목적으로 한다. 실험 결과, 커패시터는 약 4MHz 이상의 고주파 영역에서 인덕터처럼 동작하며, 인덕터는 약 150kHz 이상의 고주파 영역에서 커패시터처럼 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 이를 통해 수동소자의 등가회로와 고주파 특성을 이해할 수 있었다. 1. 수동소자의 고주파 특성 측정 수동소자의 고주파 특성...2025.05.03
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET은 전자전기공학에서 중요한 소자로, 증폭 기능과 스위치 기능을 가지고 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 전기적 특성을 실험적으로 이해하고자 하였다. 실험 결과, source는 ground, Vds=5V로 고정하고 Vgs를 증가시키면서 drain current Id를 측정하였다. Vgs가 2.2V일 때 약 1mA의 전류가 측정되어 이를 threshold voltage Vth로 확인하였다. 측정값들을 Id-Vgs 특성곡선으로 나타내었고, Vgs가 증가함에 따라 Id도 증가하는 것을 확인하여...2025.04.30
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서12_수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 (보고서 1등)2025.05.101. 수동소자의 고주파특성 측정 실제 회로에서 사용되는 회로소자의 등가회로를 이해하고 이 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 이해하기 위해 실습을 진행하였다. RC 직렬 회로와 RL 직렬 회로의 주파수 응답을 측정하여 분석한 결과, 일정 주파수 이상에서 커패시터와 인덕터가 각각 인덕터와 커패시터의 성향을 띄기 시작하는 것을 확인하였다. 이를 통해 회로소자의 고주파 특성에 대한 이해를 높일 수 있었다. 1. 수동소자의 고주파특성 측정 수동소자의 고주파 특성 측정은 전자회로 설계 및 분석에 매우 중요한 부분입니다. 고주파 ...2025.05.10
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전기회로설계 및 실습_설계 실습12. 수동소자의 고주파특성 측정방법의 설계_결과보고서2025.01.211. 수동소자의 고주파 특성 이 보고서는 전기회로설계 및 실습 과정의 14주차 보고서로, 수동소자인 저항, 커패시터, 인덕터를 이용하여 회로를 설계하고 고주파에서 이러한 수동소자들이 어떻게 동작하는지 이해하는 것을 목적으로 합니다. 저항, 커패시터, 인덕터는 저주파에서는 이상적인 특성을 보이지만 주파수가 높아지면 기생 성분의 영향으로 인해 특성이 변화하게 됩니다. RC 회로와 RL 회로에 대한 실험 결과를 통해 고주파 영역에서 수동소자의 동작 특성을 확인하였습니다. 2. RC 회로의 고주파 특성 RC 회로에서 저항에 걸리는 전압을 ...2025.01.21
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전기회로설계실습 - 수동소자의 고주파 특성측정방법설계2025.05.151. RC 회로의 고주파 특성 RC 회로의 주파수 응답을 측정한 결과, 1MHz 부근까지는 RC 회로의 특성을 보였지만 주파수가 높아지면서 커패시터가 인덕터 특성을 보이기 시작했다. 8MHz 부터는 인덕터 특성이 뚜렷하게 나타나 전달함수의 크기가 이론값보다 작아지는 현상이 관찰되었다. 이를 통해 커패시터의 고주파 등가회로에서 인덕터 특성이 발현되는 것을 확인할 수 있었다. 2. RL 회로의 고주파 특성 RL 회로의 주파수 응답 측정 결과, 약 500kHz 부터 인덕터에서 커패시터 특성이 발현되기 시작했으며 1MHz 부터 그 특성이 ...2025.05.15
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