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Film growth (반도체)2025.05.081. Epitaxy Epitaxy는 epi(위에) + taxis(배열)의 합성어로, 결정성 기판 위에 단결정 박막을 성장시키는 기술을 의미한다. 호모에피택시는 동일한 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용하며, 헤테로에피택시는 서로 다른 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용한다. 에피택시 성장에서는 격자 불일치로 인한 응력 완화와 임계 두께 등의 개념이 중요하다. 2. Molecular Beam Epitaxy (MBE) MBE는 초고진공 환경에서 분자 빔을 이용하여 반도체 박막을 에피택시 성장시키는 기술이다. MBE는 낮은 성장 속도, ...2025.05.08
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반도체 예비보고서2025.05.101. 반도체 반도체는 상온에서 전기 전도율이 구리 같은 도체(전도체)하고 애자, 유리 같은 부도체의 중간 정도인 물질이다. 가해진 전압이나 열, 빛의 파장 등에 의해 전도도가 바뀐다. 일반적으로는 규소 결정에 불순물을 넣어서 만든다. 주로 증폭 장치, 계산 장치 등을 구성하는 집적회로를 만드는 데에 쓰인다. 반도체는 매우 낮은 온도에서는 부도체처럼 동작하고 실온에서는 도체처럼 동작한다. 다만 반도체는 부도체처럼 동작할 때와 도체처럼 동작할 때 각각 부도체나 도체와 다른 점이 있다. 2. 반도체의 물리적 기초 반도체란 절대 영도에서 ...2025.05.10
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캐리어의 이동도와 cm2/(V/s) 단위의 의미2025.05.071. 캐리어 이동도의 개념 캐리어 이동도는 반도체 재료 내에서 전하가 전하기 전류를 전달하는 능력을 나타내는 물리량입니다. 반도체에서 전자와 정공은 전하를 운반하는 주요 캐리어이며, 이동도는 전자 또는 정공의 이동 속도를 전기장의 세기와 비례하여 나타냅니다. 이동도는 반도체의 도전성, 전기적 특성 및 전하 캐리어의 수송 효율과 관련이 있습니다. 2. 캐리어 이동도의 단위: cm²/(V·s) 캐리어 이동도의 단위는 cm²/(V·s)입니다. cm²는 면적을 나타내며, 이는 캐리어가 이동하는 거리를 의미합니다. V는 전압을 나타내며, 전...2025.05.07
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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW032025.05.031. 반도체 도핑 문제에서는 p형 반도체 판에 빛을 조사하여 과잉 캐리어가 생성되는 상황을 다루고 있습니다. 도핑된 반도체의 특성과 과잉 캐리어의 농도 분포 및 시간에 따른 변화를 계산하고 그래프로 나타내는 것이 주요 내용입니다. 2. 전자 확산 전류 문제 3에서는 실리콘 내 전자 농도가 선형적으로 변하는 경우의 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 3. 홀 및 전자 확산 전류 문제 4에서는 홀 농도와 전자 농도가 지수 함수적으로 변하는 경우의 홀 및 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 4. 반도체 내...2025.05.03
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발열체의 종류와 주요 특징2025.05.101. 전기 발열체 전기 발열체는 전기를 통해 열을 생성하는 장치로, 저항 발열체와 반도체 발열체로 구분됩니다. 저항 발열체는 전기 저항의 원리를 이용하여 열을 발생시키며, 전기 히터, 전기 레인지, 온돌 난방 시스템 등에 사용됩니다. 반도체 발열체는 반도체 재료의 특성을 이용하여 열을 발생시키며, 주로 산업용 장비의 냉각 시스템에 사용됩니다. 2. 화학 발열체 화학 발열체는 화학 반응을 통해 열을 생성하는 장치로, 연소형 발열체와 반응형 발열체로 나뉩니다. 연소형 발열체는 연료의 연소를 통해 열을 발생시키며, 가스 보일러, 가스 버...2025.05.10
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW012025.05.031. BCC 구조 결정의 원자 농도 BCC 구조 결정의 격자상수가 a라고 할 때, 원자 농도는 (8/a^3)개/단위 부피로 계산할 수 있다. 2. BCC 구조에서 FCC 구조로의 상전이 BCC 구조에서 FCC 구조로 상전이가 일어나면 원자 충진율과 격자상수는 거의 변화가 없지만, 최근접 이웃원자 간의 거리와 배위수는 동일하게 유지된다. 상전이 후 격자상수가 30% 증가하면 결정은 팽창된 것으로 볼 수 있다. 3. Vegard's Law를 이용한 삼원 화합물반도체 특성 분석 Vegard's Law에 따르면 삼원 화합물반도체의 격자상수...2025.05.03
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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집적회로의 미세화에 대한 무어의 법칙과 그 한계2025.05.051. 무어의 법칙 무어의 법칙은 인텔의 공동 창업자인 고든 무어가 1965년에 발표한 예측으로, 집적회로의 밀도가 매년 대략 2배씩 증가한다는 것을 예측한 것입니다. 이 예측은 현재까지도 크게 벗어나지 않고 지속되어 왔으며, 집적회로 기술의 발전으로 트랜지스터의 크기가 작아지고 적은 면적에 더 많은 트랜지스터를 배치할 수 있게 되었습니다. 이러한 집적회로의 미세화는 전자제품의 성능 향상과 크기 감소 등 다양한 혜택을 제공했습니다. 2. 나노기술 나노기술은 나노미터 단위의 기술을 이용하여 소자를 만드는 기술로, 더욱 미세한 소자를 만...2025.05.05
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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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