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Metallization (반도체)2025.05.081. Contacts Contacts는 반도체 내부로 전기 신호가 들어가고 나오게 하는 역할을 합니다. Schottky 접합과 ohmic 접합이 있으며, Schottky 접합은 p-n 접합과 유사하고 ohmic 접합은 V=IR 관계를 따릅니다. 2. Interconnects Interconnects는 칩 내의 다양한 소자와 구성 요소를 연결하는 역할을 합니다. 박막 증착 기술로는 물리적 기상 증착(증발), 스퍼터링, 화학 기상 증착 등이 있습니다. 3. Physical Vapor Deposition (PVD) PVD는 진공 환경에서...2025.05.08
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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 결과보고서2025.01.211. ALD를 통한 TiO2 박막 형성 실험에서는 ALD 공정을 통해 p-type Si 기판과 p++-type Si 기판에 TiO2 박막을 형성하였다. 기판의 도핑 농도에 따라 증착된 박막의 두께가 달랐는데, 도핑이 적은 p-Si 기판에 비해 도핑이 많은 p++-Si 기판에서 상대적으로 박막이 얇게 형성되었다. 이는 도핑이 TiO2의 확산을 방해하거나 충돌을 유발하기 때문인 것으로 분석된다. 2. TiO2 박막 두께 측정 TiO2 박막의 두께는 Ellipsometry와 XRF 장비를 사용하여 측정하였다. 두 장비의 측정 원리가 다르...2025.01.21
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유기소재실험2_고분자_박막_제조2025.05.141. 박막의 정의 일상생활에서 만나는 얇은 막 형태의 물체, 전자레인지에 쓰이는 랩이라든지 알루미늄 호일, 물 위의 기름 막 등은 넓은 의미로 박막이라고 한다. 좁은 의미의 박막은 두께가 약 1㎛ 이하의 인공적으로 만들어진 고체의 박막으로 한정한다. 1㎛이상의 막은 후막이라고 한다. 2. 박막 제조 방법 1) 진공증착법 : 진공 중에서 물질을 가열하여 증발시킴으로써 그 증기를 기판 위에 응축시켜서 박막을 제작하는 방법이다. 2) 스퍼터링(Sputtering)법 : 원자 또는 분자 레벨의 입자가 큰 에너지를 갖고 고체와 충돌할 때에 ...2025.05.14
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Four point probe법을 이용한 유/무기 전극의 전기전도도 측정 (예비)2025.05.121. 전기 전도도 전기 전도도의 의미, 전기 전도도와 고유 저항의 관계를 이해한다. 고유 저항, 저항, 면저항의 차이를 이해한다. 2. 무기 금속과 유기 금속의 차이 무/유기 금속의 차이와 four-point probe법의 기본 원리를 이해한다. 무기금속의 경우 금속 내부의 자유 전자와 외부에서 입사한 광자가 상호작용하여 광택이 나는 반면, 유기 금속의 경우 가시광선 영역의 빛에 대해 높은 광학적 투과도를 가지므로 투명하게 보인다. 3. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 대표적인 전도성 고분자이며 우수한 내열성을 갖고 높은 전기...2025.05.12
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RTA 온도변화에 따른 CZTSSe 태양전지의 성능 평가2025.01.031. CZTSSe 태양전지 CZTSSe 태양전지는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S), 셀레늄(Se)으로 구성된 직접 천이형 밴드갭 에너지를 가지며 높은 광 흡수계수를 가지고 있다. CZTSSe 태양전지는 두 가지 결정 구조인 Kesterite와 Stannite 구조를 가지며, Kesterite 구조가 열역학적으로 더 안정하다. CZTSSe 태양전지의 성능은 효율, 충진율, 단락전류, 개방전압, 직렬저항, 병렬저항 등으로 평가할 수 있다. 2. Sputtering Sputtering은 물리기상증착(PVD) 방법 중 ...2025.01.03
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photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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Mechanoluminescence(ML) 실험 결과 보고서2025.01.031. Mechanoluminescence(ML) 실험 목적은 Phosphor film을 제작하여 물리적 자극을 가한 뒤에 빛이 나오는 ML의 발광 원리를 이해하고 발광된 빛의 특성을 평가하는 것입니다. PDMS와 Phosphor를 혼합하여 유리 기판에 스핀 코팅한 후 박막을 분리하여 실험을 진행했습니다. 실험 결과, Red와 Blue Phosphor는 물리적 자극에 반응하지 않았지만 Green과 Cyan Phosphor에서 ML 현상이 관찰되었습니다. 이는 Phosphor의 분자 구조 차이로 인한 것으로 추정됩니다. 비대칭적인 구조...2025.01.03
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전자기적특성평가_면저항 결과보고서2025.01.081. 박막 박막은 반도체 제조 공정에서 중요한 재료 중 하나이며, 두께가 나노미터에서 마이크로미터 범위의 얇은 막을 의미한다. 박막의 특성을 확인할 때 면저항은 가장 적합한 특성평가 방법이다. 실험을 통해 박막의 종류와 전기전도율, 비저항, 면저항의 이론을 이해하고 면저항과 비저항의 차이를 알아볼 수 있다. 2. ITO ITO(Indium Tin Oxide)는 산화인듐과 산화주석의 혼합물로 구성된 투명하고 전도성 있는 박막이다. ITO는 우수한 전기 전도성과 투명성으로 인해 다양한 전자기기와 광전자 응용 분야에 널리 사용되지만, 인...2025.01.08
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AMOLED 소자 및 공정 실험 보고서2025.05.121. AMOLED 소자 제작 실험 목표는 spin coater를 이용한 고분자 기반 OLED 제작 및 특성 평가입니다. 실험 장비로는 Thermal evaporation, Spin coater, CS-2000(측정장비)가 사용되었습니다. 실험 과정에서는 ITO 전극 패터닝, 기판 세척, UVO 처리, PEDOT:PSS, PFO, LiF, Al 증착 등의 단계를 거쳤습니다. 실험 결과 분석을 통해 PFO 발광층의 두께 및 구조에 따른 휘도 특성 차이, UVO 처리에 따른 표면 에너지 변화와 균일성 향상 등을 확인할 수 있었습니다. 2...2025.05.12
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