총 30개
-
실험 11. 공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성 실험2025.05.111. 공통 이미터 증폭기 회로 공통 이미터 증폭기 회로의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전류 이득, 전압 이득, 위상반전 특성을 이해할 수 있다. 이미터 접지 증폭기에서 교류전원 쪽에서 바라다본 저항은 이미터 다이오드와 병렬로 연결된 바이어스 저항들이며, 베이스 쪽으로 들여다본 저항은 입력 임피던스로 표시된다. 증폭기의 출력 쪽에서 발생되는 현상을 알아보기 위해 테브닌 회로를 구성하여 테브닌 전압과 테브닌 임피던스를 구할 수 있다. 2. 저항비와 전압비 공통 이미터 증폭기에서 저항비와 전압비가 같은 이유는 옴의 법칙에 의해 이미터...2025.05.11
-
실험 08_공통 베이스 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 베이스 증폭기 이번 실험은 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 공통 베이스 증폭기에 대한 실험이다. 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. DC 조건 측정 실험 절차 1에서는 공통 베이스 증폭기의 DC 조건을 측정하였다. 예비 보고서와 저항값을 다르게 사용하였으나, 1kΩ일 때 값을 예비 보고서와 비교하여 보면 오차가 조금 발생하긴 했지...2025.04.28
-
[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
-
전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 6 공통 이미터 증폭기)2025.01.291. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 소신호 등가회로 NPN형 BJT의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 동작을 소신호 영역에서 분석하기 위해 사용되는 회로다. 이 회로에서는 BJT의 작동을 저항과 전류원으로 나타내어,...2025.01.29
-
응용물리회로실험 - Transistor CE2025.05.071. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 교류신호에 대하여 이미터 단자가 입력과 출력의 공통 단자 역할을 하며, 높은 전압이득 및 전류 이득을 갖게 된다. 입력과 출력에 결합 커패시터와 이미터와 접지 사이의 바이패스 커패시터로 구성되어 있다. 교류 입력신호는 베이스 단자에 결합 커패시터를 통해 연결되고, 출력신호는 컬렉터 측의 결합 커패시터를 통해 부하와 연결된다. 바이패스 커패시터는 교류입력의 동작 주파수에서 매우 작은 용량성 리액턴스 값을 갖도록 설정되어 이미터 단자를 접지시킨다. 1. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭...2025.05.07
-
실험 06_공통 이미터 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 이미터 증폭기 이 실험에서는 BJT를 이용한 공통 이미터 증폭기 회로를 구성하고, 실험을 통해 그 동작을 확인하였다. 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 하였다. 2. BJT 증폭기 BJT 증폭기의 전압 이득을 증가시키기 위해서는 컬렉터 전류를 키...2025.04.28
-
트랜지스터의 기본 동작 원리와 특성 분석2025.05.041. 트랜지스터의 기본 동작 원리 트랜지스터는 기본적으로 두 가지 형태인 2극 접합 트랜지스터(BJT)와 필드효과 트랜지스터(FET)가 있다. 이번 실험에서는 BJT 중 npn 트랜지스터를 사용했다. npn 트랜지스터는 n형 반도체와 p형 반도체가 접합된 구조로, 이미터-베이스-컬렉터 단자로 구성된다. 트랜지스터는 차단동작영역, 선형동작영역, 포화동작영역의 3가지 동작 모드를 가진다. 실험을 통해 각 동작 모드의 특성을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 증폭 특성 실험 2에서 베이스 전류 I_B와 컬렉터 전류 I_C의 관계를 확...2025.05.04
-
BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
-
울산대학교 전기전자실험 6. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성2025.01.121. BJT 단자 검사 BJT의 단자를 구별하기 위해 다이오드의 저항과 임계전압을 이용한 검사를 수행했다. 양(+)단자와 음(-)단자를 연결하여 측정한 결과, 낮은 전압값을 가지는 단자가 컬렉터(C), 높은 전압값을 표시하는 단자가 이미터(E)임을 확인했다. 2. BJT 공통 Emitter(CE) 특성 공통 Emitter 회로에서 베이스 전류를 증가시키면 컬렉터 전류가 증가하는 것을 관찰했다. 이를 통해 베이스 전류를 통해 이미터에 흐르는 전류를 제어할 수 있음을 확인했다. 3. β 변화에 따른 BJT 특성 베이스 전류를 일정하게 ...2025.01.12
-
전기전자공학실험-공통 이미터 증폭기 설계2025.04.301. 공통 이미터 증폭기 설계 공통 이미터 증폭기 회로는 높은 전류이득을 가지며, 입력을 베이스로 인가하여 출력을 컬렉터에서 얻습니다. 출력저항 RL이 증가하면 증폭도가 증가하여 진폭도 증가합니다. 공통 이미터 증폭기 설계 시 트랜지스터의 정규 규격을 파악하고, VCC, 전압이득, 입력임피던스, 부하저항의 최소값과 출력임피던스, 교류출력전압스윙의 최대값을 정합니다. 또한 커플링/바이패스 커패시터 선정, VE 설정, Rc 값 계산, 전압 이득 확인, 입력 임피던스와 출력 임피던스 확인 등의 과정을 거칩니다. 2. 공통 이미터 증폭기 ...2025.04.30
2 / 3
