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[금오공대 A+] 직렬 병렬(플러그인 보드) 결과 보고서2025.05.131. 직렬 회로 직렬 연결에서는 소자들이 서로 앞뒤로 한 줄로 연결되어 있으며, 동일한 전류가 흐르게 된다. 등가저항은 개별저항의 대수합으로 주어지며, 항상 각각의 저항보다 크다. 2. 병렬 회로 병렬 연결에서는 각 소자들이 회로 안에서 갈라져서 각각 연결되는 상태이다. 저항 양단의 전위차는 같으며, 등가저항의 역수는 개별저항의 역수로 주어진다. 등가저항은 그 중에서 가장 작은 저항보다 더 작다. 3. 직렬 병렬 회로 직렬과 병렬 회로를 혼합하여 사용하는 경우, 각 저항에 걸리는 전류와 전압을 계산할 수 있다. 직렬 연결 부분에서는...2025.05.13
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전기및디지털회로실험 실험 M2. 아날로그 및 디지털 기초 회로 응용 예비보고서2025.05.101. 키르히호프의 전압법칙 및 전류법칙 키르히호프의 전압법칙과 전류법칙을 이해하고, 직류회로에서의 측정 실험을 통해 이를 확인한다. 아두이노를 이용해 회로의 전압과 전류를 측정하고 계산한 결과를 비교하여 법칙이 성립하는지 확인한다. 2. 반가산기 및 전가산기 아두이노를 이용해 반가산기와 전가산기 회로를 구현하고, 스위치 입력에 따른 출력 LED의 동작을 확인한다. 진리표와 비교하여 회로가 정상적으로 동작하는지 확인한다. 1. 키르히호프의 전압법칙 및 전류법칙 키르히호프의 전압법칙과 전류법칙은 전기회로 분석에 있어 매우 중요한 기본 ...2025.05.10
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전자회로설계실습 5차 예비보고서2025.05.101. BJT와 MOSFET을 이용한 구동(switch) 회로 설계 이 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에서는 BJT와 MOSFET 회로의 설계 과정과 계산, 그리고 회로 측정 방법 등을 자세히 설명하고 있습니다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531(VF = 2 V, IF = 20 m...2025.05.10
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전기회로설계실습 예비보고서22025.05.151. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항을 측정하기 위해 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 회로를 설계하였다. DMM을 병렬로 연결하여 Pushbutton을 누르면 건전지의 내부저항을 측정할 수 있다. 이론적으로는 0Ω에 가까운 매우 작은 값이 측정될 것으로 예상된다. 2. DC Power Supply의 출력 특성 DC Power Supply의 출력 전압과 전류를 조절하여 부하 저항에 인가하는 실험을 수행하였다. 출력 전압을 1V, 최대 출력 전류를 10mA로 조정하고 10Ω 저항을 연결하면 100mA의 전류가 흐르...2025.05.15
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 4. Thevenin등가회로 설계2025.04.291. 브리지 회로 브리지 회로에서 R1에 걸리는 전압과 R2에 흐르는 전류를 nodal analysis를 통해 구하였다. R1에 걸리는 전압은 약 5V이고, R2에 흐르는 전류는 약 1A이다. 2. Thevenin 등가회로 설계 부하를 제거하고 전압원을 단락시켜 Thevenin 등가저항 Rth를 구하였다. 그리고 부하를 제거한 상태에서 양단의 전압을 측정하여 Thevenin 등가전압 Vth를 구하였다. 이를 통해 Thevenin 등가회로를 설계하였다. 3. Thevenin 등가회로 실험 Thevenin 등가저항 Rth를 측정하기 위...2025.04.29
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직류회로에서의 측정 - 오옴의 법칙2025.01.021. 직류회로와 오옴의 법칙 직류전원에 저항이 연결되어 있을 때 전압, 전류, 저항값 사이에 성립하는 관계식이 있다. 이는 V=IR이며 이를 오옴의 법칙이라하며 직류 뿐만 아니라 교류에서도 성립한다. 오옴의 법칙 계산공식을 통해 특정값을 앎으로서 미지수의 값을 유도할 수 있다. 2. 저항의 직/병렬 연결 R1, R2가 직렬일 때 전원측에서 본 등가의 합성저항 R은 R= R1+R2이다. R1, R2가 병렬일 때는 등가의 합성저항 R은 1/R=1/R1+1/R2이다. 이는 곧 R= R1*R2/R1+R2이다. 이는 R1…Rn까지의 직병렬연...2025.01.02
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기초 회로 실험 제 22장 망로전류를 이용한 회로해석 (결과레포트)2025.01.211. 선형회로의 특성 선형회로는 인가 전압과 전류가 비례 관계를 갖는 것, 즉 선형방정식으로 표현되는 회로를 말한다. 다시 말해 선형회로는 선형 소자인 저항과 같이 비례성과 가산성을 가지고 구성을 한 회로를 말한다. 2. 망로전류 방정식 도출 및 해석 그림 22-6과 같이 각 망로전류의 크기를 I1, I2, I3라고 설정하고 KVL를 이용하여 연립방정식을 세웠다. 이를 풀면 I1 = -57.89mA, I2 = 15.79 mA, I3 = -5.26mA이다. 이를 통해 각 저항의 전류를 계산하였고, 실험 결과와 비교하였다. 실험값과 이...2025.01.21
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[1학년 필수교양 대학물리및실험2 A+ ]디지털 멀티테스터기 사용법과 저항 측정 및 읽기 예비&결과레포트( version cire)2025.04.261. 멀티테스터기 사용법 멀티테스터기의 사용법을 익히고, 저항 측정 및 읽기에 대해 설명하고 있습니다. 멀티테스터기의 기능과 사용 방법, 저항 값 계산 방법 등을 자세히 다루고 있습니다. 2. 저항 측정 및 계산 저항의 색띠 표시법을 설명하고, 옴의 법칙과 직렬/병렬 연결에서의 전체 저항 계산 방법을 다루고 있습니다. 실험을 통해 이론값과 측정값을 비교하고 오차 분석을 하고 있습니다. 3. 실험 방법 및 결과 멀티테스터기를 사용하여 저항 값을 측정하는 실험 방법을 상세히 설명하고, 실험 결과를 정리하여 제시하고 있습니다. 이론값과 ...2025.04.26
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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전기회로설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.01.211. 전원의 출력저항 측정 건전지의 출력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익힌다. 부하효과(Loadign effect)를 이해한다. 2. DMM의 입력저항 측정 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익힌다. 부하효과(Loadign effect)를 이해한다. 3. 옴의 법칙 옴의 법칙을 이용하여 전원의 내부저항과 전력 소비를 계산한다. 4. 전압 분배 법칙 직렬 연결된 저항에 걸리는 전압을 전압 분배 법칙을 이용하여 계산한...2025.01.21
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