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아주대학교 물리학실험2 RLC 회로 결과보고서 A+2025.05.011. RLC 회로 이번 실험에서는 RLC회로를 구성하여 두 가지 방법으로 공진주파수를 찾아보고, 공진주파수일 때, 회로의 저항을 두 가지 방법으로 구하여 비교해보았다. 실험 1에서는 먼저 저항과 전기용량을 측정해본 결과 각각 10.2ohm, 107.2muF의 값이 나왔다. 진동수를 20Hz부터 20Hz씩 증가시키다가 공진주파수라고 판단되는 주파수 부근에서 10Hz단위로 주파수를 상승시켜 나가면서 공진주파수를 구해보았다. 그 결과 190.0Hz일 때, 최대 전압 1.654V의 값을 갖는 것을 확인하였다. 또한 주파수에대한 전류의 그래...2025.05.01
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중앙대학교 전자회로설계실습 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.101. BJT 특성 및 동작 원리 이번 실험을 통해 BJT의 특성과 동작원리를 이해할 수 있었다. LED를 구동하는 회로를 이용해 BJT의 베이스-이미터 전압을 어떻게 인가하느냐에 따라서 이미터, 컬렉터의 전류의 흐름이 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 LED 부하를 이미터 쪽에 달아줌으로써 동작을 관찰하고 인버터쪽에 달아줌으로써 동작에 어떤 차이가 있는지 비교할 수 있었다. 이론에서 계산한 전압, 전류 값을 측정한 값과 비교함으로써 실험을 진행했다. 3. MOSFET을 이용한 LED 구동 회로...2025.05.10
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BJT 2-Large Signal Analysis 2_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 특성 실험을 통해 BJT 소자의 특성을 이해하고 확인하였습니다. Early Effect(Base width modulation)로 인해 C-B 접합의 Reverse bias 크기 변화에 따라 Collector 전류가 변화하는 것을 확인하였습니다. 이는 이상적인 트랜지스터 동작에서 벗어나는 것으로, 변화된 Base 폭을 고려하여 Gain 값을 다시 계산할 수 있습니다. Early Effect를 고려한 BJT 전류원 Modeling을 통해 실제 BJT의 동작 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. BJT의 I-V 특성 ...2025.01.12
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MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서2025.04.271. MOSFET 소자 특성 측정 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 금속 트랜지스터인 MOSFET을 사용하여 소자 특성을 측정할 수 있게 설계하고 제작하였다. 그 특성값을 이론값과 비교한 결과 4%이하의 오차로 잘 일치하는 것을 확인하였다. 2. MOSFET 회로 제작 및 측정 그림 1의 회로를 제작하여 Vgs를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 Vds를 인가하는 Port의 전류를 측정하였다. 측정한 전류가 130mA 이상이 되면 측정을 중지하였다. 3. MOSFET의 Id-Vds 특성곡...2025.04.27
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기초전자공학실험(서강대) - 1. 멀티미터에 의한 측정 결과 보고서2025.01.151. 저항 측정 실험을 통해 저항 값을 측정하였으며, 이론치와 측정치 간에 약간의 오차가 발생하였음을 확인하였다. 오차의 원인으로는 멀티미터 내부 건전지 소모에 따른 전압 감소로 인한 것으로 분석되었다. 0옴 조정을 통해 이러한 오차를 줄일 수 있음을 확인하였다. 2. 전압 측정 직렬 연결된 회로에서 각 저항에 걸리는 전압을 측정하였으며, 이론치와 측정치 간에 약간의 오차가 발생하였음을 확인하였다. 이는 전압계의 내부 저항과 측정 저항의 병렬 연결로 인한 것으로 분석되었다. 전압 측정 시 전압계와 전압원을 병렬로 연결해야 함을 확인...2025.01.15
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서울시립대_물리학및실험2_기초회로실험_예비레포트&결과레포트_A+2025.04.271. 저항기의 직렬 및 병렬 연결 실험을 통해 저항기의 직렬 연결과 병렬 연결 회로를 구성하고, 이론적으로 계산한 등가저항, 전압, 전류 값과 실제 측정값을 비교하여 분석하였다. 직렬 연결의 경우 전류가 모두 같고 전압이 저항의 비에 따라 배분되는 것을 확인하였고, 병렬 연결의 경우 전압이 모두 같고 전류가 저항에 따라 나누어지는 것을 확인하였다. 2. 키르히호프의 법칙 복잡한 직류 회로를 구성하여 키르히호프의 제1법칙(분기점 법칙)과 제2법칙(고리 법칙)이 성립하는지 확인하였다. 실험 결과 이론값과 측정값이 1% 내외의 오차로 일...2025.04.27
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A+받은 BJT(바이폴라 정션 트랜지스터) 결과레포트2025.05.101. NPN 트랜지스터 실험 NPN 트랜지스터의 동작을 살펴보았다. 실험 회로를 구성하고 가변저항을 조정하여 트랜지스터의 각 단자에 인가된 전압 및 전류를 확인하였다. Emitter-Base 사이의 전압이 이상적인 도통전압 0.7V와 다른 이유를 실제 NP 다이오드의 V-I 곡선을 통해 설명하였다. Emitter에 흐르는 전류와 Base, Collector로 나뉘는 전류를 측정하여 전류 이득을 계산하였다. 가변저항 값을 변경하여 Emitter 전류의 변화에 따른 전류 이득의 변화를 확인하였다. 또한 Emitter 전압의 극성을 반대...2025.05.10
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전압, 전류 분배 실험2025.05.161. 직병렬 회로 실험 실험 1에서는 R1=220Ω, R2=1kΩ, R3=1kΩ이고 V=9V로 구성된 직병렬 회로를 분석하였습니다. 전압과 전류의 이론값과 측정값을 비교하여 오차를 계산하였습니다. 실험 2에서는 동일한 회로를 멀티심으로 시뮬레이션하여 결과를 확인하였습니다. 실험 3에서는 R1=220Ω, R2=220Ω, R3=1kΩ, R4=1kΩ이고 V=9V로 구성된 직병렬 회로를 분석하였습니다. 전압과 전류의 이론값과 측정값을 비교하여 오차를 계산하였습니다. 2. 병렬회로와 전류 분배 실험 4에서는 R1=100Ω, R2=1kΩ, R...2025.05.16
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옴의 법칙과 키르히호프 전압 및 전류 법칙2024.12.311. 옴의 법칙 옴의 법칙은 도체에 일정한 전압을 가하면 도체에 일정한 전류가 흐르게 되며, 전압과 전류 사이에 일정한 비례 관계가 있다는 것을 설명합니다. 이를 수식으로 나타내면 V = IR로 표현할 수 있습니다. 여기서 V는 전압, I는 전류, R은 저항을 나타냅니다. 2. 키르히호프 전압 법칙 키르히호프 전압 법칙은 임의의 폐회로에서 한 점에서 일정한 방향으로 일주하면서 시작점에 다시 도달한 경우 전압 강하량의 합은 항상 0이 된다는 것을 설명합니다. 이를 수식으로 나타내면 ∑V = 0으로 표현할 수 있습니다. 3. 키르히호프...2024.12.31
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전류천칭에 의한 자기유도2025.01.281. 자기장과 자기력 실험을 통해 자기장과 자기력의 기초 개념을 이해하고, 솔레노이드 코일의 자기장을 전류천칭을 이용하여 측정하였습니다. 전하가 자기장 내에서 운동할 때 받는 힘, 전류가 흐르는 도선이 받는 힘, 솔레노이드 내부의 자기장 세기 등을 이론적으로 설명하고 실험 결과와 비교하였습니다. 2. 전류천칭 전류천칭을 이용하여 솔레노이드 코일의 자기장을 측정하는 실험을 수행하였습니다. 전류천칭부의 토크와 전류천칭부의 전류 사이의 관계를 이용하여 자기장의 크기를 계산하였습니다. 실험 방법과 결과 분석을 통해 전류천칭의 원리와 활용 ...2025.01.28
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