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[A+] 다이오드2 실험 레포트2025.05.151. 다이오드의 기초적인 적용 실험을 통해 다이오드의 기초적인 적용을 이해하였다. 다이오드는 한 방향으로만 전류가 흐르는 특성을 가지고 있어, 교류 전류를 직류 전류로 변환하는 정류 회로에 활용된다. 반파 정류 회로와 전파 정류 회로를 구현하여 다이오드의 작동 원리를 확인하였다. 2. 교류 전류와 직류 전류의 차이 실험을 통해 교류 전류와 직류 전류의 차이를 이해하였다. 교류 전류는 시간에 따라 주기와 방향이 끊임없이 바뀌는 전류이고, 직류 전류는 높은 전위에서 낮은 전위로 전류가 연속적으로 흐르는 전류이다. 다이오드를 이용하여 교...2025.05.15
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교류및전자회로실험 실험9-1 트랜지스터 기초실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 트랜지스터는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이며, 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말한다. 트랜지스터의 특성은 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하며, base 단의 전류를 변화시킴으로써 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제...2025.01.17
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한국과 일본의 미래기술 비교_탐구보고서_일본어(세특)2025.01.121. 한국과 일본의 미래기술 차이점 일본은 미래기술의 분야가 상대적으로 넓게 분포하고 있으며, 미래기술 도출 과정에서 미래기술 도출 지향점과 전문가의 참여폭이 상이하다. 한국은 과학기술분야 전문가를 중심으로 하는 반면 일본은 인문·사회분야 전문가를 포함시켜 보다 폭넓은 차원에서 미래기술을 접근한다. 또한 일본의 고령화 정도가 높은 것도 영향을 미친다. 2. 한국과 일본의 미래기술 비중 차이 한국은 '진단법 개발' 영역의 미래기술 비중이 상대적으로 높고, 일본은 '기반연구' 및 '병인규명' 영역의 비중이 높다. 이는 양국의 연구 환경...2025.01.12
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OP 증폭기를 이용한 비교기 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 비교기 회로 비교기 회로는 두 입력 전압의 크기를 비교하여 출력 전압을 결정하는 회로입니다. 실험을 통해 입력 전압이 기준 전압보다 크거나 작을 때 출력 전압이 달라지는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 LED를 이용하여 출력 전압의 상태에 따라 LED의 색이 변하는 것을 관찰할 수 있었습니다. 2. 포토트랜지스터 포토트랜지스터는 빛에 의해 베이스 전류가 변화하여 콜렉터 전류가 변화하는 소자입니다. 실험을 통해 입력 전압이 증가하거나 포토트랜지스터와 발광 다이오드 사이의 거리가 가까워질수록 출력 전압이 감소하는 것을 확인할 수...2025.01.03
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금오공대 신소재 X선공학및설계 과제1~3 계산기2024.12.311. X선 회절 분석 X선 회절 분석은 결정 구조 분석에 널리 사용되는 기술입니다. 이 발표에서는 Co Kα 방사선을 사용하여 다양한 시편의 X선 회절 패턴을 분석하고 있습니다. 각 시편의 결정 구조, 격자 상수, 상 조성 등을 계산하고 있으며, 이를 통해 시편의 특성을 파악할 수 있습니다. X선 회절 분석은 재료 과학, 물리학, 화학 등 다양한 분야에서 활용되는 중요한 분석 기법입니다. 1. X선 회절 분석 X선 회절 분석은 물질의 결정 구조를 연구하는 중요한 분석 기법입니다. 이 기술은 결정 구조의 정보를 제공하여 물질의 특성을...2024.12.31
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숭실대 신소재공학실험1) 14주차 고분자 디바이스 결과보고서2025.01.141. 고분자 디바이스 이 보고서는 숭실대학교 신소재공학실험 수업의 14주차 실험 내용을 다루고 있습니다. 실험의 목적은 O2 Plasma, Spin coater 등의 사용법을 이해하고, UV-vis, 4-point probe 등 장비의 원리를 이해하며, GO와 rGO의 구조를 이해하는 것입니다. 실험 방법으로는 PET film을 O2 Plasma 처리, GO 용액을 스핀 코팅, GO를 질소와 하이드라진 환경에서 환원시켜 rGO 제작, 4-Point probe를 통한 면저항 측정, UV-vis를 통한 흡광도 측정 등이 포함됩니다. 실...2025.01.14
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW032025.05.031. 반도체 도핑 문제에서는 p형 반도체 판에 빛을 조사하여 과잉 캐리어가 생성되는 상황을 다루고 있습니다. 도핑된 반도체의 특성과 과잉 캐리어의 농도 분포 및 시간에 따른 변화를 계산하고 그래프로 나타내는 것이 주요 내용입니다. 2. 전자 확산 전류 문제 3에서는 실리콘 내 전자 농도가 선형적으로 변하는 경우의 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 3. 홀 및 전자 확산 전류 문제 4에서는 홀 농도와 전자 농도가 지수 함수적으로 변하는 경우의 홀 및 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 4. 반도체 내...2025.05.03
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW012025.05.031. BCC 구조 결정의 원자 농도 BCC 구조 결정의 격자상수가 a라고 할 때, 원자 농도는 (8/a^3)개/단위 부피로 계산할 수 있다. 2. BCC 구조에서 FCC 구조로의 상전이 BCC 구조에서 FCC 구조로 상전이가 일어나면 원자 충진율과 격자상수는 거의 변화가 없지만, 최근접 이웃원자 간의 거리와 배위수는 동일하게 유지된다. 상전이 후 격자상수가 30% 증가하면 결정은 팽창된 것으로 볼 수 있다. 3. Vegard's Law를 이용한 삼원 화합물반도체 특성 분석 Vegard's Law에 따르면 삼원 화합물반도체의 격자상수...2025.05.03
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체]2022 HW022025.05.031. 반도체 도핑 이 문제에서는 GaAs와 Si 반도체에 도핑된 불순물 농도와 도너, 억셉터 농도, 캐리어 농도 등을 계산하는 문제들이 다루어졌습니다. 도핑된 불순물 농도와 캐리어 농도 간의 관계, 그리고 이를 통해 반도체의 전기적 특성을 분석하는 방법이 설명되어 있습니다. 2. 반도체 페르미 준위 문제 3에서는 반도체 물질(Si, Ge, GaAs)의 페르미 준위가 정확히 밴드갭 중심에 있을 때, 특정 에너지 준위에서 전자가 점유될 확률과 빈 상태가 될 확률을 계산하는 문제가 다루어졌습니다. 이를 통해 반도체 물질의 전자 분포 특성...2025.05.03
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[부산대 이학전자실험] 6. Op amp-32025.01.021. 비교기 회로 비교기 회로는 전압을 비교하는 데 적합하다. 입력전압이 다른 입력단자의 기준전압을 초과하면 출력 측이 자신의 상태를 정해진 한계 값으로 변경하도록 되어 있다. 똑같은 크기의 전압일 경우 출력은 0이다. 비교기에서 전압증폭도는 낮지만 반응시간이 빠르다. 2. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 순방향 바이어스 시 전류가 잘 흐르지만 역방향 바이어스 시 전류가 흐르지 않는다. 이러한 정류 특성으로 교류를 직류로 변환하는 데 사용된다. 3. 발광 다이오드 발광 다이오드는 P...2025.01.02
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