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전압 체배기 회로의 특성 실험2025.05.111. 전압 체배기 회로 전압 체배기 회로는 입력 신호의 전압을 높이는 데 사용되는 회로입니다. 커패시터와 다이오드를 사용하여 커패시터의 충전 및 방전을 통해 높은 출력전압을 생성합니다. 2배 전압채배기에서는 2개의 커패시터와 2개의 다이오드로 구성된 배전압 회로에서 출력 전압은 입력 전압의 약 2배에서 다이오드의 순방향 전압 강하를 뺀 값이 됩니다. 3배 전압채배기와 4배 전압채배기도 각각의 3개의 커패시터,다이오드 4개의 커패시터,다이오드로 구성되어 같은 출력전압그래프를 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 전압채배기에서 사용되는 커...2025.05.11
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아주대학교 기초전기실험 A+ 예비보고서 Ch. 9, 10 (AC) 영문2025.05.031. Kirchhoff's Current Law AC 전원을 R-L, R-C, R-L-C 병렬 회로에 적용할 때 Kirchhoff의 전류 법칙을 확인하였습니다. 각 소자에 가해지는 전압과 회로를 흐르는 전류를 측정하고 위상차를 계산하였습니다. 2. Impedance 임피던스는 매질에서 파동 전파 또는 전선이나 회로에서 전기 흐름을 방해하는 정도를 나타냅니다. 임피던스는 매질의 고유한 특성입니다. 저항 R, 용량성 리액턴스 X_C, 유도성 리액턴스 X_L 간의 관계는 Z = sqrt(R^2 + (X_L - X_C)^2)로 표현됩니다....2025.05.03
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기초회로실험 1주차 결과 보고서 - R,L,C소자의 이해2025.01.041. 저항 실험을 통해 1kΩ와 10kΩ 저항의 저항값을 멀티미터로 측정하였다. 측정값은 오차 허용 범위 내에 있었으며, 색띠에 적힌 오차와 비교하였다. 이를 통해 저항의 물리적 특성과 측정 방법을 이해할 수 있었다. 2. 커패시터 0.047μF와 0.47μF 커패시터의 용량을 LCR미터로 측정하였다. 측정값은 오차 허용 범위 내에 있었으며, 세자리 숫자 표기 방법과 비교하였다. 이를 통해 커패시터의 물리적 특성과 측정 방법을 이해할 수 있었다. 3. 인덕터 1mH와 10mH 인덕터의 인덕턴스 값을 LCR미터로 측정하였다. 1mH ...2025.01.04
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 20 커패시터2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에는 전하(electric charge)가 모이게 된다. 이렇게 전하를 저장하는 능력이 커패시터의 기본 성질이다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 즉, 커패...2025.05.13
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건국대 전기전자기초실험 7주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. R-C회로에서 커패시턴스 측정 커패시턴스는 축전기가 전하를 충전할 수 있는 능력으로 기호는 C를 사용하고 단위는 패럿이다. 커패시터를 직렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 감소하고, 병렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 증가한다. 2. R-L회로에서 인덕턴스 측정 인덕턴스(유도용량)는 인덕터가 자기장을 유도하는 능력으로 기호는 L을 사용하고 단위는 헨리[H]이다. 인덕터를 직렬로 연결하면 전체 인덕턴스가 증가하고, 병렬로 연결하면 전체 인덕턴스가 감소한다. 3. R-C회로와 R-L회로의 시정수 R-C 회로의 시정수는 RC이고, R-L...2025.01.15
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전자회로에서 수동소자의 개념과 기능, 용도2025.01.041. 저항 저항은 전기회로에서 전류의 흐름을 제한하거나 조절하는 역할을 합니다. 저항의 단위는 옴이며, 길이, 단면적, 재질 등에 따라 결정됩니다. 저항은 전류의 크기와 방향을 제어하는 데 사용되며, 전압 분배 회로나 주파수 응답 회로 등에서 활용됩니다. 2. 인덕터 인덕터는 전선을 여러 번 감아서 만든 소자로, 전류가 흐르면 자기장이 형성됩니다. 인덕터는 고주파 신호나 잡음을 걸러내는 필터 역할을 하며, 전류를 안정화시키는 데 사용됩니다. 또한 전기 에너지를 저장할 수 있어 회로에서 일시적인 전력 공급에 활용됩니다. 3. 커패시터...2025.01.04
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[기초전자실험 with pspice] 15 휘스톤브릿지 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.282025.04.28
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[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 예비보고서 9. LPF와 HPF의 설계2025.05.031. 오실로스코프 연결 입력전압과 출력전압을 오실로스코프에서 동시에 관찰하려면 Function generator의 출력을 CH1에 연결하고 커패시터의 양단을 CH2에 연결해야 합니다. 이렇게 연결하면 CH1에서는 회로 전체의 양단을 측정하여 Function generator의 입력전압파형을 나타내고, CH2에서는 커패시터에 걸리는 전압파형을 나타낼 수 있습니다. 1. 오실로스코프 연결 오실로스코프는 전자 회로 분석에 매우 중요한 도구입니다. 오실로스코프를 올바르게 연결하면 회로의 전압, 전류, 파형 등을 정확하게 측정할 수 있습니다...2025.05.03
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Semiconductor Device and Design - 42025.05.101. Diode's fabrication process Diode의 제조 공정에는 합금 방식과 확산 방식의 두 가지 일반적인 기술이 사용됩니다. 합금 방식은 n형 반도체 표면에 알루미늄 펠릿을 녹여 pn 접합을 형성하는 방식이며, 확산 방식은 n형 반도체를 수용체 불순물 증기가 있는 챔버에서 가열하여 수용체 원자가 n형 결정 내부로 확산되어 pn 접합을 형성하는 방식입니다. 확산 공정에서는 n형 물질의 일부만 노출되도록 하여 p 영역의 크기를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 2. Capacitor's fabrication proces...2025.05.10
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서7_RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계(보고서 1등)2025.05.101. RC회로의 시정수 측정 실습을 통해 RC회로의 시정수를 측정하는 방법을 알아보았다. DMM의 내부저항을 활용하여 RC회로를 구성하고, 10V 직류전압을 이용한 실험에서 이론적 계산 값과 실제 측정 값의 오차가 7.95%로 나타났다. 또한 Function Generator를 이용한 실습에서는 시정수가 9μs로 계산된 10μs와 10%의 오차를 보였다. 오차의 원인으로는 저항과 커패시터의 값 차이, 시계를 이용한 수동 측정의 한계 등이 지적되었다. 2. RC회로의 과도응답 특성 RC회로에 사각파를 인가했을 때의 전압 및 전류 파형...2025.05.10
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