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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 NMOS에서 VGS>=Vth이면서 VD...2025.01.15
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회로이론및실험1 12장 커패시터 직병렬 회로 A+ 결과보고서2025.01.131. RC회로의 위상 특성 실험을 통해 RC회로의 위상 특성을 이해하였다. RC직렬회로에서 저항 전압은 전류와 동상이며 전원 전압보다 앞선 위상이고, 커패시터 전압은 전원 전압보다 뒤진 위상이며, 커패시터 전압과 전류의 위상차는 90도이다. RC병렬회로에서는 어드미턴스를 적용한 옴의 법칙을 사용할 수 있다. 2. RC회로의 전압과 전류의 관계 실험을 통해 RC회로의 전압과 전류의 관계를 이해하였다. 커패시터에 걸리는 전압과 커패시터 내에 흐르는 전류의 위상 관계를 파악하였으며, 커패시터 내에 흐르는 전류의 위상이 커패시터에 걸리는 ...2025.01.13
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[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 예비보고서 9. LPF와 HPF의 설계2025.05.031. 오실로스코프 연결 입력전압과 출력전압을 오실로스코프에서 동시에 관찰하려면 Function generator의 출력을 CH1에 연결하고 커패시터의 양단을 CH2에 연결해야 합니다. 이렇게 연결하면 CH1에서는 회로 전체의 양단을 측정하여 Function generator의 입력전압파형을 나타내고, CH2에서는 커패시터에 걸리는 전압파형을 나타낼 수 있습니다. 1. 오실로스코프 연결 오실로스코프는 전자 회로 분석에 매우 중요한 도구입니다. 오실로스코프를 올바르게 연결하면 회로의 전압, 전류, 파형 등을 정확하게 측정할 수 있습니다...2025.05.03
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회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자2025.05.041. 수동소자 수동소자란 전자회로를 구성하는 소자 중 전기적 에너지를 소모, 저장 혹은 전달할 뿐 다른 역할을 하지 않는 소자를 말하며 수동적으로 작용할 뿐이며 외부 전원 없이 단독으로 동작하게 됩니다. 수동소자의 예시로는 저항, 캐패시터, 인덕터 등이 있습니다. 2. 능동소자 능동소자는 전자회로를 구성하는 소자 중 입력 신호의 증폭 또는 발진 등을 작용할 수 있는 소자를 말하며 에너지 보존 법칙이 성립해야 하므로 다른 전원 장치로부터 에너지를 얻어 작동하며 전압원, 전류원, 저항 또는 축전기와 같은 수동 소자로 구성된 등가회로로 ...2025.05.04
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 이미터 증폭기 공통이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 동작 영역 실험회로 1에서 VBB가 0~0.5V일 때는 출력전압 VO가 거의 바뀌지 않고 VBB또한 VBE>0.7의 조건을 만족하지 않아 cut-off(차단영역)임을 알 수 있다....2025.01.15
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건국대학교 전자회로1 SPICE12025.01.291. 전자회로1 SPICE 과제 이 프레젠테이션은 전자회로1 SPICE 과제에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 입력 신호(Vin)와 출력 신호(Vdc)의 파형, 커패시터(C)의 값을 찾는 절차, 그리고 리플 전압(Vpp)을 줄이기 위한 인덕터(L)의 값 계산 과정입니다. 초기에는 10uF의 커패시터를 사용했지만, 원하는 리플 전압 0.07V와 차이가 크게 나서 근사 계산을 통해 약 85.5uF의 인덕터 값을 찾아내었고, 이를 통해 목표 리플 전압에 근접한 결과를 얻을 수 있었습니다. 1. 전자회로1 SPICE 과제 전자회...2025.01.29
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[기초전자실험 with pspice] 13 커패시터 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 커패시터 이번 실험에서 대부분의 실험 결과는 pspice 시뮬레이션과 유사하였다. 또한, 전압은 전류에 비례하여 바뀌므로 전압을 통해 전류의 변화를 알 수 있었다. 따라서 이번 실험을 통해 커패시터의 직렬 및 병렬연결 특성과 주파수 및 커패시터 용량에 따른 용량성 리액턴스의 변화를 신뢰성 있게 확인할 수 있었다. 다만, 전압을 구하며 함께 구했던 전류의 경우 시뮬레이션과 같이 증가하는 것이 아니라 계속 비슷한 값을 유지하였다. 이와 같거나 비슷한 실험을 한 경우의 결과를 찾아 보았는데 거기서도 전류는 증가 혹은 감소하는 추세가...2025.04.28
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RLC 직렬회로 결과보고서2025.01.121. RLC 직렬회로 이번 실험은 RLC 직렬회로를 이용하여 공진주파수를 측정해보고, 차단주파수, 대역폭, 양호도 등을 측정해보는 실험이었습니다. 주파수를 바꾸어가며 전압이 최대가 되는 지점을 찾고 공진주파수를 측정하였습니다. 공진주파수란 임피던스 Z가 최소가 되며 전류 I가 최대로 증가하는 지점을 의미합니다. 커패시터와 인덕터의 리액턴스 특성으로 인해 어느 한 지점에서 교차하게 되며, 이때 공진주파수가 발생합니다. 또한 공진주파수일 때 파형은 동상형태의 파형이 나오며, 공진주파수보다 낮으면 출력파형이 앞서고 공진주파수보다 크면 출...2025.01.12
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전압 체배기 회로의 특성 실험2025.05.111. 전압 체배기 회로 전압 체배기 회로는 입력 신호의 전압을 높이는 데 사용되는 회로입니다. 커패시터와 다이오드를 사용하여 커패시터의 충전 및 방전을 통해 높은 출력전압을 생성합니다. 2배 전압채배기에서는 2개의 커패시터와 2개의 다이오드로 구성된 배전압 회로에서 출력 전압은 입력 전압의 약 2배에서 다이오드의 순방향 전압 강하를 뺀 값이 됩니다. 3배 전압채배기와 4배 전압채배기도 각각의 3개의 커패시터,다이오드 4개의 커패시터,다이오드로 구성되어 같은 출력전압그래프를 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 전압채배기에서 사용되는 커...2025.05.11
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Semiconductor Device and Design - 42025.05.101. Diode's fabrication process Diode의 제조 공정에는 합금 방식과 확산 방식의 두 가지 일반적인 기술이 사용됩니다. 합금 방식은 n형 반도체 표면에 알루미늄 펠릿을 녹여 pn 접합을 형성하는 방식이며, 확산 방식은 n형 반도체를 수용체 불순물 증기가 있는 챔버에서 가열하여 수용체 원자가 n형 결정 내부로 확산되어 pn 접합을 형성하는 방식입니다. 확산 공정에서는 n형 물질의 일부만 노출되도록 하여 p 영역의 크기를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 2. Capacitor's fabrication proces...2025.05.10
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