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전자공학실험 22장 연산 증폭기 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 연산 증폭기의 특성 연산 증폭기는 아날로그 회로에서 가장 널리 사용되는 회로이다. 일반적인 연산 증폭기는 차동 입력을 받아서 단일 출력을 내보낸다. 이 실험에서는 연산 증폭기의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항, 대역폭, 옵셋 전압, 슬루율 등 기본적인 성능 파라미터들을 익히고 실험을 통해서 측정하여, 이를 바탕으로 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 2. 입력-출력 스윙 측정 공통 모드 입력 전압의 크기를 2.5V, 주파수를 10kHz로 고정하고 입력 전압의 크기를 10~40mV로 변...2025.01.15
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 14 캐스코드 증폭기)2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 고주파 증폭에서 자주 사용되는 구조로, 출력 저항을 증가시키고 고주파 특성을 개선하는 데 효과적이다. 이 회로는 두 개의 MOSFET을 사용하여, 첫 번째 트랜지스터가 신호를 증폭하고, 두 번째 트랜지스터가 출력을 처리하는 방식으로 동작한다. 캐스코드 증폭기의 전압 이득은 대략적으로 A_v = g_m * R_D로 나타낼 수 있으며, 캐스코드 구조 덕분에 매우 크게 나타날 수 있다. 캐스코드 증폭기는 주로 고주파 증폭기와 대역폭이 중요한 회로에서 자주 사용되며, 신호 왜곡이 적고 안정적인 성능을...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 22 연산 증폭기 특성)2025.01.291. 연산 증폭기 특성 이번 실험에서는 연산 증폭기의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항, 대역폭, 옵셋 전압, 슬루율 등 기본적인 성능 파라미터들을 익히고 실험을 통해서 측정하여, 이를 바탕으로 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 2. 연산 증폭기의 이상적인 특성 op-amp의 이상적인 조건에서는 입력 임피던스가 무한대이므로 입력 단자로 전류가 흐르지 않고, 출력 저항이 0이어서 출력 전압이 외부 부하에 영향을 받지 않는다. 또한 op-amp의 이득이 매우 크므로 입력 전압 차이가 아주 작아...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 14 캐스코드 증폭기)2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 입력단, 증폭단, 출력 특성으로 구성되어 있다. 입력단의 MOSFET M_1은 소스 팔로워 역할을 하며, 증폭단의 MOSFET M_2는 캐스코드 역할을 한다. 캐스코드 구조는 출력 저항을 크게 만들어 전압 이득을 향상시키며, 채널 길이 변조 효과를 최소화하여 넓은 대역폭에서 동작할 수 있다. 캐스코드 증폭기의 전압 이득은 대략적으로 A_v = g_m * R_D로 나타낼 수 있다. 2. 실험 절차 및 결과 실험에서는 V_GG 값을 변화시키며 출력 전압을 측정하였고, 트랜스컨덕턴스 g_m과 출력 ...2025.01.29
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MOSFET 소자 특성 측정 실습 결과 보고서2025.01.041. MOSFET 회로 제작 및 측정 실험에서 MOSFET 회로를 제작하고 게이트 전압(VG)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하였다. 이를 통해 MOSFET의 ID-VGS 특성 곡선을 구할 수 있었다. 또한 문헌에서 확인한 MOSFET의 문턱 전압(VT)과 실험 결과를 비교하여 일치함을 확인하였다. 2. MOSFET 특성 곡선 측정 실험에서 드레인 전압(VD)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하여 MOSFET의 ID-VDS 특성 곡선을 구하였다. 이를 통해 MOSFET이 Triode 영역에서 Saturation 영역으로...2025.01.04
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이미터 공통 증폭기 결과보고서2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이번 실험에서는 이미터 접지 증폭기에서의 이미터, 베이스, 콜렉터 전압을 측정하고 이를 이용하여 트랜지스터에서 흐르는 전류의 값과 β, gm, rpi의 값을 계산할 수 있었다. 또한 입력과 출력 전압을 측정하여 입력과 출력 저항의 값을 계산할 수 있었다. 이러한 과정을 통하여 이미터 접지 증폭기의 입력 저항과 출력 저항의 개념을 잘 이해하게 된 것 같다. 출력 파형의 왜곡 현상을 관찰하여 회로가 포화상태에 도달하였는지, 차단 상태에 도달하였는지에 대하여 알아볼 수 있었다. 이번 실험에서는 그래프의 윗부분이 ...2025.01.02
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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BJT 기본 특성 결과보고서2025.04.281. BJT 동작점 및 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. BJT 전류-전압 특성 이 실험에서는 BJT의 기본 동작 원리를 파악하고, 전류-전압 특성을 실험을 통하여 파악하였다. BJT의 네 가지 동작 영역...2025.04.28
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실험 11_공통 소오스 증폭기 결과보고서2025.04.281. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 특성 실험을 통해 MOSFET의 각 단자들의...2025.04.28
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이미터 팔로워 회로의 특성 분석2025.01.291. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워 회로는 베이스에 입력된 신호가 이미터로 전달되며, 출력 신호는 입력 신호와 같은 위상을 가지지만 전압 이득이 거의 1인 특징을 갖는 회로입니다. 이 회로는 주로 전류 이득을 높이기 위해 사용되며, 출력 임피던스를 낮추고 입력 임피던스를 높이는 데 유리합니다. 실험을 통해 이미터 팔로워 회로의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항, 전류 증폭 특성을 분석하였습니다. 실험 결과, 이미터 팔로워는 전압 증폭보다는 전류 증폭에 유리한 회로로, 입력 전압이 증가할 때 출력 전류가 증폭되면서도 안정적인 출...2025.01.29
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