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전자회로실험 A+ 6주차 결과보고서(BJT Operations-Large/Small signal Operation)2025.05.101. BJT 회로의 Large/Small signal 분석 이 실험에서는 BJT 회로의 Large signal과 Small signal 분석 방법을 익히고, 실험을 통해 BJT의 VCE-IC 특성곡선을 측정하고 Small-signal 모델 파라미터를 계산하였다. 또한 Small-signal 이득을 측정하고 이론값과 비교하였다. 실험 결과, BJT 회로에서 Early 효과로 인해 VCE가 증가함에 따라 IC가 조금씩 증가하는 것을 확인하였다. 또한 Small-signal 모델에서 계산한 이득과 실험으로 측정한 이득을 비교하여 바이어스...2025.05.10
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교류및전자회로실험 실험 5-1 다이오드 특성실험 예비보고서2025.01.171. 다이오드의 기본특성 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체의 접합으로 이루어진 소자로서 한 방향으로만 전류를 흘릴 수 있는 특성을 가지고 있다. 순방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지만 역방향 전압이 걸리면 거의 전류가 흐르지 않는다. 다이오드에 흐르는 전류와 전압의 관계는 비선형적이다. 2. 다이오드의 검사 디지털 멀티미터를 사용하여 다이오드의 순방향 전압과 역방향 전압을 측정할 수 있다. 순방향 전압은 0.5~0.9V 정도이고, 역방향 전압에서는 전류가 거의 흐르지 않아 0.L로 표시된다. 다이오드가 단락되면 순방향과 역방향 전...2025.01.17
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7-segment LED와 Decoder 회로 설계2025.01.091. 7-segment LED 7-segment LED는 숫자를 표시하는 7개의 LED와 소수점을 나타내는 1개의 LED로 구성되어 있으며, common cathode type과 common anode type이 있다. common cathode type에서는 공통단자에 High voltage를 연결하여 선택적으로 LED를 점등하고, common anode type에서는 공통단자에 High voltage를 연결하고 점등하고자 하는 segment에만 Low voltage를 연결하여 선택적으로 LED를 점등한다. 2. Decoder 디...2025.01.09
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[전자회로실험] 베이스 접지 증폭기 및 이미터 폴로워 회로 결과보고서2025.04.261. 베이스 접지 증폭기 베이스 접지 증폭기 실험을 통해 입력 저항이 낮고 출력 저항이 큰 회로 특성을 확인했습니다. 실험 결과, 전압 이득과 입력 저항 값은 이론값, 시뮬레이션값, 실험값이 모두 근사한 값을 나타냈지만 출력 저항의 경우 차이가 발생했습니다. 하지만 입력 저항보다 훨씬 작은 값을 가진다는 점은 공통적이었습니다. 2. 이미터 폴로워 회로 이미터 폴로워 회로 실험을 통해 입력 저항이 높고 출력 저항이 낮은 회로 특성을 확인했습니다. 실험 결과, 전압 이득과 입력 저항 값은 이론값, 시뮬레이션값, 실험값이 모두 근사한 값...2025.04.26
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OP-AMP를 이용한 복합 증폭 실험 결과 보고서2025.01.051. 가산 증폭 회로 가산 증폭 회로는 반전 증폭 회로의 한 종류로, 입력단자를 하나 더 추가한 회로입니다. 이 회로에서 출력전압 Vo는 입력전압 V1, V2, V3의 합에 비례하여 증가합니다. 실험을 통해 가산 증폭 회로의 동작을 확인하고, 이론값과 측정값의 오차율을 계산하였습니다. 2. OP-AMP 특성 및 활용 이번 실험에서는 OP-AMP의 다양한 증폭 기능을 확인하였습니다. 741 모델과 158 모델의 차이점을 비교하였고, 반전 증폭과 비반전 증폭 파형을 측정하였습니다. 실험 결과 OP-AMP의 특성을 잘 이해할 수 있었고,...2025.01.05
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중앙대학교 전자회로설계실습 결과보고서 3 - Voltage Regulator 설계2025.01.241. 전자회로 설계 이 보고서는 중앙대학교에서 진행된 전자회로 설계 실습 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 브리지 방식 정류회로 설계, 정류 현상 관찰, 다이오드와 커패시터 특성 이해, Voltage Regulator를 통한 AC-DC 변환 및 정전압 유지 등입니다. 실험 과정에서 발생한 오차 요인 분석과 개선 방안도 제시되어 있습니다. 2. 브리지 정류회로 보고서에서는 4개의 다이오드를 사용하는 브리지 방식 정류회로를 설계하고 제작하였습니다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하여 실제 사용된 변압기의 비율이 1:1.27임을 확인하...2025.01.24
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Op Amp의 특성 측정 이 실험에서는 Op Amp의 특성을 측정하고 분석하였습니다. Offset Voltage, Offset Current와 같은 Op Amp의 한계를 이해하고, Integrator 회로에서 발생하는 Slew-rate 현상을 실험적으로 측정하였습니다. 실험 결과를 이론값과 비교 분석하여 Op Amp의 내부 구조와 작동 원리에 대해 이해할 수 있었습니다. 2. Integrator 회로 설계 Integrator 회로를 설계하고 실험하였습니다. RF 값에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하고, PSPICE 시뮬레이션 ...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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서강대학교 22년도 전자회로실험 10주차 결과레포트2025.01.131. MOSFET 소스 팔로워 소스 팔로어의 이론적인 전압이득은 1/gm이 작은 값이기에, 거의 1에 가까운 이득을 보인다. 바이어스가 포함된 소스 팔로어의 경우도, 소신호 등가회로를 이용해 전압이득을 계산할 수 있다. 실험 결과, 소스 팔로어의 전압이득을 측정해본 결과, 0.93이 나왔고, 이론값과 3.9%의 오차만 있어 소스 팔로어로서 잘 동작하고 있다고 할 수 있다. 2. 1단 증폭기 1단 증폭기는 등가회로로 생각할 수 있고, 이때 전압이득은 쉽게 구할 수 있다. 실험 결과, 1단 증폭기의 전압이득은 이론값 3.955와 측정값...2025.01.13
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