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옴의 법칙 결과보고서2025.05.081. 옴의 법칙 실험 1에서는 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 표시저항과 계산한 저항값의 오차가 매우 작았고 V-I 그래프에서 일정한 기울기를 보여 옴성 물질임을 확인할 수 있었다. 실험 2와 3에서는 다이오드가 옴의 법칙을 만족하지 않는 비옴성 물질임을 확인하였다. 다이오드의 전압-전류 특성이 직선이 아니며 저항값도 일정하지 않았다. 또한 다이오드에 역방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지 않는 극성 특성을 보였다. 발광 다이오드의 경우 색에 따라 순방향 전압값에 차이가 있었다. 2. 저항 실험 1에서 사용한 33Ω과 1...2025.05.08
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JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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MOSFET의 특성 실험2025.05.111. MOSFET의 동작 원리 MOSFET 소자는 게이트의 전압을 인가시켜 드레인과 소스 사이에 채널을 형성하고, 그 채널을 통해 전류가 흐르게 하는 소자이다. 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. MOSFET의 드레인 특성곡선 실험 결과에 따르면 V_GS값이 3V까지는 I_D가 급격하게 증가하다가 4V 이후부터는 기울기가 감소하여 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이로 미루어 보아 핀치오프 전압은 약 4V라고 할 수 있고...2025.05.11
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옴의 법칙 실험하기2025.05.091. 옴의 법칙 옴의 법칙(Ohm's law)은 전기회로 내의 전류(I), 전압(V), 저항(R) 사이의 관계를 나타내는 법칙으로, 전압의 크기를 V, 전류의 세기를 I, 전기저항을 R이라 할 때, V = IR의 관계가 성립한다는 법칙이다. 이번 실험에서는 옴의 법칙을 여러 방면으로 측정하고 검증해 보았으며, 옴의 법칙이 실제로 거의 정확하게 들어맞는 경향이 있으나 정확한 선형을 따르지는 않았다. 이를 통해 옴의 법칙에 대해 조금 더 이해할 수 있었다. 2. 전압, 전류, 저항의 관계 옴의 법칙에 따르면 전압(V), 전류(I), 저...2025.05.09
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A+받은 정류회로 예비레포트2025.05.101. 반파 정류회로 반파 정류회로의 출력파형을 측정하였습니다. 반파 정류회로는 정현파 교류의 한 반주기만 직류로 변환하는 방식으로, 평균 직류 전압은 입력 전압의 최대값의 0.318배가 됩니다. 다이오드의 피크 역방향 전압(PIV)는 입력 전압의 최대값과 같습니다. 2. 전파 정류회로(중간탭) 전파 정류회로(중간탭)의 출력파형을 측정하였습니다. 전파 정류회로는 정현파 교류의 양의 반주기와 음의 반주기를 모두 직류로 변환하는 방식으로, 평균 직류 전압은 입력 전압의 최대값의 0.636배가 됩니다. 다이오드의 피크 역방향 전압(PIV)...2025.05.10
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MOSFET 실험 1-Large Signal Analysis 1_결과레포트2025.01.121. MOSFET 실험 이 보고서는 MOSFET의 전압-전류 특성을 이해하기 위해 진행된 실험 결과를 다루고 있습니다. 실험 1-a에서는 NMOSFET을 사용했고, 실험 1-b에서는 PMOSFET을 사용했습니다. 실험 결과, MOSFET의 전압-전류 관계는 exponential한 특성을 가지고 있음을 확인할 수 있었습니다. 실험 1-a에서는 시뮬레이션 결과와 실험 결과가 잘 일치했지만, 실험 1-b에서는 시뮬레이션 결과와 실험 결과가 다르게 나타났습니다. 이는 MOSFET 설정값을 잘못 설정했기 때문으로 추정됩니다. 1. MOSFE...2025.01.12
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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건국대학교 전기전자기초실험2 다이오드1 예비레포트+결과레포트2025.01.221. 다이오드 종류 다이오드에는 정류 다이오드, 스위칭 다이오드, 정전압 다이오드, 가변 용량 다이오드, 발광 다이오드, MES(쇼트키) 다이오드, 수광 다이오드, 브릿지 다이오드 등 다양한 종류가 있다. 각 다이오드는 고유한 특성을 가지고 있어 다양한 용도로 사용된다. 2. 다이오드 극성 판별 다이오드는 양극으로부터 음극으로 전류가 흐르며 그 반대로는 전류가 흐르지 않는다. 이를 이용하여 순방향과 역방향의 저항을 측정하면 다이오드의 이상 유무나 극성을 알 수 있다. 아날로그 테스터기와 디지털 테스터기의 측정 방법이 다르므로 이를 ...2025.01.22
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A+받은 정류회로 결과레포트2025.05.101. 반파 정류회로 실험을 통해 다이오드 1개를 이용한 반파 정류회로의 동작을 확인하였다. 입력전압의 양의 반주기에서 다이오드가 도통되어 정류가 이루어지며, 출력전압의 peak값은 입력전압의 peak값에서 다이오드의 도통 전압을 뺀 값이 된다. 또한 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교하여 오차를 계산하였다. 2. 전파 정류회로 실험을 통해 다이오드 2개를 이용한 전파 정류회로의 동작을 확인하였다. 입력전압의 양의 반주기와 음의 반주기에서 각각 다른 다이오드가 도통되어 정류가 이루어지며, 출력전압의 peak값은 입력전압의 peak값에...2025.05.10
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트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
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