1. MOSFET 소자 특성 측정 이번 실험은 MOSFET의 iD-vGS의 특성곡선을 바탕으로 kn, gm 구하고, 을 변경해가며 나타낸 iD-vGS의 특성곡선을 바탕으로 을 구하는 실험이었다. 이상적인 실험이 진행되었을 경우에는 ≃ 인 전압을 기준으로 전류가 급격하게 증가했을 때는 Triode region을, 전류의 증가량이 작아졌을 때 Saturation region을 확인할 수 있었을 것이다. 이번 실험은 전체적으로 매우 큰 오차율을 보였다. 그 원인으로 DMM의 전류 측정 기능이 제대로 작동하지 않았기 때문이며, 단...

1. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터 시트를 사용하여 문턱 전압 VT와 전도도 계수 kn을 구했습니다. kn을 구하기 위해 필요한 수식과 수치를 자세히 설명했습니다. 또한 구한 kn 값을 이용하여 과전압 VOV=0.6V일 때의 전도 transconductance gm 값을 계산했습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계했습니다. PSPICE를 이용해 드레인 전류-게이트 전압(iD-vGS) 특성 곡선을 시뮬레이션했습니다. 이를 통해 문턱 전압 VT를 구하고 데...