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Synthesis and structure of perovskite Ceramics2025.05.011. Perovskite Ceramics Perovskite는 ABX3의 구조를 갖는 물질로, 산화칼슘(CaTiO3)에서 처음 발견됐다. perovskite를 구성하는 A와 B는 양이온이고, X는 음이온이다. 일반적으로 X는 산소나 할로젠 원소이며, B은 배위수가 6인 금속이온이다. 원자의 크기는 A가 B보다 크며, 일반적인 입방 구조는 cuboctahedral 환경의 음이온과 A 양이온이 12배위, B 양이온이 6배위로 결합하고 있는 형태이다. 하지만 물질이 존재하는 환경이나, 두 양이온의 상대적인 크기에 따라서 unit cell...2025.05.01
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Crystal growth X-ray diffraction, structure transition of BaTiO3 결과보고서2025.05.051. Crystal growth & X-ray diffraction 고상소결법을 통해 BaTi, CaTi, SrTi를 제작하고 X-ray diffraction을 이용하여 시료를 측정함으로써 회절패턴을 관측하였다. 이를 통해 시료의 격자구조를 분석하고 이론값과 실험값을 비교하여 오차가 발생한 원인을 고찰하였다. 2. Structure transition of BaTi BaTi의 온도에 따른 전기용량의 변화를 측정하고 이를 통해 유전상수를 계산하여 상전이가 일어나는 지점을 파악하였다. 1. Crystal growth & X-ray di...2025.05.05
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BaTiO3의 유전율 측정 및 분석 실험2025.12.181. 강유전체(Ferroelectric)와 BaTiO3의 물성 BaTiO3는 페로브스카이트 구조를 가진 강유전성 물질로, 외부 전압이 없어도 자발적으로 내부에 분극이 발생하여 전기적 극성을 띤다. 온도에 따른 결정 구조의 왜곡으로 인해 고온에서 입방정계에서 상온에서 정방정계 구조로 변화하며, 중앙의 티타늄 이온이 미세하게 이동하여 자발적인 전기 쌍극자가 형성된다. 강자성체와 유사한 히스테리시스 특성을 지니어 전계 제거 후에도 잔류 분극이 유지된다. 2. 유전 상수(Dielectric Constant)와 정전 용량(Capacitanc...2025.12.18
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BaTiO3의 고상 합성 및 XRD 회절 분석2025.12.181. 고상 합성법(Solid-State Synthesis) 고상 합성법은 두 가지 이상의 고체 상태 혼합물에 에너지를 가하여 새로운 고체상 생성물을 합성하는 방법입니다. 주로 단결정 및 다결정 분말 합성에 사용되며, 전이 금속 및 양이온을 포함한 인산염 및 비소산염 물질 합성에 활용됩니다. 핵 생성과 결정 성장 과정을 거쳐 결정화되며, 예비 처리 단계에서 원하는 전구체를 정량하여 분쇄한 후 고온으로 가열하여 휘발성 물질을 제거합니다. 결정 성장 단계에서는 고온으로 가열하여 이온들이 핵생성 부위로 이동하면서 결정이 성장하도록 합니다....2025.12.18
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[무기화학실험] 강유전체 BaTiO3의 합성과 상전이_결과보고서 A+2025.01.291. 강유전체 강유전체(ferroelectircs)는 외부 전기장 없이도 스스로 분극 (자발 분극, spontaneous polarization, Ps)을 가지는 재료로서 외부 전기장에 의해 분극의 방향이 바뀔 수 있는 물질을 뜻한다. 주로 산화물이 많이 응용되고 있으며, 이번 실험에서 사용하는 물질인 BaTiO3가 가장 대표적인 재료이다. 2. BaTiO3의 결정 구조 변화 BaTiO3는 상변이를 통해 온도에 따라 결정 구조가 변화한다. 상온에서는 정방정(tetragonal) 결정 구조를 가지며 양이온 Ti4+가 음이온 O2-의 ...2025.01.29
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Film growth (반도체)2025.05.081. Epitaxy Epitaxy는 epi(위에) + taxis(배열)의 합성어로, 결정성 기판 위에 단결정 박막을 성장시키는 기술을 의미한다. 호모에피택시는 동일한 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용하며, 헤테로에피택시는 서로 다른 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용한다. 에피택시 성장에서는 격자 불일치로 인한 응력 완화와 임계 두께 등의 개념이 중요하다. 2. Molecular Beam Epitaxy (MBE) MBE는 초고진공 환경에서 분자 빔을 이용하여 반도체 박막을 에피택시 성장시키는 기술이다. MBE는 낮은 성장 속도, ...2025.05.08