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고온 NVM (SiBCN) 메모리 기술 설명서2025.12.211. MOSCAP 구조 및 층 구성 TiN/Ru–AlN–Al₂O₃–SiBCN–SiO₂–SiC 구조의 MOSCAP은 300°C 이상의 극한 환경에서 안정적으로 전하를 저장 및 소거할 수 있도록 설계된 Deep-Trap형 고온 메모리 소자이다. 각 층은 특정 기능을 수행하며, TiN/Ru 게이트는 고온 안정 금속으로 낮은 누설을 제공하고, AlN 캡층은 산화 방지 및 산소 확산 차단, Al₂O₃는 고유전 절연층으로 전하 주입 제어, SiBCN은 Deep Trap 층으로 전하 저장 기능을 제공한다. 2. SiBCN 트랩층 특성 SiBCN...2025.12.21
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고온 NVM 트랩층 재료 SiBCN vs SiAlBN 비교2025.12.211. SiBCN 트랩층 재료 SiBCN은 Si–N, B–N, C–N, Si–C 결합으로 구성된 Deep Localized Trap 구조의 트랩층 재료입니다. 밴드갭은 5.3–5.7 eV, 유전상수는 6.3–6.8이며, 유효 트랩 깊이(Et_eff)는 약 2.8 eV입니다. B–N 결합의 강한 안정성으로 인해 25°C에서 10¹¹초 이상의 보유시간을 보이며, 250°C에서도 약 3년(10⁸초)의 보유력을 유지합니다. 최대 공정온도는 약 1100°C로 높은 열적 안정성을 가지고 있습니다. 2. SiAlBN 트랩층 재료 SiAlBN은 S...2025.12.21
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고온 비휘발성 메모리 트랩층 재료 비교 분석2025.12.211. 비휘발성 메모리(NVM) 트랩층 재료 CAlBN, SiAlBN, SiBCN 세 가지 화합물 반도체 재료를 고온 동작 비휘발성 메모리의 트랩층 후보로 비교 분석한다. 각 재료는 비정질 또는 나노결정 형태이며, 전자 구조, 트랩 특성, 보유시간, P/E 속도, 공정 호환성 등을 종합적으로 평가하여 응용 분야별 적합성을 제시한다. 2. Deep Trap 설계 및 전자 구조 SiAlBN은 Et_eff 2.9-3.1 eV의 Deep Trap 특성으로 고온 NVM에 최적화되어 있다. CAlBN은 Mid+Deep Trap 혼합 특성(Et_...2025.12.21
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고온 데이터 저장 기술 비교 분석2025.12.211. 고온 저장 기술 개요 고온 환경(150°C~350°C 이상)에서 사용 가능한 데이터 저장 기술을 비교 분석한 보고서이다. HDD, SSD(NAND), FRAM, PCM, HTDR 산업용 메모리와 제안된 SiBCN/SiAlBN/SiYBN 기반 SiC MOSCAP 계열을 포함하여 각 기술의 고온 내성, 보존 기간, 속도, 산업화 수준을 종합적으로 검토한다. 2. 기존 저장 기술의 한계 HDD는 60°C 이하에서만 안정적이며 기계식 구조로 인해 고온에 취약하다. SSD(NAND)는 70°C 이하에서만 동작하며 고온에서 트랩 누설이 ...2025.12.21
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고온 칩 로드맵: CPU, FPGA, ASIC 기술 분석2025.12.211. 고온 반도체 기술 150°C에서 350°C 이상의 초고온 환경에서 동작 가능한 CPU, FPGA, ASIC 기술의 현황과 개발 동향을 분석한다. SiBCN, SiAlBN, SiYBN 기반의 SiC MOSCAP 구조가 초고온 환경에서 비휘발성 데이터 저장의 핵심 후보로 평가된다. 석유/가스 시추, 우주 탐사, 항공 엔진, 원자로 모니터링 등 극한 환경에서의 전자 시스템 수요가 증가하고 있다. 2. 초고온 동작의 기술적 과제 일반 CPU/FPGA는 90~150°C에서 손상 위험이 발생한다. 초고온 환경에서는 누설전류 급증, 산화막...2025.12.21
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고온 비휘발성 메모리 기술 및 신규 재료 개발2025.12.211. HT-RNVM 기술 250-350°C 초고온 환경에서 동작 가능한 고온 비휘발성 메모리 기술로, trap-engineered 재료를 기반으로 개발되었습니다. 기존 charge-trap 재료의 고온 retention 붕괴 문제를 극복하기 위해 deep-trap 기반 조성 설계와 고온 구조 최적화를 포함하며, 재료·공정·소자·회로·신뢰성 전반의 기술을 통합합니다. 2. Trap-engineered 신규 재료 SiAlBN, SiBCN, SiYBN, CAlBN, SiCAlN 등 초고온 환경에서의 성능 향상을 위해 개발된 신규 재료들입...2025.12.21
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초고온 HT-RNVM 재료 기술 및 응용2025.12.211. 신규 트랩 재료 개발 250-350°C 초고온 환경에서 동작 가능한 5가지 신규 trap-engineered 재료(SiAlBN, SiBCN, SiYBN, CAlBN, SiCAlN)를 개발했다. 이들은 Al-N, B-N, Y-N, C-N 기반의 깊은 국소화된 트랩 구조를 가지며, 활성화 에너지(Ea)가 2.3 eV 이상으로 고온에서도 안정적인 데이터 보유 특성을 제공한다. 기존 산소 결핍 기반 재료와 달리 비산소 기반 결합이 주결합을 이루어 초고온 산화 스트레스에 강하다. 2. 고온 메모리 신뢰성 기술 기존 Flash, CTM,...2025.12.21