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[고려대학교 보건환경융합과학부 방사선안전분석] Lab 4 Resolving Time2025.01.131. GM 튜브의 작동 원리 방사선은 GM 튜브 내의 가스 원자를 이온화하여 전자와 양이온을 생성합니다. 이 하전 입자들이 전극을 향해 이동하면서 추가 이온화를 유발하여 GM 튜브에서 측정 가능한 전기 펄스가 생성됩니다. 이 펄스는 GM 튜브의 회로에 의해 증폭되어 외부로 큰 출력의 전류가 흐르게 됩니다. 2. GM 카운터의 deadtime GM 카운터는 동시에 존재하는 하나 이상의 입자를 구별할 수 없습니다. 이러한 상태의 시간을 GM 카운터의 deadtime이라고 합니다. Deadtime 동안 검출기 전자 장치의 포화로 인해 측...2025.01.13
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[고려대학교 보건환경융합과학부 방사선안전분석] Lab 1 Plotting a GM Plateau2025.01.131. GM 튜브의 작동 원리 GM 튜브의 작동 원리를 설명하고 있습니다. 입사한 방사선이 내부에 충전된 가스 혼합물과 상호작용하면서 전자와 양이온으로 분리되고, 전자와 양이온은 양극과 음극의 전기장에 의해 수집됩니다. 이 때 quenching 가스를 넣어 양이온이 음극에 가서 또 다른 전자 avalanche를 일으키는 것을 방지합니다. 전자는 이동하면서 에너지를 얻고 가스 원자와 충돌하면 더 많은 원자를 이온화시켜 전자 avalanche를 일으키며, 이러한 avalanche는 전기 펄스를 생성하고 GM 튜브는 이를 측정하는 장치입니...2025.01.13
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방사능 검출 실험 결과2025.01.131. 방사선과 방사능 방사선은 붕괴 등의 여러 에너지를 방출하는 현상에서 나오는 입자선이나 전자기파를 의미하며, 방사능은 방사성 물질이 방사선을 내는 강도를 나타내는 것이다. 방사능 활동의 양을 나타내는 국제 표준 단위는 Bq(Becquerel, 베크렐)로 1Bq은 1초에 1개의 원자핵이 붕괴하는 방사능 활동을 의미한다. 2. 방사선의 종류 방사선은 이온화 방사선(전리 방사선)과 비이온화 방사선(비전리 방사선)으로 구분된다. 이온화 방사선에는 알파선, 베타선, X선, 감마선 등이 있으며, 비이온화 방사선에는 가시광선, 적외선, 마이...2025.01.13
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[고려대학교 보건환경융합과학부 방사선안전분석] Lab 11 Beta Decay Energy2025.01.131. 베타 붕괴 베타 붕괴는 불안정한 원자핵이 베타 입자를 방출하는 핵 붕괴 과정이다. 베타 붕괴에는 베타 마이너스 붕괴와 베타 플러스 붕괴 두 가지 유형이 있다. 베타 마이너스 붕괴는 약한 상호작용으로 인해 일어나며, 베타 플러스 붕괴는 핵분열한 후 생긴 딸핵의 에너지가 모핵의 에너지보다 높은 결합에너지를 가질 때 원자핵 내부에서만 일어날 수 있다. 2. 흡수체 두께 단위 흡수체의 물리적인 두께 단위인 m, cm, mm 등을 사용할 수도 있지만 흡수체의 효율성을 잘 설명하기 위해 밀도 두께의 단위인 g/cm^2, mg/cm^2 등...2025.01.13
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[고려대학교 보건환경융합과학부 방사선안전분석] Lab 13 Half-Life of Ba-137m2025.01.131. Ba-137m 동위원소 발생기 Ba-137m 동위원소 발생기 키트를 이용하여 Ba-137m을 얻는다. 묽은 염산에 들어있는 소금물 용액을 주사기에 채운 후 주사기를 Cs와 Ba이 들어있는 통에 꽂아 주사하면 안에서 붕괴되어 Ba-137m이 섞인 용액이 나오게 된다. 2. Ba-137m 붕괴 다이어그램 Ba-137m 동위원소 발생기에서 Ba-137m을 얻는 과정에 대한 붕괴 다이어그램을 그려야 한다. 3. Sr-90과 Po-210의 반감기 Sr-90의 반감기는 28.6년이고, Po-210의 반감기는 138일이다. 현재 Sr-90...2025.01.13
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11