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산화 환원 적정: Fe2+와 Ce4+ 반응2025.11.131. 산화 환원 적정 (Redox Titration) 산화 환원 적정은 산화제와 환원제 사이의 전자 이동을 이용하여 물질의 농도를 결정하는 분석 방법입니다. Fe2+와 Ce4+ 사이의 반응에서 Fe2+는 환원제로 작용하여 산화되고, Ce4+는 산화제로 작용하여 환원됩니다. 이 반응의 당량점에서 색 변화를 관찰하여 정량 분석을 수행할 수 있습니다. 2. Fe2+ 산화 (Iron(II) Oxidation) Fe2+ 이온은 산화 환원 적정에서 환원제로 사용되는 중요한 물질입니다. Ce4+에 의해 산화되어 Fe3+로 변환되며, 이 과정에서...2025.11.13
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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트랜지스터 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 증폭작용 트랜지스터의 가장 핵심적인 기능은 전류 증폭기로서의 기능이다. 트랜지스터를 이용하여 적절한 회로를 구성하면 베이스 전류가 입력전류이고 컬렉터 전류를 출력 전류로 할 때 I_C = betaI_B(beta는 전류 증폭률)의 관계식이 성립한다. 트랜지스터 회로의 전류 증폭률을 계산함으로써 회로의 동작 특성을 확인할 수 있다. 2. 이미터 공통(common emitter)회로 이미터 공통 회로에서 I_B와 I_C는 각각 I_B' = (V_RB) / (V_B) = (V_BB - V_B) / (V_R)와 I_C = ...2025.01.03
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BJT 다단 증폭기 설계 및 구현2025.11.141. 차동 증폭기(Differential Amplifier) BJT를 이용한 차동 증폭기는 두 개의 트랜지스터로 구성되며, 공통 이미터 저항을 통해 고정된 꼬리 전류를 생성한다. 비반전 입력과 반전 입력을 받아 단측 또는 차동 출력을 생성할 수 있다. 입력 임피던스는 2βr'e로 CE 증폭기보다 2배 높으며, 공통신호 제거비(CMRR)는 R_E/r'e로 표현된다. 차동 증폭기의 전압이득은 A_V = R_C/(2r'e)이고, 공통신호에 대한 이득은 A_V(CM) = R_C/(2R_E)이다. 2. VDB 증폭기(Voltage Divid...2025.11.14
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Common Emitter Amplifier 주파수 특성 분석2025.11.181. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 측정하고 평가한다. 100 kHz, 20 mVpp 사인파 입력 시 출력파형을 PSPICE로 시뮬레이션하여 최대값 153.346mV, 최소값 161.546mV를 얻었으며 max/min 비율은 94.92%이다. 전체 전압 이득은 -14.7(V/V)이고, 10 Hz에서 10 MHz까지의 주파수 응답 특성을 로그 스케일로 분석한다. 2. 3dB Bandwidth 및 Unit Gain Fr...2025.11.18
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.05.011. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각 159.256 [mV], 167.574 [mV]이며, V_max/|V_min| 비율은 95.036%입니다. 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amp...2025.05.01
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숭실대학교 신소재공학실험2 산화물 형광체 분말 합성 예비보고서2025.01.211. 고상법(Solid state reaction) 고체상 반응법이라고도 불리는 고상법은 고체입자의 확산을 통해 입자를 제조하는 방법이다. 산화물 상태에서의 고체 상태의 입자들을 섞은 후 고온에서의 열처리와 밀링 공정을 거쳐 화합물을 생성할 수 있다. 고상법을 이용한 대표적인 반응은 BaTiO3 분말 제조이다. 2. BaTiO3 분말 제조 BaCO3와 TiO2를 혼합하고 고온에서 고상 확산 반응을 시켜 BaTiO3 분말을 제조할 수 있다. 이 반응은 3단계로 구분되는데, 먼저 BaCO3와 TiO2가 반응하여 BaTiO3가 형성되고,...2025.01.21
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쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성 실험2025.11.161. BJT의 구조 및 종류 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)는 전자와 정공 두 가지 캐리어가 전류 메커니즘에 관여하는 반도체 소자입니다. NPN 트랜지스터는 두 개의 N형 층이 가운데 P형 층으로 분리된 구조이고, PNP 트랜지스터는 두 개의 P형 층이 가운데 N형 층으로 분리된 구조입니다. 두 종류 모두 에미터, 베이스, 콜렉터 세 개의 단자를 가지며, 에미터의 화살표 방향으로 구분됩니다. 2. BJT의 동작원리 및 전류증폭 BJT는 에미터에서 출발한 정공이 콜렉터에 도달할 때 전류가 흐릅니다. 작은 베이스 전류가 인가되면 콜렉터...2025.11.16
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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활성탄을 이용한 아세트산 흡착량 계산 실험2025.11.141. 활성탄 흡착 활성탄은 흡착 능력이 강한 물질로 기체, 습기, 액체 물질을 흡수하는 데 사용된다. 본 실험에서는 활성탄을 흡착제로 사용하여 아세트산을 흡착시켰다. 활성탄의 표면에는 미세한 공극이 있어 물질을 효과적으로 흡착할 수 있으며, 흡착 과정에서 활성탄과 아세트산이 충분히 혼합되어야 효율적인 흡착이 일어난다. 교반을 통해 규칙적인 rpm으로 용액을 혼합하면 물질을 균일하게 섞을 수 있다. 2. 산-염기 적정 산-염기 적정은 미지 농도의 산 또는 염기를 표준 용액으로 적정하여 농도를 결정하는 분석 방법이다. 본 실험에서는 1...2025.11.14
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