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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성)2025.01.291. 증폭기의 주파수 응답 특성 이번 실험에서는 증폭기의 주파수 응답 특성을 이해하기 위해 다양한 주파수 조건에서 증폭기의 이득 변화를 측정하고 분석하였습니다. 주파수가 낮을 때는 이득이 일정하게 유지되지만, 특정 주파수를 넘어가면 이득이 급격히 감소하는 현상을 관찰할 수 있었습니다. 이를 통해 증폭기의 대역폭을 결정하는 3dB 주파수의 중요성을 확인할 수 있었으며, 대역폭이 제한되는 원인이 회로 내부의 기생 요소나 소자의 대역폭 한계 등 다양한 요인에 의해 발생한다는 점도 인식하게 되었습니다. 2. 3dB 주파수 계산값과 측정값의...2025.01.29
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[전자공학응용실험]11주차_7차실험_실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성_결과레포트_A+2025.01.291. 증폭기의 주파수 응답 특성 이번 실험에서는 증폭기의 주파수 응답 특성을 확인하기 위한 실험이었습니다. 실험 결과 1kHz에서 최대 전압 이득을 찾았고, 주파수를 1kHz에서 1MHz로 증가시키면서 전압 이득을 확인하여 3dB 주파수를 측정하였습니다. 계산값과 측정값의 차이는 소자 특성의 차이와 저항 오차 때문인 것으로 분석되었습니다. 또한 3dB 주파수를 증가시키기 위해서는 이득을 줄이는 것이 필요하다는 것을 알 수 있었습니다. 1. 증폭기의 주파수 응답 특성 증폭기의 주파수 응답 특성은 증폭기가 입력 신호의 주파수에 따라 어...2025.01.29
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증폭기의 주파수 응답 특성 결과 보고서2025.05.041. 증폭기의 주파수 응답 특성 실험을 통해 1kHz, 100mV_{p-p}, V_{DD} = 5V 조건에서 증폭기의 주파수 응답 특성을 측정하였다. 입력 전압 100mV에 대해 출력 전압을 측정한 결과, 1kHz에서 209mV, 4V의 전압 이득 19.13V/V를 보였다. 주파수가 증가함에 따라 전압 이득이 감소하여 100kHz에서 2.4V, 11.48V/V, 1MHz에서 233mV, 1.2V/V를 나타냈다. 3dB 주파수는 81kHz로 측정되었다. 입력 전압 측정 시 오차가 발생하였고, 3dB 주파수 계산 값과 측정 값의 차이가...2025.05.04
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Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 예비보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 보고서의 목적은 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가하는 것입니다. 보고서에는 PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 주파수 특성 그래프 작성, 3dB 주파수와 unity gain 주파수 측정 등의 내용이 포함되어 있습니다. 또한 증폭기 이득, 전압 이득 등의 특성 변화를 분석하고 그 이유를 설명하고 있습니다. 1. Common Emitter Amp...2025.04.27
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증폭기의 주파수 응답 특성2025.01.021. 증폭기의 주파수 응답 특성 실험을 통해 증폭기의 주파수 응답 특성을 확인하였습니다. 주요 결과는 다음과 같습니다. 70Hz~55kHz 범위에서 전압 이득은 8.8V/V로 측정되었고, 17Hz와 77kHz에서 전압 이득이 감소하는 것을 확인하였습니다. 1MHz까지는 전압 이득 측정이 잘 되었지만 10MHz를 초과하는 영역과 50Hz 미만의 영역에서는 측정이 어려웠습니다. 이는 MOSFET의 기생 커패시턴스로 인해 주파수가 증가함에 따라 전압 이득이 감소하는 것으로 추정됩니다. 이득 대역폭 곱은 큰 폭의 변화 없이 거의 일정한 것...2025.01.02
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아주대 전자회로실험 설계3 결과보고서2025.05.091. 최대 출력전압 및 주파수 측정 최대 출력전압(Vpp)은 43.014kHz에서 2.0884Vpp로 나타났습니다. 2. 3dB 감소 주파수 측정 최대 peak 값보다 3dB 감소(0.707) 하는 주파수는 40.918kHz와 45kHz로 측정되었습니다. 3. Center frequency 및 Center frequency gain 측정 Center frequency는 43.014kHz이며 gain은 1.044로 1에 가깝게 나왔습니다. 4. 3dB bandwidth 및 20dB bandwidth 측정 3dB bandwidth는 4...2025.05.09
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 7_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과회로에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10uF으로 하고 CE 증폭기에 100㎑, 20mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하였다. 출력전압의 최대값은 152mV, 최솟값은 -137mV이다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 10㎒까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그렸다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 Unit gain frequency까지 변...2025.01.11
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전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가합니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성합니다. RE와 커패시터 변경에 따른 주파수 특성 변화도 확인합니다. 2. RE 변화에 따른 주파수 특성 RE를 ±10% 변경했을 때 overall voltage gain의 최대값, 3dB bandwidth, unity...2025.01.22
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홍익대학교 전자회로(2) H-SPICE 시뮬레이션 보고서2025.04.261. CS Amp 설계 CS Amp 설계 시 전압이득 20 정도를 얻기 위해 M2 NMOS TR의 W/L 크기와 Vb 바이어스 전압을 조절하였다. M2가 Current Source로 동작할 수 있도록 VDS에 따른 전류 변화가 작은 조건을 찾았으며, 전압이득을 높이기 위해 M1 PMOS TR의 W 크기를 조절하였다. 최종적으로 M2의 W/L을 0.6um, Vb를 0.62V로 설정하고 M1의 W를 0.4um로 설정하여 전압이득 22.4를 얻었다. 2. Transient 시뮬레이션 Vin에 1.86V DC 바이어스와 10mV Peak-...2025.04.26
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실험 18_증폭기의 주파수 응답 특성 결과보고서2025.04.281. 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하였습니다. 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 전압 이득이 유지되는 주파수 범위를 나타냅니다. 실험을 통해 이득 대역폭의 곱이 일정한 관계가 성립함을 확인하였습니다. 2. 공통 소스 증폭기 설계 실험에서는 [실험 16]과 [실험 17]에서 구현한 공통 소스 증폭기 회로를 사용하였습니다. DC 전압 및 전압 이득이...2025.04.28
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