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BJT 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스 실험2025.11.171. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 한 개 또는 두 개의 전원을 이용하여 구성되며, 고정 바이어스보다 향상된 안정도를 제공한다. βRE≫RB 조건에서 이미터 전류는 BJT의 β 영향을 받지 않으므로, 트랜지스터 교환 시 IC와 VCE의 변화가 거의 없다. 실험에서 2N3904 트랜지스터를 사용하여 β값 162.3105를 결정하고, 측정된 VB=5.7902V, VRC=5.0742V로부터 IB=14.2098uA, IC=2.3065mA를 계산했다. 2. 컬렉터 피드백 회로 컬렉터 피드백 회로는 베이스 저항이 BJT의 컬렉터...2025.11.17
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BJT 바이어스 회로 실험 분석2025.11.161. BJT 고정 바이어스 회로 BJT의 고정 바이어스 회로는 베이스 저항을 통해 일정한 베이스 전류를 공급하는 방식입니다. 실험에서 2N3904와 2N4401 트랜지스터를 사용하여 동작점 변화를 측정했으며, VBE는 0.65V, IC는 약 4.2mA로 나타났습니다. 이론값과 측정값의 오차는 가변저항 측정 부정확성과 DMM 내부저항의 영향으로 발생했습니다. 2. BJT 전압 분배기 바이어스 회로 전압 분배기 바이어스 회로는 두 개의 저항으로 베이스 전압을 분배하여 안정적인 바이어스를 제공합니다. 실험 결과 2N3904에서 VB 0....2025.11.16
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BJT 바이어스 회로의 동작점 분석 및 특성 비교2025.11.161. BJT 동작 영역 바이폴라 접합 트랜지스터는 차단, 활성, 포화의 3가지 영역으로 동작한다. 차단영역은 Emitter와 Base 사이에 역방향 전압을 공급하여 전류 흐름이 없는 상태이고, 활성영역은 Base-Emitter 간 순방향, Base-Collector 간 역방향 전압으로 선형 증폭이 가능하며, 포화영역은 모두 순방향 바이어스되어 스위치 완전 ON 상태가 된다. 증폭기로 사용되려면 활성영역의 중간에서 동작하도록 바이어스를 설정해야 한다. 2. 고정 바이어스 회로 가장 기초적인 바이어스 방법으로 베이스 전류는 회로의 전압...2025.11.16
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.04.301. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하여 릴레이 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 내용을 다루고 있습니다. BJT 2N3904를 사용하여 LED를 구동하는 회로를 설계하고, BJT가 포화 영역에서 동작하도록 회로 파라미터를 설정하는 방법을 설명합니다. 또한 MOSFET 2N7000을 이용한 LED 구동 회로를 설계하고, MOSFET의 트라이오드 영역에서의 동작 특성을 활용하여 ...2025.04.30
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전자회로설계실습 5번 예비보고서2025.01.201. BJT와 MOSFET을 이용한 LED 구동회로 설계 이 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531(2V, 20mA) LED를 구동하는 회로를 설계하고, 이를 위해 필요한 저항 값들을 계산하고 있습니다. 또한 MOSFET 2N7000을 사용하여 LED를 구동하는 회로를 설계하고, MOSFET의 특성을 이용...2025.01.20
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 예비보고서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하고 그 동작을 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 구체적으로 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고, MOSFET 2N7000을 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 각 회로의 동작 원리와 설계 과정, 측정 결과 등이 자세히 기술되어 있습니다. 1. BJ...2025.05.14
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 설계 이 자료는 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch) 회로 설계에 대해 설명하고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. BJT를 사용한 LED 구동 회로 설계: BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 방법을 설명합니다. 이때 BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하도록 하기 위한 조건을 제시합니다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동 회로 설계: 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B453...2025.01.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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기초전자실험 - 19장 공통 이미터 증폭기 설계2025.04.301. 공통 이미터 증폭기 설계 공통 이미터 증폭기를 설계, 구성하고 시험하였다. 직류 바이어스와 교류 증폭값을 계산하고 측정하였다. 설계 과정에서 트랜지스터 규격과 회로의 동작 조건을 상세히 정의하였다. 실제 회로를 구성하기 전에 컴퓨터를 이용한 설계를 수행하고 테스트하였다. 2N3904 트랜지스터를 사용하였으며, 회로는 VCC = 10V, Av = 100 (최소값), Zi = 1kΩ (최소값), Zo = 10kΩ (최대값), 교류 출력 전압 스윙 = 3Vp-p (최대값), 부하 저항 RL = 10kΩ (최소값)의 특성을 가져야 한...2025.04.30
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 6. Common Emitter Amplifier 설계2025.04.301. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 BJT(2N3904)를 사용하여 Common Emitter Amplifier를 설계하고 회로 구성 및 측정 결과를 분석하였습니다. DC Power Supply를 이용하여 DC Bias parameter를 설정하고 Function Generator를 통해 AC parameter인 output voltage와 gain 값을 측정하였습니다. 측정 결과는 시뮬레이션 결과와 약 10% 이내의 오차를 보였습니다. 다만 일부 측정값이 예상보다 크게 나와 coupling capa...2025.04.30
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