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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 4장 연습문제 풀이2025.01.021. 바이폴라 접합 트랜지스터의 포화 및 차단 특성 1. 트랜지스터가 포화되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 일정 값 이상이 되어야 한다. 포화가 되기 위한 베이스-에미터 전압의 최소값은 약 0.7V이다. 2. 트랜지스터가 차단되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 0.7V 미만이 되어야 한다. 3. 트랜지스터의 포화 및 차단 특성을 분석하기 위해 KVL(Kirchhoff's Voltage Law)을 적용하여 관련 수식을 도출할 수 있다. 2. 트랜지스터의 등가 회로 및 파라미터 계산 4. 트랜지스터의 등가 회로를 이용하여 컬렉터-에미...2025.01.02
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디지털통신시스템설계 12주차 실습2025.05.091. WIFI 신호 파라미터 실습 강의노트에 있는 WIFI 규격 파라미터를 이용했다. iter는 시뮬레이션 반복을 의미하며 100회부터 1000000회까지 수를 늘리며 실험을 반복했다. EbN0는 0dB~10dB까지 1 간격으로 나타냈다. 2. 변조 방식 Modulation Type은 index로 표현했고 첫 번째는 BPSK를 나타내는 메시지의 수를 2로, 두 번째는 QPSK 메시지의 수를 4로 나타내어 index의 수만큼 반복문을 진행하고, 각각의 메시지 수에 따라 변조 방법을 달리 했다. BPSK는 실습에서 구현했던 코드를 진행...2025.05.09
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MOSFET 소자 특성 측정 실습 결과 보고서2025.01.041. MOSFET 회로 제작 및 측정 실험에서 MOSFET 회로를 제작하고 게이트 전압(VG)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하였다. 이를 통해 MOSFET의 ID-VGS 특성 곡선을 구할 수 있었다. 또한 문헌에서 확인한 MOSFET의 문턱 전압(VT)과 실험 결과를 비교하여 일치함을 확인하였다. 2. MOSFET 특성 곡선 측정 실험에서 드레인 전압(VD)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하여 MOSFET의 ID-VDS 특성 곡선을 구하였다. 이를 통해 MOSFET이 Triode 영역에서 Saturation 영역으로...2025.01.04
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[화공생물공학실험] 고분자 용해도 파라미터 측정 실험 결과레포트2025.01.191. 고분자 용해도 파라미터 측정 실험 본 실험에서는 PMMA 고분자를 Acetone, Acetophenone, Acetonitrile, Ethyl Acetate, Methyl Ethyl Ketone 등의 용매에 농도별로 녹여 점도계로 유출 시간을 측정하였다. 이를 통해 Huggins 식을 이용하여 고유점도와 용해도 파라미터를 계산하였다. 실험 결과 및 계산 과정이 자세히 제시되어 있다. 1. 고분자 용해도 파라미터 측정 실험 고분자 용해도 파라미터 측정 실험은 고분자 재료의 용해성을 이해하고 적절한 용매를 선택하는 데 매우 중요한...2025.01.19
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[A+ 레포트] 고분자 용해도 파라미터 측정 결과보고서2025.01.221. 고분자 용해도 파라미터 측정 실험을 통해 PMMA의 용해도 파라미터를 측정하였다. 실험 결과, PMMA의 용해도 파라미터는 Acetophenone의 용해도 파라미터와 가장 유사한 것으로 나타났다. 이는 PMMA의 분자 구조와 Acetophenone의 극성 특성이 잘 부합하기 때문으로 분석된다. 또한 고유점도와 용해도 파라미터, 혼합엔탈피의 관계를 통해 PMMA의 용해성을 설명할 수 있었다. 다만 용해도 파라미터 모델의 한계점도 존재하므로, 실험 결과에 대한 오차 분석이 필요하다. 1. 고분자 용해도 파라미터 측정 고분자 용해도...2025.01.22
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딥러닝의 통계적 이해 출석 수업 과제물 (2023, 만점)2025.01.241. Teachable Machine을 이용한 머신러닝 모델 구축 Teachable Machine을 활용하여 이미지를 학습시켰다. 사용한 이미지는 구글 이미지에서 '귀멸의 칼날'이라는 애니메이션의 주인공 4명의 다른 사진들을 각각 10장씩 찾은 뒤 머신러닝의 입력값으로 사용하였다. 본 머신러닝으로 실제로 가지고 있는 피규어 사진을 찍어 이 사진을 입력하면 애니메이션 캐릭터를 정확하게 분류할 수 있는지 파악하고자 하였다. 다양한 하이퍼파라미터 조정을 통해 최적의 정확도를 얻고자 하였으나, 설정에 따른 결과 비교를 대량으로 진행하여 거...2025.01.24
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[A+] 인천대 기계공학실험(1) 로봇실험 레포트2025.05.051. D-H 파라미터 D-H 파라미터는 Denavit-Hartenberg Parameter의 약자로 매니퓰레이터 내의 연결된 링크 간의 관계를 수학적으로 표현할 수 있는 기구학적인 모델링 방법이다. 공통법선이라는 개념을 이용하여 총 4개의 매개변수로 두 개의 링크 간 관계를 표현하는 방법이다. 링크길이, 링크의 비틀림 각도, 링크 간 전위, 링크 간 회전 등의 매개변수를 이용하여 동차변환 T를 구할 수 있다. 2. 정기구학 정기구학(Forward Kinematics)은 로봇을 구성하고 있는 링크와 관절의 각도와 길이로부터 로봇이 작...2025.05.05
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평가 데이터를 활용하여 기존 모델을 업데이트하는 베이지안 추론 (파이썬코드 예제포함)2025.05.091. 베이지안 추론 베이지안 추론은 데이터를 통해 모델을 업데이트하고 불확실성을 다루는데 유용한 통계적 추론 방법입니다. 특히, 새로운 데이터가 주어진 상황에서 모델의 파라미터를 추정하고 예측하기 위해 사용됩니다. 베이지안 추론은 사전 분포와 관측 데이터를 조합하여 사후 분포를 계산하며, 이를 통해 모델의 불확실성을 업데이트할 수 있습니다. 2. 모델 업데이트 데이터에 대한 정보를 사전 분포에 반영하고, 관측 데이터와 사전 분포를 조합하여 사후 분포를 계산함으로써 신뢰할 수 있는 결과를 얻을 수 있습니다. 이를 통해 기존 모델을 새...2025.05.09
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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[화공생물공학실험] 고분자 용해도 파라미터 측정 실험 예비레포트2025.01.191. 고분자 용해도 파라미터 고분자 용해도 파라미터의 정의, 특징, 계산 방법과 관련된 기본적인 이론을 학습하고, 이에 기반한 용매와 고분자 사이의 용해도에 대해 탐구한다. 고분자 용해성 파라미터 계산 방법 중 하나인 고분자 고유점도 측정법을 이해하고, 실험을 통해 고유 점도와 고분자 용해도 파라미터의 상관관계에 대해 분석한다. 2. PMMA 용액 제조 PMMA 에 대해 용매 당 비커를 4개씩 준비하고, PMMA 를 각각 1g/dl, 2g/dl, 3g/dl 넣은 PMMA 용액을 제조한다. 3. Ubbelohode 점도계 측정 Ubb...2025.01.19
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