총 77개
-
[A+]floyd 회로이론 예비레포트_20 커패시터(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에 전하가 모이게 된다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 직렬 연결된 커패시터들은 서로 전하를 채워주는(충전) 전류가 같고, 전체 커패시턴스는 줄어든다. 병...2025.05.13
-
[경희대 A+] 물리학및실험 RLC 임피던스 실험 레포트2025.05.101. 교류회로 교류(alternating current / AC)란 시간에 따라 크기와 방향이 주기적으로 변하는 전류로써 보통 AC로 표시한다. sin wave form 이 가장 일반적이며 사각파나 삼각파 등으로 변형이 가능하다. 전류 흐름의 방향이 일정한 직류와 여러 다른 성질을 갖고 있다. 2. 임피던스 회로의 임피던스impedance Z는 Z = sqrt { R^2 + (X_L - X_C )^2}이 때 R은 저항값, X_{L}는 유도리액턴스, X_{C}는 용량리액턴스이다. 이 식은 옴의 법칙을 적용했을 때 V=IZ 으로 나타내...2025.05.10
-
증폭기의 주파수 응답 특성2025.01.021. 증폭기의 주파수 응답 특성 실험을 통해 증폭기의 주파수 응답 특성을 확인하였습니다. 주요 결과는 다음과 같습니다. 70Hz~55kHz 범위에서 전압 이득은 8.8V/V로 측정되었고, 17Hz와 77kHz에서 전압 이득이 감소하는 것을 확인하였습니다. 1MHz까지는 전압 이득 측정이 잘 되었지만 10MHz를 초과하는 영역과 50Hz 미만의 영역에서는 측정이 어려웠습니다. 이는 MOSFET의 기생 커패시턴스로 인해 주파수가 증가함에 따라 전압 이득이 감소하는 것으로 추정됩니다. 이득 대역폭 곱은 큰 폭의 변화 없이 거의 일정한 것...2025.01.02
-
R, L, C 단독회로의 각각에 대한 전류와 전압의 위상차2025.01.041. R 단독회로 R 단독회로에서는 전압과 전류의 위상차가 발생하지 않습니다. DC 회로와 AC 회로 모두에서 저항만 있다면 전력 손실은 유효 전력만 발생하고 무효 전력은 없습니다. 또한 옴의 법칙에 따라 전류가 저항에 반비례하며, 직렬 연결된 저항들의 전압이 분배됩니다. 2. L 단독회로 L 단독회로에서는 전류가 전압보다 90도 늦게 흐릅니다. 이는 인덕터가 전압이 인가되면 전류의 변화를 방해하는 특성 때문입니다. 이로 인해 무효 전력이 발생하며, 전류가 갑자기 차단되면 큰 전압이 유기됩니다. 3. C 단독회로 C 단독회로에서는 ...2025.01.04
-
실험 18_증폭기의 주파수 응답 특성 결과보고서2025.04.281. 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하였습니다. 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 전압 이득이 유지되는 주파수 범위를 나타냅니다. 실험을 통해 이득 대역폭의 곱이 일정한 관계가 성립함을 확인하였습니다. 2. 공통 소스 증폭기 설계 실험에서는 [실험 16]과 [실험 17]에서 구현한 공통 소스 증폭기 회로를 사용하였습니다. DC 전압 및 전압 이득이...2025.04.28
-
숭실대학교 신소재골학실험2 Deposition 공정 및 소자 제작 평가 결과보고서2025.01.211. MIS 및 MIM 커패시터 소자 이번 실험에서는 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 구조와 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 커패시터 소자에 대해 이해하고, Evaporator와 Shadow mask를 활용하여 상부 전극을 증착하고 Probe station을 통해 전기적 특성을 평가하였습니다. MIS 구조에서는 p-Si 박막이, MIM 구조에서는 p++-Si 박막이 사용되었습니다. MIM 구조의 경우 절연체 역할을 하는 insulator로 인해 전하를 축적하고 유지하는 능력이 있...2025.01.21
-
건국대 전기전자기초실험 7주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. R-C회로에서 커패시턴스 측정 커패시턴스는 축전기가 전하를 충전할 수 있는 능력으로 기호는 C를 사용하고 단위는 패럿이다. 커패시터를 직렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 감소하고, 병렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 증가한다. 2. R-L회로에서 인덕턴스 측정 인덕턴스(유도용량)는 인덕터가 자기장을 유도하는 능력으로 기호는 L을 사용하고 단위는 헨리[H]이다. 인덕터를 직렬로 연결하면 전체 인덕턴스가 증가하고, 병렬로 연결하면 전체 인덕턴스가 감소한다. 3. R-C회로와 R-L회로의 시정수 R-C 회로의 시정수는 RC이고, R-L...2025.01.15
-
전자회로설계실습 실습 7 결과보고서2025.01.041. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 실습을 통해 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 관찰하였습니다. 주파수를 변화시키면서 입력, 출력 전압과 전압 이득을 측정하였고, 커패시터 값을 변경하여 주파수 응답 특성의 변화를 확인하였습니다. 저주파 영역에서는 측정값과 시뮬레이션 값의 오차가 크게 나타났는데, 이는 저주파 신호에 고주파 노이즈가 섞여 정확한 측정이 어려웠기 때문입니다. 하지만 대역폭 영역에서는 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것을 확인할 수 있었습니다. 1. Common Em...2025.01.04
-
전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 9장 연습문제 풀이2025.01.021. 증폭기의 주파수 응답 입력 회로, 출력 회로, 바이패스 회로의 임계주파수를 계산하고, 고주파 입력 회로와 고주파 출력 회로의 임계주파수를 구하였습니다. 또한 대역폭, 이득 대역폭 곱 등을 계산하였습니다. 2. 밀러 정리 밀러 정리를 적용하여 고주파 등가회로를 구현하고, 입력 커패시턴스를 계산하였습니다. 3. 전압이득과 전력이득 전압이득과 전력이득의 차이를 설명하고, 데시벨로 표현하는 방법을 제시하였습니다. 1. 증폭기의 주파수 응답 증폭기의 주파수 응답은 증폭기가 입력 신호의 주파수에 따라 어떻게 증폭하는지를 나타내는 중요한 ...2025.01.02
-
실험 18_증폭기의 주파수 응답 특성 예비보고서2025.04.281. 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 응용 범위를 결정하는 중요한 척도이다. 실험을 통해 증폭기의 전압 이득과 대역폭의 곱이 일정한 관계가 있음을 이해하고자 한다. 2. MOSFET의 고주파 모델 MOSFET의 고주파 대역에서의 소신호 등가회로는 게이트-소스 커패시턴스와 게이트...2025.04.28
1 / 8
