총 61개
-
RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.05.021. RC회로의 시정수 측정 이 보고서는 RC회로의 시정수를 측정하는 회로와 방법을 설계하는 것을 다룹니다. 주요 내용은 다음과 같습니다. 1) V와 R의 값을 측정하고 DMM을 저항과 전압에 직렬로 연결하여 전압 V0를 측정한 후 이를 이용해 Rin을 계산합니다. 2) DMM을 전류 측정 모드로 설정하고 스위치를 1번에 연결하면 초기 전류 I가 흐르고, 시간이 지남에 따라 전류 Ic가 감소하는데 이때 Ic가 초기 전류의 36.8%가 되는 시간이 RC 시정수입니다. 3) RC 시정수가 10μs이고 커패시터 용량이 10nF일 때 저항...2025.05.02
-
전기회로설계실습 7장 예비보고서2025.01.201. RC 회로의 시정수 측정 이 보고서에서는 RC 회로의 시정수를 측정하는 방법을 설계하고 있습니다. 먼저 DMM의 내부 저항을 측정하는 방법을 제시하고, 이를 이용하여 2.2 μF 커패시터의 충전 및 방전 시간을 측정하는 실험 절차를 설명합니다. 또한 시정수가 10 μs인 RC 회로를 설계하고, 이 회로에 0.5V 사각파를 인가했을 때의 저항 전압과 커패시터 전압 파형을 예상하고 있습니다. 마지막으로 RC 회로에 사각파를 인가했을 때의 저항과 커패시터의 전압 파형을 이론적으로 설명하고 있습니다. 1. RC 회로의 시정수 측정 R...2025.01.20
-
중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.04.291. RC 회로 이번 실험에서는 저항과 커패시터로 구성된 RC 회로의 time constant를 측정하는 방법에 대해 알아보았으며, 오실로스코프에 나타나는 파형을 통해 커패시터와 time constant의 기능과 동작 원리, 의미 등을 확인할 수 있었다. DMM의 내부 저항과 커패시터를 활용하여 RC time constant를 측정하고, 이론값과 비교하여 오차율을 분석하였다. 또한 Function generator를 이용하여 RC 회로의 동작을 관찰하고, 사각파 입력 시 커패시터의 충전 및 방전 특성을 확인하였다. 2. DMM 내부...2025.04.29
-
[기초전자실험 with pspice] 13 커패시터 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 커패시터 커패시터는 전하를 저장(충전)하는 기능을 가진 부품이다. 커패시터는 유전체를 가운데 두고 양쪽에 전극(도체판)이 놓여 있는 구조로 만들어져 있다. 커패시터에 전압이 인가되면 [+]와 [-]의 전하들이 유전체를 사이에 두고 전극에 대전되어 충전이 이루어진다. 커패시터의 충전 용량을 커패시턴스라고 하며, [F]을 단위로 사용한다. 커패시터에는 전해 커패시터, 세라믹 커패시터, 탄탈 커패시터, 마일러 커패시터 등 다양한 종류가 있다. 커패시터를 직렬 또는 병렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 변화하며, 커패시터에 교류전압을 인...2025.04.28
-
커패시터의 충방전 실험 결과 보고서2025.05.141. 커패시터 충방전 회로 이 실험에서는 저항과 커패시터로 이루어진 회로에서 커패시터의 충전 및 방전 과정을 관찰하고, 회로의 시간 상수를 구하는 것이 목적입니다. 커패시터가 충전되는 동안 회로에 흐르는 전류는 키르히호프의 법칙을 적용하면 RC 회로의 미분방정식으로 표현할 수 있으며, 이 방정식의 해를 통해 커패시터의 전압 변화와 전류 변화를 구할 수 있습니다. 실험에서는 실제 측정값과 계산값을 비교하여 오차를 확인하고, 커패시터 값 변화에 따른 그래프 변화를 관찰하였습니다. 2. 실험 장치 및 방법 실험에 사용된 장치는 커패시터 ...2025.05.14
-
커패시터 충방전 실험 보고서2024.12.311. 커패시터 충방전 실험 이 실험에서는 커패시터와 저항으로 이루어진 회로에서 커패시터의 충전 및 방전 과정을 관찰하고, 회로의 시간상수를 구하는 것이 목적입니다. 실험에서는 저항 값을 고정하고 커패시터 값을 변화시키면서 충전 및 방전 과정을 관찰하였습니다. 실험 결과, 커패시터 값이 클수록 실험값과 계산값의 오차가 작아지는 것을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 커패시터 값이 클수록 실험 결과가 더 정확해짐을 알 수 있었습니다. 1. 커패시터 충방전 실험 커패시터 충방전 실험은 전기 회로의 기본 원리를 이해하는 데 매우 중요한 실...2024.12.31
-
[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 7. RC 회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.04.291. DMM 내부 저항 측정 DMM의 내부 저항을 측정하기 위한 회로도를 제시하였다. DMM을 DCV 측정 모드로 변경하고 저항 R, Power Supply와 직렬로 연결한 후 Power Supply에서 전압 V를 출력시키고 DMM으로 측정된 값 V'을 이용하여 DMM의 내부 저항 R_DMM을 구할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부 저항과 2.2 μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 측정하는 방법을 제시하였다. 스위치를 사용하여 Power Supply와 DMM을 연결하고 DMM으...2025.04.29
-
금오공대 일반물리학실험2 커패시터의 충방전, 헬름홀츠 코일의 자기장 측정 보고서2025.05.071. 커패시터의 충방전 실험을 통하여 저항과 커패시터로 이루어진 회로에서 커패시터에 인가되는 전압의 시간적인 변화를 관측하여 그래프를 만들 수 있었으며, 회로의 시간상수를 구할 수 있었다. 동일한 커패시터 값을 통해서 저항에 따라 충전, 방전에 어떤 변화가 일어나는지 알아보았다. 충방전 스위치를 충전에 위치하여 충전곡선이 증가함과 방전에 위치시켰을 때 방전곡선이 감소함을 볼 수 있었다. 이번 실험은 그래프의 최소전압, 최대전압과 그 때의 시간을 정확히 찾기 힘들었고, 충전에서 방전으로 스위치를 옮길 때마다 프로그램 오류가 떠서 정확...2025.05.07
-
RC회로의 시간 응답2025.04.271. RC 회로의 충전 특성 실험을 통해 RC 회로의 충전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 충전 시간이 길어지는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 시상수 τ = RC의 관계에 따른 것으로, 저항이 증가하면 시상수가 커져 충전 시간이 길어지게 된다. 또한 실험 결과와 이론값을 비교하여 약 ±10% 내의 오차를 확인하였다. 이러한 오차는 측정 시 시간 동기화의 어려움과 커패시터의 내부 저항(ESR) 등에 의한 것으로 추정된다. 2. RC 회로의 방전 특성 실험을 통해 RC 회로의 방전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 방전...2025.04.27
-
전압 체배기 회로의 특성 실험2025.05.111. 전압 체배기 회로 전압 체배기 회로는 입력 신호의 전압을 높이는 데 사용되는 회로입니다. 커패시터와 다이오드를 사용하여 커패시터의 충전 및 방전을 통해 높은 출력전압을 생성합니다. 2배 전압채배기에서는 2개의 커패시터와 2개의 다이오드로 구성된 배전압 회로에서 출력 전압은 입력 전압의 약 2배에서 다이오드의 순방향 전압 강하를 뺀 값이 됩니다. 3배 전압채배기와 4배 전압채배기도 각각의 3개의 커패시터,다이오드 4개의 커패시터,다이오드로 구성되어 같은 출력전압그래프를 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 전압채배기에서 사용되는 커...2025.05.11
1 / 7
